Во втором номере журнала «Силовая электроника» 2018 года была опубликована статья о новейшей разработке компании на то время — полумостовых модулях напряжением 3,3 кВ на основе карбида кремния (SiC), рассчитанных на тяговые применения [1]. Сейчас, всего год спустя, технологии в области SiC продвинулись существенно дальше — завершается разработка кристаллов на 6,5 кВ. В данной статье представлен... 
Широкое внедрение SiC-технологии ограничено не только высокой стоимостью, но и рядом технических особенностей. Замена традиционных типов кремниевых транзисторов на карбидокремниевые достаточно сложная задача, поэтому необходим тщательный анализ целесообразности использования SiC-ключей в каждом конкретном устройстве.
По затворным характеристикам SiC MOSFET заметно отличаются от хорошо изученны... 
Компания «Мицубиси Электрик» примет участие в деловой программе выставки «Электроника-Транспорт 2021»с техническим семинаром на тему «Новая линейка силовых Si и SiC транзисторных модулей в корпусах LV100 для тяговых применений». Семинар посвящен новой серии силовых модулей на основе кремния и карбида кремния, разработанной компанией «Мицубиси Электрик» специально для транспортных применений.
Семинар состоится 13 мая с 14:00 до 15:00 в зале А.
«Электроника-Транспорт 2021» — международная выставка информационных технологий и электроники для пассажирского транспорта и транспортной ... 
Три технологических фактора, оказывающих влияние на рынок, одновременно создают возможность для SiC MOSFET стать основным типом силовых ключей в электромобилях с батарейным питанием (BEV). Совершенствование тяговых приводов BEV, в которых применение SiC-технологии позволяет снизить потери инвертора до ~78% в цикле EPA, предлагает разработчикам таких систем увеличение пробега или снижение цены б... 
Новый модуль Wolfspeed удовлетворяет требованиям по надежности для силовых преобразовательных систем в возобновляемой энергетике и на транспорте. 
Бурно развивающаяся в настоящее время технология изготовления полупроводниковых силовых транзисторов на основе карбида кремния (SiC) связана с очень высокими частотами переключения, что, собственно, и приводит разработчиков к возможности проектирования и изготовления их с использованием компактных преобразователей и приводов. В статье основное внимание уделяется особенностям поведения SiC МОП-т... 
Необходимы прогрессивные решения на системном уровне, призывает Гай Мокси, директор Wolfspeed, чтобы реализовать преимущества, которые обеспечивают приборы на основе карбида кремния (SiC) для проектирования устройств силовой электроники. 
В статье рассмотрены особенности оптронов для управления затвором транзисторов компании Avago Technologies, используемых для надежного управления и защиты карбид-кремниевых MOSFET, которые находят все более широкое применение на рынке силовых полупроводников. 
На рынке в течение многих лет ходят разговоры о концепциях и планах по выпуску широкозонных приборов, обладающих массой новых возможностей. Тем не менее вы не можете сделать что-либо на базе презентации PowerPoint или предварительной спецификации. Эта статья подтверждает тот факт, что компания Wolfspeed вышла далеко за рамки любой шумихи, разговоров и поддельных новостей и стала пионером широко... 
Появление технологий SiC и GaN привело к революционным изменениям в силовой электронной промышленности. Использование этих новых материалов позволяет значительно повысить эффективность всей преобразовательной системы, что было немыслимо еще несколько лет назад.
В реальном мире не существует электронных ключей с идеальной коммутационной характеристикой, однако появляются новые классы полупровод... 
