Высокоэффективные силовые модули на основе SiC для широкого спектра применений

В настоящее время силовые транзисторные модули на основе карбида кремния (SiC) находят все более широкое применение там, где требуется повышенный КПД преобразователя или снижение его массогабаритных показателей. Диапазон мощности таких применений весьма разнообразен: от бытовых кондиционеров и зарядных устройств до промышленных и даже тяговых железнодорожных приводов. В статье приводится актуа...

Электролитические конденсаторы для силовой электроники от CapXon

Компания CapXon представила новые модели в сериях электролитических конденсаторов RU и RH, призванных конкурировать с High Ripple Current (высокий ток пульсаций) моделями TDK/Epcos. Параметрические данные для сравнения: Параметр RU серия RH серия B43704/B43724 (TDK/Epcos) Напряжение, В 200–500 16–450 350–550 Доступные емкости, мкФ 1000–33000 220–47000 820–22000 Рабочий температурный диапазон, °C –40…+85 –40…+105 –40…+85 Срок службы при +85/+105°C, Vном, Iном, ч 12000 8000 ...

Драйвер IGBT: «ядро» или plug-and-play?
Базовые принципы и основные схемы

Поведение современных силовых ключей MOSFET/IGBT/SiC в динамических режимах во многом определяется характеристиками устройства управления затвором (драйвера). Определение параметров драйвера для конкретного силового модуля в заданных условиях применения — задача достаточно непростая и усложняется при необходимости работы с параллельным соединением ключей или на высокой частоте коммутации, когда...

Конструктивные особенности и применение IGBT исполнения Press-Pack компании CRRC Times Semiconductor

Компания CRRC Times Semiconductor (Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Ltd.) — дочерняя компания CRRC, ведущего мирового поставщика силовых полупроводниковых приборов и систем управления для подвижного состава и владельца известной торговой марки Dynex — разработала два новых варианта IGBT-модулей. Благодаря использованию новых чипов и ноу-хау в части корпусирования, они отличаются малой собственн...

IGBT Gen. 7 в трехуровневых преобразователях. Часть 1

Всякий раз, когда качество сигнала и эффективность преобразования являются основными требованиями, предъявляемыми к силовой электронной системе, разработчики обращаются к трехуровневым схемам. Одним из примеров служат конвертеры для возобновляемых источников энергии, где использование последнего, 7-го поколения IGBT [1, 2] в 3L-топологии обеспечивает кардинальное улучшение характеристик.

Обзор продуктов IXYS.
Твердотельные реле и полупроводниковые модули высокой мощности

В современном оборудовании автоматизации, в том числе для потребительского сегмента и бытовой техники, контроллеры с реле, основанные на полупроводниковых компонентах, получают все большее распространение. Такое технологическое развитие стало возможным благодаря ряду инноваций, которые в последние десятилетия внедрены в области технологий производства транзисторов, диодов и связанных с ними ком...

Соленоиды: виды, особенности, преимущества, сфера применения

Соленоиды нашли свое применение в различных промышленных областях нефтяная, газовая, машиностроительная и др.

Силовые компоненты Microchip на 3,3 кВ на основе карбида кремния (SiC)

Компания Microchip Technology объявила о расширении своего портфолио SiC-компонентов выпуском 3,3-кВ полевых транзисторов SiC MOSFET с самым низким сопротивлением в открытом состоянии (RDSon) и диодов с барьером Шоттки SiC (SBD) с самым высоким номинальным током из доступных на рынке. С расширением портфолио SiC от Microchip специалисты получили инструменты для разработки более компактных, легких и эффективных решений для электротранспорта, возобновляемых источников энергии, аэрокосмических и промышленных приложений. МОП-транзисторы и диоды Шоттки на 3,3 кВ от Microchip дополняют обширный ...

Разработан интеллектуальный транзистор

«Изюминкой» нового, революционного транзистора, является его способность динамически переключаться во время работы для выполнения разных логических задач. Это свойство открывает новые возможности проектирования микросхем и в области искусственного интеллект и нейронных сетей. Для того чтобы создать новый адаптивный транзистор ученые из венского «Технического Университета» использовали германий вместо традиционного кремния (кстати, каталог транзисторов по ссылке). В новом транзисторе совершенно иначе происходит перемещение носителей. Два электрода транзистора соединяются чрезвычайно тонкой ...

Особенности измерения динамических параметров IGBT-модулей

В статье проведен анализ влияния частотных характеристик датчиков тока различных типов на погрешность измерения динамических параметров IGBT-модулей. Предложены: схема измерительной установки, методика измерений динамических параметров IGBT-модулей с использованием коаксиальных шунтов с широкой рабочей полосой частот, обеспечивающая высокую точность измерений; методика определения импеданса кон...