Разработан интеллектуальный транзистор

«Изюминкой» нового, революционного транзистора, является его способность динамически переключаться во время работы для выполнения разных логических задач. Это свойство открывает новые возможности проектирования микросхем и в области искусственного интеллект и нейронных сетей.

Для того чтобы создать новый адаптивный транзистор ученые из венского «Технического Университета» использовали германий вместо традиционного кремния (кстати, каталог транзисторов по ссылке). В новом транзисторе совершенно иначе происходит перемещение носителей. Два электрода транзистора соединяются чрезвычайно тонкой германиевой проволокой. Над германиевой областью располагается электрод затвора, такой же, как и в обычных кремниевых транзисторах.

Новшеством, качественно изменившим традиционный транзистор, служит дополнительный управляющий электрод, расположенный на границе германия и металла. Этот электрод и программирует работу транзистора. Разработчики новинки использовали эффект отрицательного дифференциального сопротивления, которым обладает германий: при подаче напряжения ток сначала возрастает, но достигнув определенного порога начинает уменьшаться. Величина порогового напряжения регулируется управляющим электродом.

Новый транзистор позволяет переключать, например, элемент NAND на элемент NOR. По утверждению профессора Вальтера Вебера, руководителя группы разработчиков новинки, арифметические операции, для которых требуется 160 традиционных транзисторов, могут быть выполнены с помощь 24 адаптивных транзисторов.

Для начала производства новых транзисторов не потребуется новых производственных процессов, поэтому их внедрение может произойти довольно быстро. Авторы новинки не стремятся заменить хорошо зарекомендовавшую себя технологию кремниевых транзисторов. Они полагают, что интеллектуальны транзисторы будут встраиваться в компьютерные чипы в качестве дополнения, для придания чипам новых свойств.