Линейка современных зажимных устройств для измерения силовых полупроводниковых приборов на усилия до 100 кН

Силовые полупроводниковые приборы (СПП) обладают большим количеством параметров и характеристик, которые необходимо контролировать с помощью специального оборудования. При проектировании данного оборудования нужно учитывать множество факторов, таких как надежность, многофункциональность, эргономичность, а также уделять внимание общему эстетическому исполнению. Статья знакомит с этапами развития...

Использование метода лазерной вспышки для измерения теплопроводности материалов, предназначенных для корпусирования силовых полупроводниковых приборов

Статья посвящена оценке методом лазерной вспышки теплового сопротивления как самих материалов, используемых при корпусирования силовых полупроводниковых приборов, так и границ между ними. Критическое влияние диффузии примесей во время изготовления таких устройств иллюстрируется для меди (Cu), связанной с припоем на основе сплава copper-ABA (ABA Cu). Статья представлена в переводе с рядом дополн...

Анализ квазирезонансных преобразователей с коммутацией силового ключа при нулевом токе

В статье проводится упрощенный анализ однотактных квазирезонансных преобразователей с коммутацией силового ключа при нулевом токе. При анализе квазирезонансных ячеек или ячеек с мягким переключением с помощью усредненных значений сигналов определены коэффициенты преобразования по напряжению понижающего и повышающего преобразователей.

Индивидуальное устройство автоматического включения резервного питания электронной аппаратуры РЗА

В электроэнергетике критически важные электронные устройства релейной защиты и автоматики нуждаются в приборах автоматического включения резервного питания (АВР). Широко применявшаяся в течение десятилетий схема с диодной развязкой между двумя секциями системы электропитания постоянного тока оказалась проблематичной. В статье сформулированы требования к индивидуальным устройствам АВР, устойчивы...

Встроенный термодатчик и «виртуальная» температура кристалла: как использовать сенсор для анализа тепловых режимов силового модуля

Многие современные силовые модули имеют в своем составе датчик температуры, как правило, чип-резистор, установленный на изолирующей DBC-подложке. В первую очередь это необходимо для работы схемы защиты от перегрева, но есть и еще один законный вопрос: можно ли использовать встроенный сенсор для определения «виртуальной» температуры кристаллов? Существует несколько вариантов решения проблемы, за...

Инновационная технология корпусирования Source-Down от компании Infineon

В этой статье представлены особенности нового корпусирования силовых МОП-транзисторов, предложенного компанией Infineon Technologies AG в миниатюрных корпусах PQFN 3,3×3,3 мм, получившее название Source-Down (буквально: «истоком вниз») [1]. Описаны отличия и преимущества новой технологии от стандартной концепции размещения подключения стока и затвора. Оптимизация производительности, достигнутая...

Переключатели на основе карбида кремния (SiC): характеристики, преимущества и применение

Уже несколько лет широкозонные полупроводники остаются популярной темой, они по праву перешли из категории технологий будущего в категорию крупного рыночного сегмента, их прогнозируемый прирост на рынке — 33,4% CAGR в течение следующих пяти лет и достижение $1,82 млрд до 2024 года [1]. Широкозонные устройства изготавливаются с помощью либо карбида кремния (SiC), либо нитрида галлия (GaN). До на...

Электробезопасность оптических изоляторов в условиях возможных отказов в силовых преобразователях

В статье описано влияние возможных отказов незащищенных IGBT на изоляционный барьер драйверов затвора с оптической изоляцией компании Broadcom.

Высоковольтные RFC-диоды X-серии с мягкой характеристикой восстановления

В настоящее время одним из наиболее популярных схемотехнических решений для реализации средневольтного преобразователя являются трехуровневые инверторы на IGBT-модулях со связью средней точки через диоды. Специально для таких применений компания «Мицубиси Электрик» разработала новую линейку высоковольтных диодных модулей X-серии. Рассмотрим основные особенности нового продукта, а также преимуще...

Вы за SiC или кремний? Часть 4. Как создать лучшие тяговые инверторы для электромобиля? Ответ: использовать SiC!

Это четвертая публикация, продолжающая цикл из шести статей [1], в которых рассматриваются текущие тенденции применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущей части цикла были описаны перспективы и преимущества использования карбид-кремниевых транзисторов в двух основных узлах современного электрического транспортного средства — встроенном зарядном устройстве и...