Модуль IGBT 7-го поколения серии X для повышения энергосбережения на железнодорожном транспорте

Японская компания Fuji Electric Co., Ltd. сообщает о начале производства модуля HPnC (конструктив силового модуля нового поколения) на базе 7-го поколения IGBT X-серии (биполярный транзистор с изолированным затвором), ориентированного на железнодорожный рынок.

Новые двухпозиционные тиристорные модули на ток 700 А со сниженными статическими и тепловыми потерями

Показаны результаты модернизации силовых двухпозиционных тиристорных и тиристорно-диодных модулей модификаций МТ3, МТ4, МТ5, МТ/Д3, МТ/Д4 и МТ/Д5 с шириной основания 60 мм, рассчитанных на напряжение 1800 В.

«Мицубиси Электрик» запускает производство дискретных SiC-диодов и транзисторов в корпусах TO-247

В статье описаны новые линейки дискретных диодов и MOSFET-транзисторов на основе карбид-кремния в двух типах корпусов, показан модельный ряд, раскрыты основные характеристики.

SEMITRANS 20: новый уровень надежности транспортного привода

Повышение надежности электрических тяговых приводов требует поиска новых технологий и материалов, совершенствования процессов производства силовых модулей. Заметным шагом на этом пути стало внедрение компанией SEMIKRON технологии низкотемпературного спекания [2], а также замена алюминиевых выводов кристаллов на медные алюминизированные AlCu. Это позволило существенно снизить риск развития устал...

Управление SiC MOSFET с помощью драйверов затвора с оптической развязкой ACPL-W346 и ACPL-339J

В статье описаны основные принципы использования драйверов затворов с оптической развязкой для управления MOSFET из карбида кремния.

Пиковый ток в изолированных драйверах затвора

При выборе драйвера управления затвором транзистора одним из главных параметров является величина тока, которую сможет обеспечить данный компонент. Пиковый ток — это одна из наиболее важных технических характеристик драйвера затвора, основной и конечный показатель мощности драйвера, кроме того, он также определяет скорость включения/отключения MOSFET/IGBT. Термин «пиковый ток» довольно широко ...

Высоковольтный полупроводниковый ключ на основе реверсивно-включаемого динистора с обратной проводимостью для коммутации мощных двуполярных импульсов тока

В статье представлена новая версия реверсивно-включаемого динистора (РВД), оптимизированного для коммутации мощных двуполярных импульсов тока. Описывается концепция РВД с обратной проводимостью (РВДД), основанная на введении в кремниевую структуру динистора определенного количества интегрированных инверсных диодов, равномерно расположенных с заданной периодичностью по всей рабочей площади прибо...

Перспективы совершенствования имитационных технических средств для воспроизведения видов и значений параметров качества электроэнергии

Статья является результатом проработки возможностей совершенствования существующих имитационных технических средств для воспроизведения видов и значений параметров качества электроэнергии на основе совокупного анализа сведений, результаты которого были опубликованы в журнале «Силовая электроника» ’2019 № 1, 3, 5 и 6.

Высокомачтовое светодиодное освещение

Светодиодные высокомачтовые светильники в настоящее время являются наиболее экономичным и эффективным способом обеспечения равномерного и контролируемого освещения больших открытых площадей благодаря большой высоте монтажа и конфигурации из нескольких светильников.

Вы за SiC или кремний?
Часть 5. SiC-транзисторы сверхвысокого рабочего напряжения и суперкаскоды

Это пятая публикация, продолжающая цикл из шести статей, в которых рассматриваются текущие тенденции и особенности применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущей части цикла описаны перспективы и преимущества использования карбид-кремниевых транзисторов в узлах современного электрического транспортного средства. Теперь речь пойдет о суперкаскодных SiC-транзи...