Расширение номенклатуры IGBT в корпусах TO-247 и TO-247PLUS от Yangjie

Компания Yanjie расширила номенклатуру выпускаемых силовых IGBT в корпусах TO-247 и TO-247PLUS. Ассортимент включает в себя изделия с пробивным напряжение коллектор-эмиттер 1200 В. Диапазон токов 40–75 А. Основным применение являются высокочастотные устройства, такие как фотоэлектрические инверторы, накопители энергии, зарядные станции и т. д. Новые приборы способны заменить дефицитные компоненты глобальных производителей без дополнительной переработки устройства. Соответствует стандартам RoHS. Основные особенности новых IGBT: структура Trench-FS имеет улучшенной соотношение блокирующего ...

IGBT до 1200 В и до 75 А от Yangjie Technology

Компания Yangjie Technology (Китай) анонсировала выпуск IGBT в корпусах TO-247 и TO-220 с пробивным напряжением коллектор-эмиттер 600–1200 В и диапазоном токов 10–75 А. Основные сферы применения транзисторов: приборы высокочастотной коммутации; резонансные преобразователи; источники бесперебойного питания; сварочные преобразователи.