Реклама

  • баннер выставки электроника россии 23
  • ExpoElectronica 2023

SiC

Двунаправленное бортовое зарядное устройство электромобилей 6,6 кВт на SiC MOSFET от Wolfspeed
Компания Wolfspeed выпустила референс-дизайн двунаправленного бортового зарядного устройства электромобилей 6,6 кВт на SiC-МОП транзисторах 1000 В 65 мОм — CRD-06600FF10N. Основные характеристики зарядного устройства: демонстрирует работу SiC MOSFET 1000 В 65 мОм Wolfspeed поколения C3M в двунаправленном бортовом зарядном устройстве электромобилей 6,6 кВт; плата состоит из двунаправленного ККМ (AC/DC) топологии Totem-Pole и изолированного двунаправленного DC/DC топологии CLLC с варьируемым напряжением DC-звена; плата поддерживает диапазон входного напряжения 90–265 В (AC) и 250–450 В ...

19.02.2022 | Разработка, Источники питания, SiC
Метки:
Оставить комментарий

Повышение энергоэффективности промышленных систем с карбидом кремния (SiC)
В статье рассказывается о преимуществах карбида кремния (SiC) и приборов на его основе по отношению к кремнию (Si).

18.02.2022 | Компоненты силовой электроники, SiC
Оставить комментарий

Вы за SiC или кремний?
Часть 6. Использование полевых SiC-транзисторов в блоках питания центров обработки данных и телекоммуникационного оборудования
Это шестая, последняя статья, завершающая цикл статей [1], в которых рассматривались текущие тенденции и особенности применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущих частях цикла речь шла об особенностях этих полупроводниковых приборов, их перспективах и тех преимуществах, которые дает их использование, в том числе в узлах современного электрического транспорт...

16.02.2022 | Разработка, Компоненты силовой электроники, SiC
Оставить комментарий

Управление SiC MOSFET с помощью драйверов затвора с оптической развязкой ACPL-W346 и ACPL-339J
В статье описаны основные принципы использования драйверов затворов с оптической развязкой для управления MOSFET из карбида кремния.

02.02.2022 | Компоненты силовой электроники, MOSFET, SiC
Оставить комментарий

Повышающий 60-кВт преобразователь с чередованием фаз на SiC MOSFET от Wolfspeed
Компания Wolfspeed выпустила референс-дизайн повышающего 60-кВт преобразователя с чередованием фаз на основе SiC-МОП-транзисторов 1200 В 75 мОм — CRD-60DD12N. Характеристики повышающего преобразователя: демонстрирует работу SiC MOSFET 1200 В 75 мОм Wolfspeed поколения C3M в повышающем 60-кВт преобразователе в режиме чередования фаз; преобразователь состоит из четырех уровней по 15 кВт, на каждом из которых используется драйвер затвора MOSFET CGD15SG00D2; напряжение на входе 470–800 В DC, 850 В DC на выходе с пиковым КПД 99,5% и удельной мощностью 127 Вт/дюйм3; документация включает ...

28.01.2022 | Разработка, Источники питания, SiC
Метки:
Оставить комментарий

Вы за SiC или кремний?
Часть 5. SiC-транзисторы сверхвысокого рабочего напряжения и суперкаскоды
Это пятая публикация, продолжающая цикл из шести статей, в которых рассматриваются текущие тенденции и особенности применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущей части цикла описаны перспективы и преимущества использования карбид-кремниевых транзисторов в узлах современного электрического транспортного средства. Теперь речь пойдет о суперкаскодных SiC-транзи...

24.01.2022 | Компоненты силовой электроники, Транзисторы, SiC
Оставить комментарий

Установка для тестирования SiC MOSFET методом двойного импульса
В статье описывается испытательная установка, предназначенная для тестирования характеристик SiC MOSFET методом двойного импульса. Установка представляет собой классический «двухимпульсный» тестер, содержащий все необходимые компоненты, размещенные на одной печатной плате, и обеспечивающий повторяемость измерений. Фотография приспособления показана на рис. 1.

14.01.2022 | MOSFET, Измерительные приборы, SiC
Метки:
2 комментария

Переключатели на основе карбида кремния (SiC): характеристики, преимущества и применение
Уже несколько лет широкозонные полупроводники остаются популярной темой, они по праву перешли из категории технологий будущего в категорию крупного рыночного сегмента, их прогнозируемый прирост на рынке — 33,4% CAGR в течение следующих пяти лет и достижение $1,82 млрд до 2024 года [1]. Широкозонные устройства изготавливаются с помощью либо карбида кремния (SiC), либо нитрида галлия (GaN). До на...

29.12.2021 | Компоненты силовой электроники, SiC, Модули
Оставить комментарий

Вы за SiC или кремний? Часть 4. Как создать лучшие тяговые инверторы для электромобиля? Ответ: использовать SiC!
Это четвертая публикация, продолжающая цикл из шести статей [1], в которых рассматриваются текущие тенденции применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущей части цикла были описаны перспективы и преимущества использования карбид-кремниевых транзисторов в двух основных узлах современного электрического транспортного средства — встроенном зарядном устройстве и...

24.12.2021 | Компоненты силовой электроники, SiC
Оставить комментарий

Мощные SiC-MOSFET-модули в компактном корпусе нового поколения от японской компании SanRex
Огромный толчок в развитии современной преобразовательной техники произошел благодаря внедрению в массовое производство полупроводниковых материалов на основе карбида кремния, использование которого позволяет выйти устройствам на новый уровень за счет улучшения энергетических качеств, увеличения КПД и удельной мощности, а также уменьшения массогабаритных показателей. В статье рассмотрены решени...

20.12.2021 | Компоненты силовой электроники, MOSFET, SiC
Метки:
Оставить комментарий

Наши журналы:
© Copyright 2023 Силовая электроника