Реклама

MOSFET

Полный карбид-кремниевый MOSFET-модуль на 3,3 кВ: новый класс эффективности тяговых инверторов
Компания «Мицубиси Электрик» представляет новый силовой модуль на карбидкремниевых кристаллах диодов и транзисторов (Full SiC) с блокирующим напряжением 3,3 кВ и номинальным током 750 А. Устройство выходит на рынок в новейшем типоразмере корпуса LV100 [5], особенно подходящем для использования в тяговых инверторах и модульных конструкциях преобразователей. В статье приведены основные характерис...

31.07.2020 | Компоненты силовой электроники, MOSFET, SiC
Метки:
Оставить комментарий

CoolSiC MOSFET в приводах: доказанная эффективность
В статье приводятся преимущества силовых SiC-ключей по сравнению с традиционными IGBT в приводных применениях.

19.07.2020 | Электроприводы, MOSFET, SiC
Метки:
Оставить комментарий

Преимущества нового поколения SiC MOSFET в системах высокой мощности
Появление фотооптических инверторов (PV) и электромобилей (EV) обусловило растущие требования по повышению плотности мощности и эффективности силовых преобразователей. Карбид кремния (SiC) является основным кандидатом для решения этой задачи, поэтому он остается объектом растущего интереса в течение последнего десятилетия. Повышающий преобразователь является неотъемлемой частью большинства прео...

12.07.2020 | Разработка, Компоненты силовой электроники, Источники питания, MOSFET, SiC
Метки:
Оставить комментарий

Создание карбида кремния.
Повышение плотности мощности и эффективности
Процесс изготовления SiC-подложек подробно описан в первой части статьи («Силовая электроника», №4'2017, с. 4), возможные структуры SiC-приборов были предметом обсуждения во второй части («Силовая электроника», №5'2017, с. 14). Третья часть серии статей посвящена особенностям готовой продукции.

07.07.2020 | Компоненты силовой электроники, MOSFET, SiC
Метки:
Оставить комментарий

Эффективный ККМ, выполненный с применением МК по принципу двухфазной модуляции тока.
Сравнение с решением на базе SiC MOSFET
Эффективность мощных (3 кВт и более) AC/DC-преобразователей с корректором коэффициента мощности (ККМ) является важным фактором, который, в свою очередь, зависит от многих аспектов проектирования, включающих отведение тепла, размеры конструкции и принципы охлаждения. Соображения экономики также вносят свой вклад, являясь формой участия конечного заказчика в процессе проектирования. Технологическ...

02.07.2020 | Разработка, Источники питания, MOSFET, SiC
Метки:
Оставить комментарий

Обзор современных изолированных драйверов затворов MOSFET/IGBT
Мощные полевые МОП-транзисторы MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) и биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) являются одними из основных элементов современной силовой электроники и используются для коммутации больших токов и напряжений. Для согласования низковольтных логических управляющих сигналов контроллера с уровнями у...

06.06.2020 | Компоненты силовой электроники, MOSFET, IGBT, Драйверы IGBT
Оставить комментарий

Неидентичность
В статье приведено решение реальной технической задачи в компании Samsung Electronics.

25.05.2020 | Компоненты силовой электроники, MOSFET, Технологии
Оставить комментарий

Динамические и статические характеристики SiC MOSFET при параллельном включении
Нюансы, связанные с параллельной работой высокоскоростных приборов SiC MOSFET, по сравнению с кремниевыми ключами исследованы очень слабо. В статье рассматриваются особенности параллельного включения карбидокремниевых (SiC) полевых транзисторов. Изучаются параметры, влияющие на статическое и динамическое распределение токов данных устройств, исследована зависимость этих параметров от температур...

10.04.2020 | Компоненты силовой электроники, MOSFET, SiC
Метки:
Оставить комментарий

Новое поколение преобразовательных систем на основе карбидокремниевых силовых ключей
Мировая экономика имеет несомненный выигрыш от технологических инноваций и непрерывного совершенствования высоко интегрированных и надежных преобразовательных систем. Однако недостатком этого процесса являются более высокие энергетические затраты и негативные экологические эффекты, связанные с освоением и выпуском продуктов, потребляющих большее количество энергии.

09.04.2020 | Компоненты силовой электроники, MOSFET, Технологии, SiC
Метки:
Оставить комментарий

Новые MOSFET от Infineon Technologies
В январе текущего года была завершена сделка по приобретению американской компании International Rectifier (IR) крупнейшим немецким производителем силовых полупроводниковых приборов Infineon Technologies AG.

19.03.2020 | Компоненты силовой электроники, MOSFET, GaN
Метки: ,
Оставить комментарий

Наши журналы:
© Copyright 2026 Силовая электроника