Нюансы, связанные с параллельной работой высокоскоростных приборов SiC MOSFET, по сравнению с кремниевыми ключами исследованы очень слабо. В статье рассматриваются особенности параллельного включения карбидокремниевых (SiC) полевых транзисторов. Изучаются параметры, влияющие на статическое и динамическое распределение токов данных устройств, исследована зависимость этих параметров от температур... 
Мировая экономика имеет несомненный выигрыш от технологических инноваций и непрерывного совершенствования высоко интегрированных и надежных преобразовательных систем. Однако недостатком этого процесса являются более высокие энергетические затраты и негативные экологические эффекты, связанные с освоением и выпуском продуктов, потребляющих большее количество энергии. 
Физические параметры материала SiC значительно превосходят параметры кремния (Si) и арсенида галлия (GaAs). Так, электрическая прочность SiC в 10 раз выше, удельное сопротивление достаточно низкое, радиационная стойкость высокая, крайне малые обратные токи благодаря относительно большой ширине запрещенной зоны, высокая теплопроводность компонентов на SiC, высокое быстродействие, высокие допусти... 
В статье рассмотрены характеристики нового двухканального драйвера Power Integrations, выполненного на основе усовершенствованного набора микросхем SCALE 2+. Ультракомпактное двухканальное ядро драйвера 2SC0115T предназначено для построения инверторов и преобразователей мощностью 90–500 кВт. Драйвер имеет усиленную электрическую изоляцию и поддерживает IGBT 1200 В с током до 1400 А. Новой защит... 
Современные высококачественные источники питания (ИП) уже весьма эффективны. Примерно два года назад были анонсированы серверные ИП класса Titanium, общая эффективность которых при половинной нагрузке превышает 96% (согласно стандарту 80 PLUS). Столь высокий коэффициент полезного действия этих источников обусловлен уже имеющимися на сегодня технологиями, включая технологии производства высокока... 
В настоящее время растет спрос на прецизионные датчики-преобразователи тока, пригодные для применения в изделиях промышленного назначения с высокими техническими характеристиками, например в медицинском оборудовании (сканерах, магнитно-резонансных томографах), прецизионных контроллерах электродвигателей, счетчиках электроэнергии, контрольно-измерительной аппаратуре. 
Основными требованиями к силовым полупроводниковым компонентам являются высокая эффективность, большая плотность мощности и хорошая надежность. Для улучшения данных параметров компания Mitsubishi Electric разработала новую линейку промышленных IGBT-модулей серии NX7. С целью снижения потерь в данных устройствах применяются новые чипы седьмого поколения, а добиться увеличения плотности мощности ... 
В январе текущего года была завершена сделка по приобретению американской компании International Rectifier (IR) крупнейшим немецким производителем силовых полупроводниковых приборов Infineon Technologies AG. 
Посвящается памяти нашего друга, коллеги, ученого, профессионала высочайшего уровня, одного из основателей отечественной силовой электроники — А. Н. Думаневича. 
Современный рынок силовой электроники предъявляет все более жесткие требования к компонентам, предназначенным для применения в энергетике и на транспорте. Среди устройств, работающих в тяжелых условиях эксплуатации, можно назвать и тяговые приводы, используемые на судах с системой электродвижения. Внедренные компанией SEMIKRON технологии SKiiP и SKiN дают возможность преодолеть существующие кон... 