Высоковольтный SiC MOSFET на 3300 В от AMG Power в корпусе TO-247-4

Компания AMG Power дополнила линейку силовых компонентов SiC MOSFET транзистором A2G50N3300MT4 в стандартном корпусе TO-247-4. Устройство способно повысить плотность мощности без ущерба для надежности.

Максимальный продолжительный ток 50 А и увеличенное до 3300 В напряжение сток-исток позволяют использовать транзистор A2G50N3300MT4 в компактных высоконадежных системах преобразования солнечной энергии, высоковольтных преобразователях постоянного тока, в том числе железнодорожного и подземного транспорта, промышленных источниках питания.

Благодаря применению SiC-технологии, потери на переключение и проводимость минимизируются, что значительно сокращает тепловыделение. Таким образом, удается отказаться от громоздких систем активного охлаждения и использовать естественное охлаждение без увеличения размеров устройства, сохраняя его компактность и эффективность.

Основные особенности A2G50N3300MT4:

• корпус стандарта TO-247-4;
• высокое запирающее напряжение при низком сопротивлении в открытом состоянии (R_{DS_on});
• сверхнизкие потери, работа на повышенных частотах;
• нулевые потери на обратное восстановление диода;
• нормально выключенное состояние, отказоустойчивая работа устройства.