Японская компания Fuji Electric Co., Ltd. сообщает о начале производства модуля HPnC (конструктив силового модуля нового поколения) на базе 7-го поколения IGBT X-серии (биполярный транзистор с изолированным затвором), ориентированного на железнодорожный рынок. 
В аварийных режимах, особенно в системах HVDC, IGBT-модули в последовательной или параллельной конфигурации должны выдерживать высокие линейные напряжения (Vline) и при этом безопасно отключаться. В таких экстремальных условиях полупроводниковые приборы обычно функционируют за пределами рекомендованной в технической документации области безопасной работы (RBSOA), ограничивающей режим отключения... 
Решение задач, связанных с особенностями работы тягового электропривода, требует поиска новых технологий и материалов, совершенствования производственных процессов. Важным этапом на этом пути стало внедрение компанией SEMIKRON технологий прижимного контакта и низкотемпературного спекания [2], что полностью исключило развитие усталостных процессов в паяных и сварных соединениях и обеспечило высо... 
Рассмотрены особенности измерения блокирующего напряжения и тока утечки силовых транзисторов, а также причины, которые приводят к возникновению ошибок измерения данных параметров. Представлены измеренные вольт-амперные характеристики партии IGBT-транзисторов, на примере которых показаны особенности отбраковки потенциально ненадежных транзисторов. Описана принципиальная схема простого измеритель... 
Предложен метод определения оптимальных характеристик кристаллов кремниевых быстрых IGBT, предназначенных для совместной работы с SiC SBD в гибридных модулях. Найдены оптимальные дозы протонного облучения и определены оптимальные статические и динамические характеристики 1200 В IGBТ для гибридных модулей, комплектующих DC/DC-конвертеры с рабочей частотой преобразования до 50 кГц. 
Устройство управления изолированными затворами IGBT/MOSFET — один из самых ответственных узлов силового каскада, от которого во многом зависит надежность и эффективность работы всей системы. Стремясь к максимальной унификации схемы и конструкции, многие ведущие производители драйверов пришли к идее универсального «ядра», предназначенного для решения широкого круга задач.
Рынок требует непрерыв... 
Тенденция повышения рабочих токов сило- вых полупроводниковых модулей на IGBT до 1000 А и более предполагает в конструкции данного устройства использование параллельного включения большого количества IGBT-чипов и обратных диодов. Естественно, что одной из основных проблем при разработке топологии таких изделий является обеспечение распределения тока между чипами как в статических, так и в динам... 
Технологии силовой электроники идут по пути повышения мощностных характеристик и эффективности силовых преобразовательных устройств, а также улучшения их массогабаритных характеристик. Бурное развитие широкозонных приборов, в первую очередь карбидокремниевых, может создать иллюзию, что эра кремния уходит в прошлое. Однако на самом деле модули IGBT еще долго будут оставаться «рабочей лошадкой» в... 
Поисковик STPOWER IGBT - это мобильное приложение, доступное для Android или iOS, предлагающее удобную альтернативу поиску в онлайн-портфолио продуктов www.st.com, позволяющее пользователю легко осуществлять навигацию с помощью портативных устройств. Система параметрического поиска позволяет пользователю быстро определить продукт, который лучше всего подходит для его применения. Как сообщает https://skupka-apple-ekaterinburg.ru/prodat-iphone.html, приложение доступно в Google Play, App Store.
Особенности приложения STPOWER IGBT:
параметрический поиск по нескольким критериям;
легкий ... 
Компания Dynex Semiconductor не является гигантом электронной отрасли и не может похвастаться многомиллиардными доходами. Впрочем, продукция производителя из английской глубинки хорошо известна во всем мире и широко используется лидерами современной промышленности. 