Параллельная работа IGBT при различных способах управления затворами

Особенностям параллельной работы силовых ключей посвящены многие публикации, в частности, этот вопрос подробно рассмотрен в [2]. В данной статье проводится анализ распределения токов IGBT при использовании двух концепций управления затворами — «индивидуальной» (независимый драйвер на каждом модуле) и «центральной» (один мощный драйвер для всех параллельных ключей).

SiC-диоды Шоттки в корректорах коэффициента мощности

Повышение эффективности путем использования высоковольтных SiC-диодов в повышающих преобразователях ККМ может применяться для увеличения выходной мощности и частоты переключения с целью снижения габаритов изделия или повышения его надежности. В то же время использование SiC-диодов Шоттки позволяет уменьшить EMI.

Эволюция в создании карбида кремния — революционного полупроводника

Карбид кремния (SiC) является довольно молодым материалом в истории полупроводниковой промышленности по сравнению с кремнием (Si) или арсенидом галлия (GaAs), однако его истоки восходят к концу XIX в. В 1891 г. Эдвард Ачесон (Edward Acheson) разработал способ получения кристаллического SiC в качестве абразивного материала, и этот метод используется до сих пор. Первые минералогические исследован...

Обзор современных изолированных драйверов затворов MOSFET/IGBT

Мощные полевые МОП-транзисторы MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) и биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) являются одними из основных элементов современной силовой электроники и используются для коммутации больших токов и напряжений. Для согласования низковольтных логических управляющих сигналов контроллера с уровнями у...

Снаббер — это просто

Пробой коллектор-эмиттер, возникающий при перенапряжении, одна из наиболее распространенных причин выхода из строя транзисторных преобразователей. Виной тому — недостаточно ответственный подход к защитным снабберным цепям инвертора. Но зачастую разработчик закладывает столь сложные снабберные схемы, что на их фоне сам транзисторный инвертор кажется несущественной частью преобразователя. Так как...

Анализ динамических процессов в однотактных преобразователях без гальванического разделения входа/выхода при реализации мягкого переключения

В статье рассматриваются динамические процессы в схемах повышающего и понижающего преобразователей напряжения при обеспечении безопасной траектории переключения полупроводниковых элементов.

Индукционная установка «Петра-0501» для нагрева ТВЧ в кольцевом индукторе для закалки шестерен

В статье представлены: • индукционная ТВЧ-установка (токи высокой частоты) для нагрева для закалки шестерен в кольцевом индукторе; • статический преобразователь частоты «ПЕТРА-0501», его основные технические характеристики, устройство, а также особенности исполнения; • индукционная нагревательная установка «ПЕТРА-ИНУ».

Электроника для солнечной энергетики и не только

Принцип работы многоуровневой схемы прост: модули или инверторные ячейки соединяются последовательно, за счет этого напряжение питания устройства может быть выше рабочего напряжения отдельных ключей. Подобное решение позволяет формировать «многоступенчатый» выходной сигнал, снизить уровень гармонических искажений и отказаться от дорогостоящих и громоздких выходных фильтров. Очевидно, что все си...

Следующее поколение IGBT-модулей повышенной мощности

Высокомощные общепромышленные применения требуют добротной силовой компонентной базы с широким диапазоном рабочих токов, высокой надежностью, а также большой плотностью мощности и низкой индуктивностью. Для удовлетворения данных потребностей линейка высоковольтных модулей LV100, представленная в 2017 году [1], была адаптирована под нужды общепромышленных применений.

Стабилизация напряжения: обратная связь в DC/DC-преобразователях

О DC/DC-преобразователях пишут много и часто, однако обычно рассматривают конкретные решения или типы контроллеров для их построения, а за рамками статьи остается ряд важных моментов. Один из них — вопрос стабилизации выходного напряжения, причем не только при изменении уровня входного напряжения, но и при воздействии самых разнообразных факторов. За это отвечает обратная связь, так что без фун...