В статье описаны новые линейки дискретных диодов и MOSFET-транзисторов на основе карбид-кремния в двух типах корпусов, показан модельный ряд, раскрыты основные характеристики. 
Повышение надежности электрических тяговых приводов требует поиска новых технологий и материалов, совершенствования процессов производства силовых модулей. Заметным шагом на этом пути стало внедрение компанией SEMIKRON технологии низкотемпературного спекания [2], а также замена алюминиевых выводов кристаллов на медные алюминизированные AlCu. Это позволило существенно снизить риск развития устал... 
В статье описаны основные принципы использования драйверов затворов с оптической развязкой для управления MOSFET из карбида кремния. 
При выборе драйвера управления затвором транзистора одним из главных параметров является величина тока, которую сможет обеспечить данный компонент. Пиковый ток — это одна из наиболее важных технических характеристик драйвера затвора, основной и конечный показатель мощности драйвера, кроме того, он также определяет скорость включения/отключения MOSFET/IGBT.
Термин «пиковый ток» довольно широко ... 
В статье представлена новая версия реверсивно-включаемого динистора (РВД), оптимизированного для коммутации мощных двуполярных импульсов тока. Описывается концепция РВД с обратной проводимостью (РВДД), основанная на введении в кремниевую структуру динистора определенного количества интегрированных инверсных диодов, равномерно расположенных с заданной периодичностью по всей рабочей площади прибо... 
Статья является результатом проработки возможностей совершенствования существующих имитационных технических средств для воспроизведения видов и значений параметров качества электроэнергии на основе совокупного анализа сведений, результаты которого были опубликованы в журнале «Силовая электроника» ’2019 № 1, 3, 5 и 6. 
Светодиодные высокомачтовые светильники в настоящее время являются наиболее экономичным и эффективным способом обеспечения равномерного и контролируемого освещения больших открытых площадей благодаря большой высоте монтажа и конфигурации из нескольких светильников. 
Это пятая публикация, продолжающая цикл из шести статей, в которых рассматриваются текущие тенденции и особенности применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущей части цикла описаны перспективы и преимущества использования карбид-кремниевых транзисторов в узлах современного электрического транспортного средства. Теперь речь пойдет о суперкаскодных SiC-транзи... 
Существует несколько способов получения отрицательного напряжения от источника положительного напряжения, в том числе использование трансформатора или двух дросселей и/или нескольких ключей. Тем не менее ни один из этих способов не является настолько доступным, как способ с использованием LTC3863, который элегантен в своей простоте, имеет превосходный КПД при небольших нагрузках и характеризует... 
В аварийных режимах, особенно в системах HVDC, IGBT-модули в последовательной или параллельной конфигурации должны выдерживать высокие линейные напряжения (Vline) и при этом безопасно отключаться. В таких экстремальных условиях полупроводниковые приборы обычно функционируют за пределами рекомендованной в технической документации области безопасной работы (RBSOA), ограничивающей режим отключения... 