Преимущества 1200-В карбид-кремниевых диодов Шоттки с совмещенными p-n-переходами (MPS)

Современные однофазные и трехфазные инверторы солнечных батарей, источники бесперебойного питания или приложения для накопления энергии отличаются повышенными требованиями в части высокой эффективности, компактности их конструкций и длительной надежности. Однако возможности реализации инверторов для таких приложений ограничены высокими динамическими потерями кремниевых полупроводниковых приборо...

В России выращен монокристалл карбида методом высокотемпературной сублимации

В Саранске завершились приемо-сдаточные испытания инженерных систем и технологического оборудования Лаборатории объемного синтеза монокристаллов карбида кремния в МГУ им. Н. П. Огарева, расположенной на территории АУ «Технопарк Мордовия». В рамках проведения испытаний впервые в России был выращен монокристалл карбида кремния 4Н политипа (4Н-SiC) диаметром 100 мм (4”) методом высокотемпературной сублимации с использованием индукционного нагрева, а также монокристалл кремния (Si) диаметром около 100 мм и длиной 180 мм (цилиндрическая часть). Карбид кремния — перспективный материал для создания ...

Si, GaAs, SiC, GaN — силовая электроника. Сравнение, новые возможности

В статье изложены предпосылки для создания в России мощной инновационной технологической программы и инфраструктуры в области ультрасовременных энергосберегающих технологий на базе силовой электроники. Материал имеет цель в том числе привлечь внимание руководителей ГК «Роснанотех», ГК «Ростехнологии», Комитета по науке и наукоемким технологиям Государственной Думы РФ, инновационного центра «Ско...

Чем заменить SiC-диоды Шоттки?

На вопрос, применяет ли он SiC-диоды Шоттки, разработчик аппаратуры из Чебоксар ответил неожиданно мрачно: «Горят, как спички. Использую импортные кремниевые UFRED HFA08TB120». В полемику никто не вступал, так как никто не сомневается, что широкозонные полупроводники будут доминировать и почти вытеснят кремний к 2025–2030 гг., как это произошло с германием. Но есть варианты и на переходный пери...

Применение карбид-кремниевых силовых диодов Шоттки в IGBT-инверторах с жестким переключением

В статье рассмотрены вопросы применения карбид-кремниевых диодов Шоттки в качестве антипараллельных в инверторах с жестким переключением. Приведены экспериментальные результаты измерений составляющих потерь, прогнозы развития данного направления.