Пожалуй, самый фундаментальный вопрос, касающийся этой проблемы, заключается в следующем: зачем нужно параллельное соединение модулей? В чем преимущество двух параллельных 200-A ключей перед одним на 400 A: почему бы просто не использовать один 400-А модуль? На коммерческом рынке в классе 1200 В IGBT-модули доступны в различных корпусах и диапазоне токов вплоть до 3600 А. 
Рассмотрены ключевые преимущества модернизированных IGBT-модулей и силовых диодных сборок специального и общего назначения, а также дальнейшие пути развития номенклатуры изделий силовой электроники производства АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ». 
Сегодня чаще чем когда-либо разработчики выбирают карбидокремниевые приборы (SiC) за их высокую эффективность, плотность мощности и лучшую экономическую эффективность на системном уровне по сравнению с кремниевыми (Si) компонентами. Помимо знания основных принципов проектирования, общих для SiC и Si, а также необходимости учитывать особенности характеристик, возможностей и преимуществ SiC, спец... 
В статье рассказывается о том, как облегчить разработку устройств на основе SiC с помощью симулятора SpeedFit 2.0.
В связи с растущим спросом (рис. 1) на энергию для широкого спектра применений, включая производство электроэнергии, ее хранение и транспортировку, возникает необходимость в создании более эффективных систем преобразования и управления, обеспечивающих будущее энергетических систем. Соответственно, растет потребность в более компактных и мощных силовых модулях, способных работать при высоких тем... 
Все более широкое применение высокотехнологичных SiC MOSFET- и GaN-транзисторов в современной преобразовательной технике устанавливает новые жесткие требования по надежности и эффективности не только к драйверам затвора, но и к организации питания для этих драйверов. В статье речь пойдет о 6-Вт вспомогательном сверхкомпактном изолированном источнике питания, построенном на базе нового трансформ... 
Компания Wolfspeed выпустила референс-дизайн двунаправленного бортового зарядного устройства электромобилей 6,6 кВт на SiC-МОП транзисторах 1000 В 65 мОм — CRD-06600FF10N.
Основные характеристики зарядного устройства:
демонстрирует работу SiC MOSFET 1000 В 65 мОм Wolfspeed поколения C3M в двунаправленном бортовом зарядном устройстве электромобилей 6,6 кВт;
плата состоит из двунаправленного ККМ (AC/DC) топологии Totem-Pole и изолированного двунаправленного DC/DC топологии CLLC с варьируемым напряжением DC-звена;
плата поддерживает диапазон входного напряжения 90–265 В (AC) и 250–450 В ... 
В статье рассказывается о преимуществах карбида кремния (SiC) и приборов на его основе по отношению к кремнию (Si). 
Это шестая, последняя статья, завершающая цикл статей [1], в которых рассматривались текущие тенденции и особенности применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущих частях цикла речь шла об особенностях этих полупроводниковых приборов, их перспективах и тех преимуществах, которые дает их использование, в том числе в узлах современного электрического транспорт... 
В статье описаны основные принципы использования драйверов затворов с оптической развязкой для управления MOSFET из карбида кремния. 