«Путеводитель по электронным компонентам» – настольная книга для разработчиков
Компания «ЛИГРА»приступила к производству охладителей типа О57
Спектрометры Broadcom — обновление серии Qwave
Новая версия программы теплового расчета SemiSel V5
Открыта регистрация на IX всероссийскую научно-техническую конференцию «Электромагнитная совместимость»
Двунаправленный DC/DC-преобразователь 48S14.250BC от Calex с выходной мощностью 3500 Вт
Рассмотрены характеристики и особенности применения силовых MOSFET- и IGBT-транзисторов в новом дискретном четырехвыводном корпусе ТО-247-4. Использование дополнительного 4-го вывода истока/эмиттера (так называемого отвода Кельвина) позволяет исключить влияние паразитной индуктивности истока/эмиттера транзистора на выходное напряжение драйвера силового ключа и снизить потери при включении, в ко... 
В статье рассмотрены основные методы и примеры создания аппаратуры, систем вторичного электропитания (СВЭП) на основе синтеза блоков питания из унифицированных узлов и модулей, разработанных и оптимизированных на основе передовых технологий с использованием компонентов отечественной электронной базы. Проанализированы отдельные типы и практические примеры создания унифицированных узлов и модулей. 
Блоки питания для монтажа в распределительном шкафу в области промышленной автоматизации подвержены гораздо большей нагрузке, чем в областях автоматизации делопроизводства или бытовой электроники. Производственное оборудование обычно эксплуатируется в течение долгих лет в режиме посменной работы, а зачастую и круглосуточно. Каждый незапланированный простой производства ведет к высоким дополните... 
В последнее время высоковольтные биполярные транзисторы с изолированным затвором (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor — HVIGBT) все чаще используются в качестве силовых ключей в таких требовательных к надежности областях, как электротранспорт и системы распределения энергии. Для подобного применения необходимы исчерпывающие данные о производительности и ограничениях HVIGBT-транзистор... 
При конструировании изделий с использованием датчиков тока приходится сталкиваться с рядом технических аспектов. Некоторые из них возникают лишь периодически и трудновоспроизводимы. Если они к тому же затрагивают не слишком популярные разделы электротехники, их порой возводят в ранг необъяснимых феноменов. 
Для построения систем передачи энергии, действующих на постоянном токе и при высоком напряжении, создано новое поколение кристаллов IGBT и диодов с рабочим напряжением 4,5 кВ. Эти приборы оптимизированы для функционирования с низкими статическими потерями в сочетании с быстрым включением при коммутации больших токов и напряжений. В кристаллах реализована высокая надежность в режимах короткого з... 
Не так давно изготовители медицинского оборудования пережили взрывной рост числа мобильных и беспроводных медицинских приборов. Согласно отчетам, ежегодный совокупный рост оборудования для мониторинга состояния пациентов достиг 23% (CAGR) (2007–2011 гг.), и если прогресс сохранится, то к 2016 году суммарная стоимость такого оборудования достигнет $20 млрд (Kalorama Information; июль 2012 г.). В... 
Проектирование высокотемпературных электронных устройств тесно связано с решением целого комплекса сложных задач, включающих в себя моделирование и расчет тепловых режимов, выбор и обоснование применяемых материалов и типов корпусного исполнения, организацию технологических процессов производства и многое другое. Компания Microsemi имеет специализированное подразделение, ориентированное на разр... 
Растущие требования к увеличению мощности высоковольтных источников питания и снижению их стоимости заставляют производителей полупроводниковых приборов создавать IGBT-транзисторы, способные действовать на рабочих частотах свыше 100 кГц. Компанией IR была создана технология Punch-Through (PT) с запирающим напряжением 650 В, оптимизированная для работы в DC/DC-преобразователях на частотах до 200... 
Двигатель экономики — торговля, а кровь ее — электроника. Экономика — отражение государственной политики в области инноваций, в которой господство обеспечивает превосходство в электронике. Мировая электроника развивается по следующим направлениям: рабочая температура, мощность, гиперскорость, радиационная стойкость.
отправка...