Рассмотрены ключевые преимущества модернизированных IGBT-модулей и силовых диодных сборок специального и общего назначения, а также дальнейшие пути развития номенклатуры изделий силовой электроники производства АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ». 
Проведено экспериментальное исследование влияния параметра dV/dt на пробой SiC-диодов Шоттки производства ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» при подаче импульса обратного напряжения. Исследование проведено с помощью разработанного отечественного тестера, позволяющего генерировать импульсы с величиной dV/dt = 50–200 В/нс. Установлено, что серийно выпускаемые и вновь создававаемые SiC-диоды Шоттки ЗАО «ГРУП... 
ГК «КРЕМНИЙ Эл» приступила к серийному выпуску транзисторов категории качества «ВП» 2Т228_9–2Т235_9, полных аналогов импортных компонентов серий ВС8хх.
Изделия предназначены для применения в аппаратуре спецназначения и соответствуют следующим уровням стойкости к СВВФ: 7.И6 — 4Ус, 7.И7 — 0,7×5Ус, 7.С4 — 5Ус, 7.К1 — 2К, 7.К4 — 1К, 7.К11 (7.К12) — 60 МэВ•см2/мг.
Ключевые параметры:
UКЭ0гр = 30–65 В;
IКmax = 0,1–0,5 А.
www.group-kremny.ru 
В статье приводится описание одного подхода к решению проблем, связанных с измерениями электрических параметров, классификации и электрических испытаний кристаллов IGBT и FRD. Описан технологический маршрут классификации разделенных кристаллов, который позволяет реализовать высоковольтные и сильноточные электрические режимы и контролировать не только статические параметры, но оценивать и измеря... 
