Реклама

IGBT

Новые силовые SiC-модули обеспечивают большую плотность мощности в меньших габаритах, чем Si IGBT
В связи с растущим спросом (рис. 1) на энергию для широкого спектра применений, включая производство электроэнергии, ее хранение и транспортировку, возникает необходимость в создании более эффективных систем преобразования и управления, обеспечивающих будущее энергетических систем. Соответственно, растет потребность в более компактных и мощных силовых модулях, способных работать при высоких тем...

16.03.2022 | Компоненты силовой электроники, IGBT, SiC
Метки:
Оставить комментарий

Некоторые вопросы эксплуатации IGBT-модулей.
Часть 3. Влияние параметров цепи управления на коммутационные характеристики
Продолжение цикла публикаций [1, 2], в которых рассматриваются особенности эксплуатации IGBT-модулей производства ПАО «Электровыпрямитель». В новой части описаны результаты исследований зависимостей динамических характеристик IGBT-модулей на напряжение 3300 В от параметров цепи управления. Представлен анализ особенностей эксплуатации высоковольтных IGBT-модулей и даны рекомендации по оптимизаци...

14.02.2022 | Компоненты силовой электроники, IGBT
Метки:
Оставить комментарий

Модуль IGBT 7-го поколения серии X для повышения энергосбережения на железнодорожном транспорте
Японская компания Fuji Electric Co., Ltd. сообщает о начале производства модуля HPnC (конструктив силового модуля нового поколения) на базе 7-го поколения IGBT X-серии (биполярный транзистор с изолированным затвором), ориентированного на железнодорожный рынок.

11.02.2022 | Компоненты силовой электроники, Железная дорога, IGBT
Метки:
Оставить комментарий

IGBT Trench 6,5-кВ/1000-A модуль расширяет границы RBSOA на различных температурах
В аварийных режимах, особенно в системах HVDC, IGBT-модули в последовательной или параллельной конфигурации должны выдерживать высокие линейные напряжения (Vline) и при этом безопасно отключаться. В таких экстремальных условиях полупроводниковые приборы обычно функционируют за пределами рекомендованной в технической документации области безопасной работы (RBSOA), ограничивающей режим отключения...

20.01.2022 | Компоненты силовой электроники, IGBT
Метки:
Оставить комментарий

SKiM63/93 — многоцелевой модуль IGBT SEMIKRON для транспортного и промышленного привода
Решение задач, связанных с особенностями работы тягового электропривода, требует поиска новых технологий и материалов, совершенствования производственных процессов. Важным этапом на этом пути стало внедрение компанией SEMIKRON технологий прижимного контакта и низкотемпературного спекания [2], что полностью исключило развитие усталостных процессов в паяных и сварных соединениях и обеспечило высо...

09.12.2021 | Компоненты силовой электроники, IGBT, Модули
Метки:
Оставить комментарий

Особенности измерения блокирующего напряжения силовых транзисторов
Рассмотрены особенности измерения блокирующего напряжения и тока утечки силовых транзисторов, а также причины, которые приводят к возникновению ошибок измерения данных параметров. Представлены измеренные вольт-амперные характеристики партии IGBT-транзисторов, на примере которых показаны особенности отбраковки потенциально ненадежных транзисторов. Описана принципиальная схема простого измеритель...

07.12.2021 | Компоненты силовой электроники, MOSFET, IGBT
Оставить комментарий

Оптимизация частотных свойств кремниевых IGBT, предназначенных для работы с SiC-диодами Шоттки в гибридных модулях
Предложен метод определения оптимальных характеристик кристаллов кремниевых быстрых IGBT, предназначенных для совместной работы с SiC SBD в гибридных модулях. Найдены оптимальные дозы протонного облучения и определены оптимальные статические и динамические характеристики 1200 В IGBТ для гибридных модулей, комплектующих DC/DC-конвертеры с рабочей частотой преобразования до 50 кГц.

11.11.2021 | Компоненты силовой электроники, IGBT, SiC
Метки:
Оставить комментарий

SEMIKRON: цифровые драйверы и адаптеры нового поколения
Устройство управления изолированными затворами IGBT/MOSFET — один из самых ответственных узлов силового каскада, от которого во многом зависит надежность и эффективность работы всей системы. Стремясь к максимальной унификации схемы и конструкции, многие ведущие производители драйверов пришли к идее универсального «ядра», предназначенного для решения широкого круга задач. Рынок требует непрерыв...

03.11.2021 | Компоненты силовой электроники, MOSFET, IGBT, Драйверы IGBT
Метки:
Оставить комментарий

Влияние топологии многокристальных IGBT-модулей на распределение тока между транзисторными чипами в статических режимах работы
Тенденция повышения рабочих токов сило- вых полупроводниковых модулей на IGBT до 1000 А и более предполагает в конструкции данного устройства использование параллельного включения большого количества IGBT-чипов и обратных диодов. Естественно, что одной из основных проблем при разработке топологии таких изделий является обеспечение распределения тока между чипами как в статических, так и в динам...

01.11.2021 | Компоненты силовой электроники, IGBT
Оставить комментарий

IGBT Gen.7 — революционная эволюция
Технологии силовой электроники идут по пути повышения мощностных характеристик и эффективности силовых преобразовательных устройств, а также улучшения их массогабаритных характеристик. Бурное развитие широкозонных приборов, в первую очередь карбидокремниевых, может создать иллюзию, что эра кремния уходит в прошлое. Однако на самом деле модули IGBT еще долго будут оставаться «рабочей лошадкой» в...

20.10.2021 | Компоненты силовой электроники, IGBT
Оставить комментарий

Наши журналы:
© Copyright 2026 Силовая электроника