Реклама

Вы за SiC или кремний?
Часть 6. Использование полевых SiC-транзисторов в блоках питания центров обработки данных и телекоммуникационного оборудования
Это шестая, последняя статья, завершающая цикл статей [1], в которых рассматривались текущие тенденции и особенности применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущих частях цикла речь шла об особенностях этих полупроводниковых приборов, их перспективах и тех преимуществах, которые дает их использование, в том числе в узлах современного электрического транспорт...

16.02.2022 | Разработка, Компоненты силовой электроники, SiC
Оставить комментарий

Некоторые вопросы эксплуатации IGBT-модулей.
Часть 3. Влияние параметров цепи управления на коммутационные характеристики
Продолжение цикла публикаций [1, 2], в которых рассматриваются особенности эксплуатации IGBT-модулей производства ПАО «Электровыпрямитель». В новой части описаны результаты исследований зависимостей динамических характеристик IGBT-модулей на напряжение 3300 В от параметров цепи управления. Представлен анализ особенностей эксплуатации высоковольтных IGBT-модулей и даны рекомендации по оптимизаци...

14.02.2022 | Компоненты силовой электроники, IGBT
Метки:
Оставить комментарий

Модуль IGBT 7-го поколения серии X для повышения энергосбережения на железнодорожном транспорте
Японская компания Fuji Electric Co., Ltd. сообщает о начале производства модуля HPnC (конструктив силового модуля нового поколения) на базе 7-го поколения IGBT X-серии (биполярный транзистор с изолированным затвором), ориентированного на железнодорожный рынок.

11.02.2022 | Компоненты силовой электроники, Железная дорога, IGBT
Метки:
Оставить комментарий

Новые двухпозиционные тиристорные модули на ток 700 А со сниженными статическими и тепловыми потерями
Показаны результаты модернизации силовых двухпозиционных тиристорных и тиристорно-диодных модулей модификаций МТ3, МТ4, МТ5, МТ/Д3, МТ/Д4 и МТ/Д5 с шириной основания 60 мм, рассчитанных на напряжение 1800 В.

09.02.2022 | Компоненты силовой электроники, Тиристоры
Метки:
Оставить комментарий

«Мицубиси Электрик» запускает производство дискретных SiC-диодов и транзисторов в корпусах TO-247
В статье описаны новые линейки дискретных диодов и MOSFET-транзисторов на основе карбид-кремния в двух типах корпусов, показан модельный ряд, раскрыты основные характеристики.

07.02.2022 | Компоненты силовой электроники, Диоды, Транзисторы
Метки:
Оставить комментарий

SEMITRANS 20: новый уровень надежности транспортного привода
Повышение надежности электрических тяговых приводов требует поиска новых технологий и материалов, совершенствования процессов производства силовых модулей. Заметным шагом на этом пути стало внедрение компанией SEMIKRON технологии низкотемпературного спекания [2], а также замена алюминиевых выводов кристаллов на медные алюминизированные AlCu. Это позволило существенно снизить риск развития устал...

04.02.2022 | Электроприводы
Метки:
Оставить комментарий

Управление SiC MOSFET с помощью драйверов затвора с оптической развязкой ACPL-W346 и ACPL-339J
В статье описаны основные принципы использования драйверов затворов с оптической развязкой для управления MOSFET из карбида кремния.

02.02.2022 | Компоненты силовой электроники, MOSFET, SiC
Оставить комментарий

Пиковый ток в изолированных драйверах затвора
При выборе драйвера управления затвором транзистора одним из главных параметров является величина тока, которую сможет обеспечить данный компонент. Пиковый ток — это одна из наиболее важных технических характеристик драйвера затвора, основной и конечный показатель мощности драйвера, кроме того, он также определяет скорость включения/отключения MOSFET/IGBT. Термин «пиковый ток» довольно широко ...

31.01.2022 | Компоненты силовой электроники
Оставить комментарий

Высоковольтный полупроводниковый ключ на основе реверсивно-включаемого динистора с обратной проводимостью для коммутации мощных двуполярных импульсов тока
В статье представлена новая версия реверсивно-включаемого динистора (РВД), оптимизированного для коммутации мощных двуполярных импульсов тока. Описывается концепция РВД с обратной проводимостью (РВДД), основанная на введении в кремниевую структуру динистора определенного количества интегрированных инверсных диодов, равномерно расположенных с заданной периодичностью по всей рабочей площади прибо...

28.01.2022 | Компоненты силовой электроники
Оставить комментарий

Перспективы совершенствования имитационных технических средств для воспроизведения видов и значений параметров качества электроэнергии
Статья является результатом проработки возможностей совершенствования существующих имитационных технических средств для воспроизведения видов и значений параметров качества электроэнергии на основе совокупного анализа сведений, результаты которого были опубликованы в журнале «Силовая электроника» ’2019 № 1, 3, 5 и 6.

26.01.2022 | Качество электроэнергии
Метки:
Оставить комментарий

Наши журналы:
© Copyright 2026 Силовая электроника