Дискретные силовые MOSFET/IGBT-ключи c выводом Кельвина

Рассмотрены характеристики и особенности применения силовых MOSFET- и IGBT-транзисторов в новом дискретном четырехвыводном корпусе ТО-247-4. Использование дополнительного 4-го вывода истока/эмиттера (так называемого отвода Кельвина) позволяет исключить влияние паразитной индуктивности истока/эмиттера транзистора на выходное напряжение драйвера силового ключа и снизить потери при включении, в ко...

Влияние времени включения высоковольтных IGBT-модулей на происходящие в них переходные процессы

В последнее время высоковольтные биполярные транзисторы с изолированным затвором (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor — HVIGBT) все чаще используются в качестве силовых ключей в таких требовательных к надежности областях, как электротранспорт и системы распределения энергии. Для подобного применения необходимы исчерпывающие данные о производительности и ограничениях HVIGBT-транзистор...

4,5-кВ IGBT и диоды для электроэнергетики

Для построения систем передачи энергии, действующих на постоянном токе и при высоком напряжении, создано новое поколение кристаллов IGBT и диодов с рабочим напряжением 4,5 кВ. Эти приборы оптимизированы для функционирования с низкими статическими потерями в сочетании с быстрым включением при коммутации больших токов и напряжений. В кристаллах реализована высокая надежность в режимах короткого з...

Быстродействующие 650-В IGBT-транзисторы для DC/DC-преобразователей на частотах до 200 кГц

Растущие требования к увеличению мощности высоковольтных источников питания и снижению их стоимости заставляют производителей полупроводниковых приборов создавать IGBT-транзисторы, способные действовать на рабочих частотах свыше 100 кГц. Компанией IR была создана технология Punch-Through (PT) с запирающим напряжением 650 В, оптимизированная для работы в DC/DC-преобразователях на частотах до 200...

Силовые 1700-В модули HVIGBT X-серии с превосходной производительностью и высокой надежностью

Высокоэффективные силовые HVIGBT-модули с блокирующим напряжением 1700 В, обеспечивающие надежные решения для железнодорожного транспорта. Для нужд железнодорожного транспорта требуются особо качественные компоненты с высокой эффективностью, особенно это касается преобразовательных приводов, которые должны иметь в своей основе надежные коммутационные устройства, устойчивые к крайне жестким усл...

Модули Dynex IGBT последнего поколения: путь к достижению максимальной эффективности системы

Как ответ на все более настойчивые требования не только со стороны самых различных секторов промышленности, но и со стороны правительств, направленные на стимулирование создания высокоэффективных систем преобразования энергии, полупроводниковая промышленность предлагает оптимизированную силовую электронику, ориентированную именно на повышение надежности и эксплуатационных характеристик конечных...

Затворный резистор. Часть 2

Во второй части статьи, посвященной исследованию сопротивления цепи затвора IGBT- и MOSFET-транзисторов, пойдет речь о практическом способе определения номинала затворного резистора. Заранее следует отметить, что приведенная ниже информация содержит известную долю погрешности, не изобилует формулами и основывается по большей части на практическом опыте. Плюс такого подхода — простота данных и у...

Силовые модули для электрического и гибридного транспорта

В статье представлены два новых силовых модуля Mitsubishi Electric, предназначенных для применения в тяговых силовых инверторах и конвертерах электрических (EV) и гибридных (HEV) транспортных средств.

Press-Pack IGBT для преобразователей большой мощности

Технология Press-Pack IGBT изначально разрабатывалась в качестве решения для приложений большой мощности, где приходится преобразовывать единицы и десятки мегаватт электроэнергии. Выпуск новых Press-Pack IGBT 6,5 кВ позволил существенно расширить потенциальную область применения данной технологии в высоковольтных приложениях за счет снижения числа необходимых компонентов. Высокая надежность и н...

Управление частотными свойствами IGBT на напряжение 1200В с использованием электронного облучения

Представлены результаты экспериментальных исследований возможности управления частотными свойствами IGBT на напряжение 1200 В с инжекционным обогащением производства российских компаний ОАО «Ангстрем» и ОАО «Электровыпрямитель». Показано, что с помощью облучения кристаллов IGBT высокоэнергетичными электронами можно существенно улучшить динамические параметры отечественных IGBT-модулей, расширит...