Компания «Электрум АВ» производит силовые IGBT-модули уже почти пятнадцать лет. За это время менялись технология и конструкции, комплектация и технические характеристики модулей... Заказчик диктовал все более жесткие требования, а значит, необходимо было и постоянное развитие. О путях развития IGBT-модулей и пойдет речь в статье. 
Основными требованиями, предъявляемыми к общепромышленным системам электроприводов и источникам питания, являются высокая надежность, эффективность и большая плотность мощности при конкурентной стоимости. Главный фактор для достижения всех перечисленных свойств — уровень потерь мощности в ключах. Снижение потерь позволяет сократить температуру кристаллов. В результате увеличивается срок службы ... 
В последнее время основными требованиями к IGBT-модулям являются увеличение плотности мощности, высокая эффективность и надежность. Добиться выполнения этих условий помогает новое, седьмое (7G) поколение RC-IGBT-модулей Fuji Electric с современной технологией производства чипа и технологией корпусирования. RC-IGBT седьмого поколения имеют размер чипа на 40% меньше по сравнению с модулями шестог... 
В статье рассмотрены особенности силовых полупроводниковых приборов одного из старейших китайских производителей и разработчиков продуктов силовой электроники. Приведены основные характеристики IGBT, тиристоров и диодов большой мощности, а также силовых модулей и сборок различных конфигураций. 
Требования к современной силовой электронике постоянно ужесточаются. Речь идет как об улучшении электрических характеристик, так и об уменьшении габаритов, снижении стоимости и других показателей. К сожалению, вопрос цены становится все более критичным. Это вынуждает разработчиков постоянно искать новых производителей, способных поставлять качественную продукцию с минимальной наценкой за бренд.... 
АО «Ангстрем», российское предприятие полного цикла по изготовлению силовых полупроводниковых приборов, создало серию силовых модулей с рабочим напряжением 400–6500 В. Модули выпускаются на базе кристаллов полностью собственной разработки и производства, что выгодно отличает их от других аналогов. Предлагается несколько десятков вариантов модулей в разных конфигурациях и корпусах — от стандартн... 
В статье представлены результаты анализа особенностей эксплуатации и причин выходов из строя IGBT-модулей при высоких частотах коммутации. 
В последние годы карбидокремниевые (SiC) MOSFET с рабочим напряжением 1,2 и 1,7 кВ стали реальной альтернативой для проектировщиков силовых конвертеров, в настоящее время использующих транзисторы IGBT. На сегодня большинство «побед» SiC MOSFET принадлежит маломощным преобразователям в диапазоне до 20 кВт, разрабатываемым «с чистого листа». В первую очередь эта тенденция обусловлена необходимост... 
Повышенная тепловая мощность (Tvj,op=+175 °C) IGBT 5-го поколения и контролируемые по эмиттеру диоды (emitter controlled diode) компании Infineon Technologies позволяют увеличить рабочий ток силовых модулей, используемых в инверторных приложениях. 
Непрерывный прогресс в области рабочих характеристик силовых полупроводниковых компонентов порождает потребность в соответствующем усовершенствовании технологий корпусирования. Компания Infineon вот уже более двух десятилетий вносит свой вклад в эту эволюцию. Благодаря анонсированному в 2014 г. 