SKiM63/93 — многоцелевой модуль IGBT SEMIKRON для транспортного и промышленного привода

Решение задач, связанных с особенностями работы тягового электропривода, требует поиска новых технологий и материалов, совершенствования производственных процессов. Важным этапом на этом пути стало внедрение компанией SEMIKRON технологий прижимного контакта и низкотемпературного спекания [2], что полностью исключило развитие усталостных процессов в паяных и сварных соединениях и обеспечило высо...

Особенности измерения блокирующего напряжения силовых транзисторов

Рассмотрены особенности измерения блокирующего напряжения и тока утечки силовых транзисторов, а также причины, которые приводят к возникновению ошибок измерения данных параметров. Представлены измеренные вольт-амперные характеристики партии IGBT-транзисторов, на примере которых показаны особенности отбраковки потенциально ненадежных транзисторов. Описана принципиальная схема простого измеритель...

Оптимизация частотных свойств кремниевых IGBT, предназначенных для работы с SiC-диодами Шоттки в гибридных модулях

Предложен метод определения оптимальных характеристик кристаллов кремниевых быстрых IGBT, предназначенных для совместной работы с SiC SBD в гибридных модулях. Найдены оптимальные дозы протонного облучения и определены оптимальные статические и динамические характеристики 1200 В IGBТ для гибридных модулей, комплектующих DC/DC-конвертеры с рабочей частотой преобразования до 50 кГц.

SEMIKRON: цифровые драйверы и адаптеры нового поколения

Устройство управления изолированными затворами IGBT/MOSFET — один из самых ответственных узлов силового каскада, от которого во многом зависит надежность и эффективность работы всей системы. Стремясь к максимальной унификации схемы и конструкции, многие ведущие производители драйверов пришли к идее универсального «ядра», предназначенного для решения широкого круга задач. Рынок требует непрерыв...

Влияние топологии многокристальных IGBT-модулей на распределение тока между транзисторными чипами в статических режимах работы

Тенденция повышения рабочих токов сило- вых полупроводниковых модулей на IGBT до 1000 А и более предполагает в конструкции данного устройства использование параллельного включения большого количества IGBT-чипов и обратных диодов. Естественно, что одной из основных проблем при разработке топологии таких изделий является обеспечение распределения тока между чипами как в статических, так и в динам...

IGBT Gen.7 — революционная эволюция

Технологии силовой электроники идут по пути повышения мощностных характеристик и эффективности силовых преобразовательных устройств, а также улучшения их массогабаритных характеристик. Бурное развитие широкозонных приборов, в первую очередь карбидокремниевых, может создать иллюзию, что эра кремния уходит в прошлое. Однако на самом деле модули IGBT еще долго будут оставаться «рабочей лошадкой» в...

Мобильное приложение STPOWER IGBT Finder для планшетов и смартфонов

Поисковик STPOWER IGBT - это мобильное приложение, доступное для Android или iOS, предлагающее удобную альтернативу поиску в онлайн-портфолио продуктов www.st.com, позволяющее пользователю легко осуществлять навигацию с помощью портативных устройств. Система параметрического поиска позволяет пользователю быстро определить продукт, который лучше всего подходит для его применения. Как сообщает https://skupka-apple-ekaterinburg.ru/prodat-iphone.html, приложение доступно в Google Play, App Store. Особенности приложения STPOWER IGBT: параметрический поиск по нескольким критериям; легкий ...

Новое поколение силовых модулей IGBT

Компания Dynex Semiconductor не является гигантом электронной отрасли и не может похвастаться многомиллиардными доходами. Впрочем, продукция производителя из английской глубинки хорошо известна во всем мире и широко используется лидерами современной промышленности.

1200-В IGBT с обратной проводимостью (RC-IGBT), оптимизированные для работы в режиме жесткой коммутации

Компания Fuji представляет кристаллы RC-IGBT с рабочим напряжением 1200 В, разработанные с применением новейшей тонкопленочной технологии производства пластин. Характеристики этих RC-IGBT показывают такое же соотношение между потерями проводимости и переключения, как и у шестого поколения обычных IGBT и FWD. Кроме того, данное отношение можно оптимизировать для режима жесткого переключения путе...

SEMIKUBE Hy SiC: первые шаги в мире карбида кремния

На первый взгляд преимущества карбида кремния в ряде применений, прежде всего высокочастотных, неоспоримы. SiC MOSFET-транзисторы (с встроенными диодами SiC Шоттки или без них) имеют более высокую скорость коммутации и меньший уровень динамических потерь, чем любые кремниевые ключи, что позволяет существенно повысить рабочую частоту Fsw преобразовательной системы. Однако в дружном хоре энтузиа...