CoolSiC MOSFET в приводах: доказанная эффективность
В статье приводятся преимущества силовых SiC-ключей по сравнению с традиционными IGBT в приводных применениях. MOSFET
В статье приводятся преимущества силовых SiC-ключей по сравнению с традиционными IGBT в приводных применениях. Преимущества нового поколения SiC MOSFET в системах высокой мощности
Появление фотооптических инверторов (PV) и электромобилей (EV) обусловило растущие требования по повышению плотности мощности и эффективности силовых преобразователей. Карбид кремния (SiC) является основным кандидатом для решения этой задачи, поэтому он остается объектом растущего интереса в течение последнего десятилетия. Повышающий преобразователь является неотъемлемой частью большинства прео... Создание карбида кремния.
Повышение плотности мощности и эффективности
Процесс изготовления SiC-подложек подробно описан в первой части статьи («Силовая электроника», №4'2017, с. 4), возможные структуры SiC-приборов были предметом обсуждения во второй части («Силовая электроника», №5'2017, с. 14). Третья часть серии статей посвящена особенностям готовой продукции. Эффективный ККМ, выполненный с применением МК по принципу двухфазной модуляции тока.
Сравнение с решением на базе SiC MOSFET
Эффективность мощных (3 кВт и более) AC/DC-преобразователей с корректором коэффициента мощности (ККМ) является важным фактором, который, в свою очередь, зависит от многих аспектов проектирования, включающих отведение тепла, размеры конструкции и принципы охлаждения. Соображения экономики также вносят свой вклад, являясь формой участия конечного заказчика в процессе проектирования. Технологическ... Обзор современных изолированных драйверов затворов MOSFET/IGBT
Мощные полевые МОП-транзисторы MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) и биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) являются одними из основных элементов современной силовой электроники и используются для коммутации больших токов и напряжений.
Для согласования низковольтных логических управляющих сигналов контроллера с уровнями у... Неидентичность
В статье приведено решение реальной технической задачи в компании Samsung Electronics. Динамические и статические характеристики SiC MOSFET при параллельном включении
Нюансы, связанные с параллельной работой высокоскоростных приборов SiC MOSFET, по сравнению с кремниевыми ключами исследованы очень слабо. В статье рассматриваются особенности параллельного включения карбидокремниевых (SiC) полевых транзисторов. Изучаются параметры, влияющие на статическое и динамическое распределение токов данных устройств, исследована зависимость этих параметров от температур... Новое поколение преобразовательных систем на основе карбидокремниевых силовых ключей
Мировая экономика имеет несомненный выигрыш от технологических инноваций и непрерывного совершенствования высоко интегрированных и надежных преобразовательных систем. Однако недостатком этого процесса являются более высокие энергетические затраты и негативные экологические эффекты, связанные с освоением и выпуском продуктов, потребляющих большее количество энергии. Новые MOSFET от Infineon Technologies
В январе текущего года была завершена сделка по приобретению американской компании International Rectifier (IR) крупнейшим немецким производителем силовых полупроводниковых приборов Infineon Technologies AG. Эскизы контуров силовой электроники середины текущего века
Посвящается памяти нашего друга, коллеги, ученого, профессионала высочайшего уровня, одного из основателей отечественной силовой электроники — А. Н. Думаневича.