Особенности управления SiC MOSFET

Широкое внедрение SiC-технологии ограничено не только высокой стоимостью, но и рядом технических особенностей. Замена традиционных типов кремниевых транзисторов на карбидокремниевые достаточно сложная задача, поэтому необходим тщательный анализ целесообразности использования SiC-ключей в каждом конкретном устройстве. По затворным характеристикам SiC MOSFET заметно отличаются от хорошо изученны...

Семинар «Мицубиси Электрик» на тему «Новая линейка силовых Si и SiC транзисторных модулей в корпусах LV100 для тяговых применений»

Компания «Мицубиси Электрик» примет участие в деловой программе выставки «Электроника-Транспорт 2021»с техническим семинаром на тему «Новая линейка силовых Si и SiC транзисторных модулей в корпусах LV100 для тяговых применений». Семинар посвящен новой серии силовых модулей на основе кремния и карбида кремния, разработанной компанией «Мицубиси Электрик» специально для транспортных применений. Семинар состоится 13 мая с 14:00 до 15:00 в зале А. «Электроника-Транспорт 2021» — международная выставка информационных технологий и электроники для пассажирского транспорта и транспортной ...

Транзисторы SiC MOSFET со сверхнизким сопротивлением канала в приводах электромобилей

Три технологических фактора, оказывающих влияние на рынок, одновременно создают возможность для SiC MOSFET стать основным типом силовых ключей в электромобилях с батарейным питанием (BEV). Совершенствование тяговых приводов BEV, в которых применение SiC-технологии позволяет снизить потери инвертора до ~78% в цикле EPA, предлагает разработчикам таких систем увеличение пробега или снижение цены б...

SiC-приборы готовы к применению в жестких условиях окружающей среды

Новый модуль Wolfspeed удовлетворяет требованиям по надежности для силовых преобразовательных систем в возобновляемой энергетике и на транспорте.

Коммутационные возможности 750 A/3300 В сдвоенных SiC-модулей

Бурно развивающаяся в настоящее время технология изготовления полупроводниковых силовых транзисторов на основе карбида кремния (SiC) связана с очень высокими частотами переключения, что, собственно, и приводит разработчиков к возможности проектирования и изготовления их с использованием компактных преобразователей и приводов. В статье основное внимание уделяется особенностям поведения SiC МОП-т...

SiC силовые приборы: прорыв на системном уровне

Необходимы прогрессивные решения на системном уровне, призывает Гай Мокси, директор Wolfspeed, чтобы реализовать преимущества, которые обеспечивают приборы на основе карбида кремния (SiC) для проектирования устройств силовой электроники.

Оптроны для управления затвором карбид-кремниевых MOSFET

В статье рассмотрены особенности оптронов для управления затвором транзисторов компании Avago Technologies, используемых для надежного управления и защиты карбид-кремниевых MOSFET, которые находят все более широкое применение на рынке силовых полупроводников.

Ускоряем освоение SiC-технологии в силовой электронике

На рынке в течение многих лет ходят разговоры о концепциях и планах по выпуску широкозонных приборов, обладающих массой новых возможностей. Тем не менее вы не можете сделать что-либо на базе презентации PowerPoint или предварительной спецификации. Эта статья подтверждает тот факт, что компания Wolfspeed вышла далеко за рамки любой шумихи, разговоров и поддельных новостей и стала пионером широко...

Проектировщики систем с применением SiC и GaN больше не работают вслепую

Появление технологий SiC и GaN привело к революционным изменениям в силовой электронной промышленности. Использование этих новых материалов позволяет значительно повысить эффективность всей преобразовательной системы, что было немыслимо еще несколько лет назад. В реальном мире не существует электронных ключей с идеальной коммутационной характеристикой, однако появляются новые классы полупровод...

Инвертор 250 кВт на основе SiC силового модуля Wolfspeed с индуктивностью 5,5 нГн

В статье описан прототип инвертора мощностью 250 кВт, разработанный с применением карбидокремниевых (SiC) высокоскоростных, низкоиндуктивных силовых модулей. Он использован для демонстрации динамических свойств DC-шины, определяемых соотношением паразитных параметров контура коммутации и динамики переключения. Взаимодействие распределенных элементов структуры DC-шины и динамики коммутации в диа...