SiC-диоды Шоттки: снижение потерь в режиме жесткой коммутации

Замена кремниевых сверхбыстрых (Ultrafast) Si-диодов с плавной характеристикой восстановления, используемых в качестве оппозитных IGBT в режиме жесткой коммутации, на карбидокремниевые диоды Шоттки (SiC Schottky) позволяет снизить коммутационные потери в диоде на 80% и в IGBT на 50%.

Перечень статей, опубликованных в журнале «Силовая электроника» в 2017 году

Рынок SWEET 2017 в Корее. Валерий Мелешин. №3, стр. 4.   Силовая элементная база Приборы учета электроэнергии для умных электросетей с дезагрегацией и разъемными трансформаторами тока LEM серии ATO. Патрик Шулер (Patrick Schuler). №1, стр. 4. О «феноменальном» поведении диодов. Арендт Винтрих (Arendt Wintrich), Ульрих Николаи (Ulrich Nicolai), Вернер Турски (Werner Tursky), Тобиас Рейман (Tobias Reimann). Перевод и комментарии: Андрей Колпаков. №1, стр. 8. 1800 A/3,3 кВ IGBT-модуль с пазовой структурой затвора Advanced Trench HiGT и оптимизированной конструкцией. Такаюки Кусима ...