На сегодняшний день основную часть производимых силовых транзисторов составляют устройства со структурой металл-окисел-полупроводник (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET). Полевые транзисторы MOSFET выпускают многие крупные компании, в том числе и Philips Semiconductors. 
В статье рассматриваются вопросы выбора ключевых полупроводниковых приборов для преобразователей напряжения. Приводится методика быстрого оценочного расчета потерь в инверторах и оценка эффективности применения перспективных силовых транзисторов. 
Основная проблема при параллельном включении MOSFET полевых транзисторов — возникновение паразитных колебаний. В статье рассмотрены причины возникновения паразитных колебаний в полевых транзисторах компании Advanced Power Technology, исследованы методы их устранения и доказано, что добавление к базе транзистора индуктивности типа ферритового цилиндра (Ferrite bead) является наиболее оптимальным... 
Начало статьи.
Устойчивость полевого транзистора CoolMOS к лавинному процессу
Как и обычные MOSFET, полевые транзисторы CoolMOS устойчивы к лавинному процессу. Но по некоторым характеристикам они отличаются от обычных MOSFET, благодаря необычной структуре дрейфовой области, которая обеспечивает пятикратное уменьшение сопротивления кристалла в открытом состоянии для транзисторов на 600 В. На рис. 12 показано типичное напряжение лавинного пробоя в зависимости от температуры и плотности тока для CoolMOS полевого транзисторов на 600 В. Здесь температурный коэффициент напряжения лавинного пробоя ... 
В статье описаны стандартные методы экспериментального исследования лавинного процесса и проблемы, связанные с ним, в импульсных источниках питания, а также характеристики безопасного режима при лавинных процессах в CoolMOS полевых транзисторах. Показано, что хотя транзисторы серии CoolMOS и не велики по размеру кристалла по сравнению с обычными полевми транзисторами MOSFET, но все же обеспеч... 
Основные усилия разработчиков компании SEMIKRON направлены на удовлетворение жесточайшим требованиям, предъявляемым к современным компонентам силовой электроники. Прежде всего, это требования по надежности, энергосбережению и электромагнитной совместимости. Компания SEMIKRON известна в первую очередь благодаря своим уникальным разработкам в области силовых компонентов высокой мощности. Однако в... 
Наличие встроенного датчика тока в ключевом MOSFET силовом транзисторе позволяет эффективно защищать выходные цепи устройств от перегрузок по току и коротких замыканий. При этом повышается надежность прибора и снижается его стоимость, так как отпадает необходимость в использовании мощных токовых шунтов. В данной статье будут рассмотрены ключевые MOSFET силовые транзисторы с датчиком тока произв... 