IGBT до 1200 В и до 75 А от Yangjie Technology
Компания Yangjie Technology (Китай) анонсировала выпуск IGBT в корпусах TO-247 и TO-220 с пробивным напряжением коллектор-эмиттер 600–1200 В и диапазоном токов 10–75 А.
Основные сферы применения транзисторов:
приборы высокочастотной коммутации;
резонансные преобразователи;
источники бесперебойного питания;
сварочные преобразователи.