Быстрая разработка устройств на основе SiC с помощью симулятора SpeedFit 2.0 Design Simulator

В статье рассказывается о том, как облегчить разработку устройств на основе SiC с помощью симулятора SpeedFit 2.0.

Новые силовые SiC-модули обеспечивают большую плотность мощности в меньших габаритах, чем Si IGBT

В связи с растущим спросом (рис. 1) на энергию для широкого спектра применений, включая производство электроэнергии, ее хранение и транспортировку, возникает необходимость в создании более эффективных систем преобразования и управления, обеспечивающих будущее энергетических систем. Соответственно, растет потребность в более компактных и мощных силовых модулях, способных работать при высоких тем...

Изолированный источник питания 6 Вт для драйвера затвора SiC-MOSFET

Все более широкое применение высокотехнологичных SiC MOSFET- и GaN-транзисторов в современной преобразовательной технике устанавливает новые жесткие требования по надежности и эффективности не только к драйверам затвора, но и к организации питания для этих драйверов. В статье речь пойдет о 6-Вт вспомогательном сверхкомпактном изолированном источнике питания, построенном на базе нового трансформ...

Двунаправленное бортовое зарядное устройство электромобилей 6,6 кВт на SiC MOSFET от Wolfspeed

Компания Wolfspeed выпустила референс-дизайн двунаправленного бортового зарядного устройства электромобилей 6,6 кВт на SiC-МОП транзисторах 1000 В 65 мОм — CRD-06600FF10N. Основные характеристики зарядного устройства: демонстрирует работу SiC MOSFET 1000 В 65 мОм Wolfspeed поколения C3M в двунаправленном бортовом зарядном устройстве электромобилей 6,6 кВт; плата состоит из двунаправленного ККМ (AC/DC) топологии Totem-Pole и изолированного двунаправленного DC/DC топологии CLLC с варьируемым напряжением DC-звена; плата поддерживает диапазон входного напряжения 90–265 В (AC) и 250–450 В ...

Повышение энергоэффективности промышленных систем с карбидом кремния (SiC)

В статье рассказывается о преимуществах карбида кремния (SiC) и приборов на его основе по отношению к кремнию (Si).

Вы за SiC или кремний?
Часть 6. Использование полевых SiC-транзисторов в блоках питания центров обработки данных и телекоммуникационного оборудования

Это шестая, последняя статья, завершающая цикл статей [1], в которых рассматривались текущие тенденции и особенности применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущих частях цикла речь шла об особенностях этих полупроводниковых приборов, их перспективах и тех преимуществах, которые дает их использование, в том числе в узлах современного электрического транспорт...

Управление SiC MOSFET с помощью драйверов затвора с оптической развязкой ACPL-W346 и ACPL-339J

В статье описаны основные принципы использования драйверов затворов с оптической развязкой для управления MOSFET из карбида кремния.

Повышающий 60-кВт преобразователь с чередованием фаз на SiC MOSFET от Wolfspeed

Компания Wolfspeed выпустила референс-дизайн повышающего 60-кВт преобразователя с чередованием фаз на основе SiC-МОП-транзисторов 1200 В 75 мОм — CRD-60DD12N. Характеристики повышающего преобразователя: демонстрирует работу SiC MOSFET 1200 В 75 мОм Wolfspeed поколения C3M в повышающем 60-кВт преобразователе в режиме чередования фаз; преобразователь состоит из четырех уровней по 15 кВт, на каждом из которых используется драйвер затвора MOSFET CGD15SG00D2; напряжение на входе 470–800 В DC, 850 В DC на выходе с пиковым КПД 99,5% и удельной мощностью 127 Вт/дюйм3; документация включает ...

Вы за SiC или кремний?
Часть 5. SiC-транзисторы сверхвысокого рабочего напряжения и суперкаскоды

Это пятая публикация, продолжающая цикл из шести статей, в которых рассматриваются текущие тенденции и особенности применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущей части цикла описаны перспективы и преимущества использования карбид-кремниевых транзисторов в узлах современного электрического транспортного средства. Теперь речь пойдет о суперкаскодных SiC-транзи...

Установка для тестирования SiC MOSFET методом двойного импульса

В статье описывается испытательная установка, предназначенная для тестирования характеристик SiC MOSFET методом двойного импульса. Установка представляет собой классический «двухимпульсный» тестер, содержащий все необходимые компоненты, размещенные на одной печатной плате, и обеспечивающий повторяемость измерений. Фотография приспособления показана на рис. 1.