Нормирование теплового сопротивления IGBT:
базовые принципы и некоторые особенности

Выбор модуля IGBT для конкретных условий применения требует анализа его тепловых характеристик с учетом системы охлаждения и оценки их соответствия техническим требованиям, предъявляемым к системе (мощность, температура окружающей среды, профиль нагрузки, срок службы). Для сопоставления тепловых свойств различных силовых ключей необходимо учесть следующие факторы: • особенности конструкции мо...

Расчет динамических потерь IGBT:
базовые принципы и некоторые особенности

Частотные свойства и динамические характеристики IGBT во многом определяют выбор модуля для конкретных условий работы. В спецификациях силовых ключей параметры переключения приводятся для фиксированных режимов, определенных изготовителем. Внимательный анализ технической документации показывает, что разные производители используют отличающиеся условия нормирования. Более того, иногда они указаны...

Создание современной технологической линии производства IGBT-модулей в «ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС»

В статье приведен краткий обзор технологического процесса и основных единиц оборудования, применяемых в производстве силовых IGBT-модулей АО «ПРОТОН–ЭЛЕКТРОТЕКС». Освоение производства этих компонентов стало важным этапом стратегии развития предприятия и обещает стать ключевым звеном его продуктовой программы. В связи с переходом мировой экономики к использованию энергосберегающих и возобновляе...

1800 A/3,3 кВ IGBT-модуль с пазовой структурой затвора Advanced Trench HiGT и оптимизированной конструкцией

К рассмотрению предлагается вновь разработанный 1800 A/3,3 кВ IGBT-модуль, имеющий самый высокий в настоящее время номинальный рабочий ток. При его создании для достижения минимальных потерь была использована новая пазовая структура Advanced Trench HiGT. Электрические и тепловые характеристики модуля были оптимизированы с целью уменьшения его теплового сопротивления и снижения паразитной индукт...

Вопросы управления IGBT: однополярное управление, использование внешней емкости затвора

Вопросы управления изолированным затвором IGBT широко описаны в различных публикациях, в частности [3–5]. Одной из основных задач производителей электроприводов, инверторов солнечных батарей, источников питания и UPS является снижение стоимости и габаритов выпускаемых изделий. По этой причине в диапазоне малых мощностей часто используется однополярный сигнал управления с нулевым напряжением вык...

Седьмое поколение IGBT-модулей с новой SLC-технологией

Основными требованиями к силовым полупроводниковым компонентам являются высокая эффективность, большая плотность мощности и хорошая надежность. Для улучшения данных параметров компания Mitsubishi Electric разработала новую линейку промышленных IGBT-модулей серии NX7. С целью снижения потерь в данных устройствах применяются новые чипы седьмого поколения, а добиться увеличения плотности мощности ...

Эскизы контуров силовой электроники середины текущего века

Посвящается памяти нашего друга, коллеги, ученого, профессионала высочайшего уровня, одного из основателей отечественной силовой электроники — А. Н. Думаневича.

Cерия модулей SEMiX Press-Fit с кристаллами седьмого поколения Gen 7 от SEMIKRON

Компания SEMIKRON представляет новое поколение модулей седьмого поколения IGBT с сигнальными выводами, подключаемыми методом прессовой посадки (Press-Fit). Семейство модулей IGBT в конструктиве SEMiX3p press-fit (Econo Dula) пополнилось новым, седьмым поколением компонентов с номинальным током 200, 300, 450, 600 и 700 А. Самым мощным элементом семейства является SEMiX703GB12M7p, отличающийся высшими показателями плотности мощности для IGBT в конструктиве 17 мм. Расположение сигнальных выводов SEMiX3p совместимо с топологией контактов серийно выпускаемых модулей Econo Dual, что дает ...

GenX3 IGBT компании IXYS

Новые XPT IGBT компании IXYS применяются именно в тех областях, где помимо хороших статических и динамических характеристик необходима и высокая надежность самих коммутирующих элементов. Вот почему именно четкое понимание механизмов, приводящих к выходу из строя IGBT-транзисторов в различных режимах эксплуатации, послужило основой для создания технологии XPT IGBT.

Проблемы применения драйверов IGBT: паразитные связи и ВЧ-осцилляции

Надежность передачи сигналов управления от драйвера к силовому модулю связана с рядом важных вопросов, одним из которых является влияние паразитных контуров. Особенно отчетливо это проявляется на высоких скоростях коммутации IGBT или при выходе из насыщения в случае перегрузки по току. В данной статье рассмотрены некоторые аспекты проблемы, а также рекомендации по ее решению.