Реклама

  • Баннер Новой Электроники Росии 24

GaAs

Транзисторы на карбиде кремния: перспективы развития и снижение себестоимости готового изделия
Физические параметры материала SiC значительно превосходят параметры кремния (Si) и арсенида галлия (GaAs). Так, электрическая прочность SiC в 10 раз выше, удельное сопротивление достаточно низкое, радиационная стойкость высокая, крайне малые обратные токи благодаря относительно большой ширине запрещенной зоны, высокая теплопроводность компонентов на SiC, высокое быстродействие, высокие допусти...

08.04.2020 | Компоненты силовой электроники, Транзисторы, SiC, GaAs
Метки:
Оставить комментарий

Эскизы контуров силовой электроники середины текущего века
Посвящается памяти нашего друга, коллеги, ученого, профессионала высочайшего уровня, одного из основателей отечественной силовой электроники — А. Н. Думаневича.

18.03.2020 | Компоненты силовой электроники, MOSFET, IGBT, GaAs
Оставить комментарий

Новые возможности GaAs силовой электроники
Международные конфликты — это не что иное, как силовая форма передела количества потребляемой энергии. Треть производимой энергии на Земле — электроэнергия, или чуть больше 3 ТВт установленной мощности. Несмотря на то, что ежегодно вводится около 100 ГВт новых мощностей, электроэнергии хронически не хватает. Около 50% всей электроэнергии используется неэффективно, напрямую, без преобразования. ...

23.12.2019 | Технологии, GaAs
Оставить комментарий

Si, GaAs, SiC, GaN — силовая электроника. Сравнение, новые возможности
В статье изложены предпосылки для создания в России мощной инновационной технологической программы и инфраструктуры в области ультрасовременных энергосберегающих технологий на базе силовой электроники. Материал имеет цель в том числе привлечь внимание руководителей ГК «Роснанотех», ГК «Ростехнологии», Комитета по науке и наукоемким технологиям Государственной Думы РФ, инновационного центра «Ско...

06.09.2011 | Компоненты силовой электроники, SiC, GaAs, GaN
1 Комментарий

Новые GaAS диоды для корректора коэффициента мощности фирмы IXYS
Одной из важнейших задач в разработке современных источников электропитания и модулей коррекции коэффициента мощности (ККМ) является увеличение удельной мощности изделия и сокращение его массы и габаритов. Для решения данной проблемы требуется переход на более высокие рабочие частоты и, соответственно, применение новых быстродействующих компонентов силовой электроники. Одним из наиболее значимы...

16.09.2008 | Компоненты силовой электроники, GaAs
Оставить комментарий

Наши журналы:
© Copyright 2024 Силовая электроника