Рассмотрены ключевые преимущества модернизированных IGBT-модулей и силовых диодных сборок специального и общего назначения, а также дальнейшие пути развития номенклатуры изделий силовой электроники производства АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ». 
Сегодня чаще чем когда-либо разработчики выбирают карбидокремниевые приборы (SiC) за их высокую эффективность, плотность мощности и лучшую экономическую эффективность на системном уровне по сравнению с кремниевыми (Si) компонентами. Помимо знания основных принципов проектирования, общих для SiC и Si, а также необходимости учитывать особенности характеристик, возможностей и преимуществ SiC, спец... 
В статье рассказывается о том, как облегчить разработку устройств на основе SiC с помощью симулятора SpeedFit 2.0.
В связи с растущим спросом (рис. 1) на энергию для широкого спектра применений, включая производство электроэнергии, ее хранение и транспортировку, возникает необходимость в создании более эффективных систем преобразования и управления, обеспечивающих будущее энергетических систем. Соответственно, растет потребность в более компактных и мощных силовых модулях, способных работать при высоких тем... 
Все более широкое применение высокотехнологичных SiC MOSFET- и GaN-транзисторов в современной преобразовательной технике устанавливает новые жесткие требования по надежности и эффективности не только к драйверам затвора, но и к организации питания для этих драйверов. В статье речь пойдет о 6-Вт вспомогательном сверхкомпактном изолированном источнике питания, построенном на базе нового трансформ... 
Компания Wolfspeed выпустила референс-дизайн двунаправленного бортового зарядного устройства электромобилей 6,6 кВт на SiC-МОП транзисторах 1000 В 65 мОм — CRD-06600FF10N.
Основные характеристики зарядного устройства:
демонстрирует работу SiC MOSFET 1000 В 65 мОм Wolfspeed поколения C3M в двунаправленном бортовом зарядном устройстве электромобилей 6,6 кВт;
плата состоит из двунаправленного ККМ (AC/DC) топологии Totem-Pole и изолированного двунаправленного DC/DC топологии CLLC с варьируемым напряжением DC-звена;
плата поддерживает диапазон входного напряжения 90–265 В (AC) и 250–450 В ... 
В статье рассказывается о преимуществах карбида кремния (SiC) и приборов на его основе по отношению к кремнию (Si). 
Это шестая, последняя статья, завершающая цикл статей [1], в которых рассматривались текущие тенденции и особенности применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущих частях цикла речь шла об особенностях этих полупроводниковых приборов, их перспективах и тех преимуществах, которые дает их использование, в том числе в узлах современного электрического транспорт... 
В статье описаны основные принципы использования драйверов затворов с оптической развязкой для управления MOSFET из карбида кремния. 
Компания Wolfspeed выпустила референс-дизайн повышающего 60-кВт преобразователя с чередованием фаз на основе SiC-МОП-транзисторов 1200 В 75 мОм — CRD-60DD12N.
Характеристики повышающего преобразователя:
демонстрирует работу SiC MOSFET 1200 В 75 мОм Wolfspeed поколения C3M в повышающем 60-кВт преобразователе в режиме чередования фаз;
преобразователь состоит из четырех уровней по 15 кВт, на каждом из которых используется драйвер затвора MOSFET CGD15SG00D2;
напряжение на входе 470–800 В DC, 850 В DC на выходе с пиковым КПД 99,5% и удельной мощностью 127 Вт/дюйм3;
документация включает ... 
