В статье описаны критерии и особенности выбора полевых транзисторов с учетом особенностей их применения на примере MOSFET компании STMicroelectronics. 
Развитие мощных полевых транзисторов носит беспрецедентный характер. С 70-х годов, когда в СССР были созданы, детально изучены и запущены в серию первые в мире мощные полевые транзисторы, эти приборы превратились из маломощных «недоносков» с высоким входным сопротивлением, во всем остальном уступающих биполярным транзисторам, в мощные приборы с уникально малым (до 0,001 Ом) сопротивлением во вк... 
Компания Vishay запустила в производство новые сдвоенные p-канальные MOSFET по технологии TrenchFET Gen III. Предлагаемые изделия имеют сопротивление открытого канала 54 мОм при напряжении затвора 4,5 В и выполнены в корпусе с габаритами 2,05×2,05 мм.
Технические характеристики:
максимальное напряжение затвор-исток 20 В;
диапазон напряжений на затворе ±8 В;
максимальный ток стока 4,5 А;
величина заряда на затворе 9,5 нКл;
диапазон рабочих температур –55…+150 °C.
Области применения: зарядные и нагрузочные ключи для портативных электронных приборов, DC/DC-преобразователи. 
В статье рассказывается об основах устройства силовых МОП-транзисторов (MOSFET). Рассматриваются различные типы и страктуры МОП-транзисторов, технологии их изготовления. Также приводятся основные способы и принципы применения МОП-транзисторов в силовых устройствах. 
В статье представлены два метода и устройства на их основе для активного управления мощных MOSFET транзисторов, работающих в ключевом режиме. Поставленные цели: уменьшение динамических потерь энергии при управлении главными элементами, ограничение электромагнитного излучения, исключение необходимости использования защитных RC-цепей и повышение надежности эксплуатации мощных MOSFET транзисторов.... 
Компания NXP Semiconductors анонсировала линейку MOSFET-транзисторов в новом компактном корпусе для SMD-монтажа QFN3333, размером всего 3,3×3,3×1 мм. Линейка транзисторов включает в себя 12 элементов. Транзисторы выполнены по технологии шестого поколения Trench 6 и обладают малым сопротивлением канала RDSon 3,6+ мОм и малым зарядом затвора QGD. Эти устройства рассчитаны на рабочие напряжения (VDS) 30–220 В, ток (ID) до 40 А и рабочий диапазон температур –50…150 °C. Комбинация технологии Trench 6 с компактным корпусом QFN3333 обеспечивает бó льшую надежность транзисторов, позволяет уменьшить ... 
Семейство p-канальных MOSFET-транзисторов компании IXYS обладает всеми основными преимуществами сопоставимых n-канальных MOSFET, такими как очень быстрое переключение, управление с помощью уровня напряжения затвора, простота параллельного соединения и высокая температурная стабильность. 
Корпорация IXYS объявила о расширении семейства транзисторов BiMOSFET за счет выпуска новых высоковольтных продуктов. Эти уникальные компоненты призваны увеличить эффективность и надежность высоковольтной аппаратуры с большим током коммутации в промышленном и медицинском оборудовании.
Высоковольтные HV BiMOSFET транзисторы имеют блокирующие напряжение до 3 кВ с током коллектора до 130 А и быстродействующий встроенный диод. Новое семейство может найти применение в коммутаторах переменного напряжения, выключателях, импульсных модуляторах для радаров, импульсных источниках питания, схемах ... 
Одной из основных проблем, с которой часто приходится сталкиваться разработчикам преобразователей частоты, является возникновение сквозного тока в полумостовых каскадах, вызванное ложным отпиранием силового транзистора из-за наличия емкости Миллера в структуре IGBT. В предлагаемой статье анализируются технические и экономические аспекты четырех различных способов подавления эффекта паразитного ... 