Управление SiC MOSFET с помощью драйверов затвора с оптической развязкой ACPL-W346 и ACPL-339J
В статье описаны основные принципы использования драйверов затворов с оптической развязкой для управления MOSFET из карбида кремния. SiC
В статье описаны основные принципы использования драйверов затворов с оптической развязкой для управления MOSFET из карбида кремния. Повышающий 60-кВт преобразователь с чередованием фаз на SiC MOSFET от Wolfspeed
Компания Wolfspeed выпустила референс-дизайн повышающего 60-кВт преобразователя с чередованием фаз на основе SiC-МОП-транзисторов 1200 В 75 мОм — CRD-60DD12N.
Характеристики повышающего преобразователя:
демонстрирует работу SiC MOSFET 1200 В 75 мОм Wolfspeed поколения C3M в повышающем 60-кВт преобразователе в режиме чередования фаз;
преобразователь состоит из четырех уровней по 15 кВт, на каждом из которых используется драйвер затвора MOSFET CGD15SG00D2;
напряжение на входе 470–800 В DC, 850 В DC на выходе с пиковым КПД 99,5% и удельной мощностью 127 Вт/дюйм3;
документация включает ... Вы за SiC или кремний?
Часть 5. SiC-транзисторы сверхвысокого рабочего напряжения и суперкаскоды
Это пятая публикация, продолжающая цикл из шести статей, в которых рассматриваются текущие тенденции и особенности применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущей части цикла описаны перспективы и преимущества использования карбид-кремниевых транзисторов в узлах современного электрического транспортного средства. Теперь речь пойдет о суперкаскодных SiC-транзи... Установка для тестирования SiC MOSFET методом двойного импульса
В статье описывается испытательная установка, предназначенная для тестирования характеристик SiC MOSFET методом двойного импульса. Установка представляет собой классический «двухимпульсный» тестер, содержащий все необходимые компоненты, размещенные на одной печатной плате, и обеспечивающий повторяемость измерений. Фотография приспособления показана на рис. 1. Переключатели на основе карбида кремния (SiC): характеристики, преимущества и применение
Уже несколько лет широкозонные полупроводники остаются популярной темой, они по праву перешли из категории технологий будущего в категорию крупного рыночного сегмента, их прогнозируемый прирост на рынке — 33,4% CAGR в течение следующих пяти лет и достижение $1,82 млрд до 2024 года [1]. Широкозонные устройства изготавливаются с помощью либо карбида кремния (SiC), либо нитрида галлия (GaN). До на... Вы за SiC или кремний? Часть 4. Как создать лучшие тяговые инверторы для электромобиля? Ответ: использовать SiC!
Это четвертая публикация, продолжающая цикл из шести статей [1], в которых рассматриваются текущие тенденции применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущей части цикла были описаны перспективы и преимущества использования карбид-кремниевых транзисторов в двух основных узлах современного электрического транспортного средства — встроенном зарядном устройстве и... Мощные SiC-MOSFET-модули в компактном корпусе нового поколения от японской компании SanRex
Огромный толчок в развитии современной преобразовательной техники произошел благодаря внедрению в массовое производство полупроводниковых материалов на основе карбида кремния, использование которого позволяет выйти устройствам на новый уровень за счет улучшения энергетических качеств, увеличения КПД и удельной мощности, а также уменьшения массогабаритных показателей. В статье рассмотрены решени... Вы за SiC или кремний?
Часть 3. Тенденции в применении SiC в электромобилях
Это третья публикация, продолжающая цикл из шести статей [1], в которых рассматриваются текущие тенденции применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). Цель цикла — предоставить систематизированные общие сведения по этой относительно новой, но уже вполне заслуженно завоевывающей популярность технологии и областях ее применения. Первая и вторая части цикла в авторском пе... Оптимизация частотных свойств кремниевых IGBT, предназначенных для работы с SiC-диодами Шоттки в гибридных модулях
Предложен метод определения оптимальных характеристик кристаллов кремниевых быстрых IGBT, предназначенных для совместной работы с SiC SBD в гибридных модулях. Найдены оптимальные дозы протонного облучения и определены оптимальные статические и динамические характеристики 1200 В IGBТ для гибридных модулей, комплектующих DC/DC-конвертеры с рабочей частотой преобразования до 50 кГц. Новые SiC-модули XM3 — для снижения размеров, веса и стоимости силовых преобразователей
Постоянно разрабатывая новые стандарты оптимизированных конструктивов SiC-компонентов, Wolfspeed предлагает новую модульную платформу XM3 для приложений мощностью 100–300 кВт, обеспечивающую лучшую в своем классе плотность мощности.