Дискретные силовые MOSFET/IGBT-ключи c выводом Кельвина

Рассмотрены характеристики и особенности применения силовых MOSFET- и IGBT-транзисторов в новом дискретном четырехвыводном корпусе ТО-247-4. Использование дополнительного 4-го вывода истока/эмиттера (так называемого отвода Кельвина) позволяет исключить влияние паразитной индуктивности истока/эмиттера транзистора на выходное напряжение драйвера силового ключа и снизить потери при включении, в ко...

Унификация — это основной путь создания высоконадежных систем вторичного электропитания для комплексов военного и коммерческого назначения. Часть 2

В статье рассмотрены основные методы и примеры создания аппаратуры, систем вторичного электропитания (СВЭП) на основе синтеза блоков питания из унифицированных узлов и модулей, разработанных и оптимизированных на основе передовых технологий с использованием компонентов отечественной электронной базы. Проанализированы отдельные типы и практические примеры создания унифицированных узлов и модулей.

Надежность — высший приоритет

Блоки питания для монтажа в распределительном шкафу в области промышленной автоматизации подвержены гораздо большей нагрузке, чем в областях автоматизации делопроизводства или бытовой электроники. Производственное оборудование обычно эксплуатируется в течение долгих лет в режиме посменной работы, а зачастую и круглосуточно. Каждый незапланированный простой производства ведет к высоким дополните...

Влияние времени включения высоковольтных IGBT-модулей на происходящие в них переходные процессы

В последнее время высоковольтные биполярные транзисторы с изолированным затвором (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor — HVIGBT) все чаще используются в качестве силовых ключей в таких требовательных к надежности областях, как электротранспорт и системы распределения энергии. Для подобного применения необходимы исчерпывающие данные о производительности и ограничениях HVIGBT-транзистор...

О некоторых аспектах применения датчиков — преобразователей тока

При конструировании изделий с использованием датчиков тока приходится сталкиваться с рядом технических аспектов. Некоторые из них возникают лишь периодически и трудновоспроизводимы. Если они к тому же затрагивают не слишком популярные разделы электротехники, их порой возводят в ранг необъяснимых феноменов.
Цель статьи — дать полезный обзор некоторых известных явлений и помочь инженер...

4,5-кВ IGBT и диоды для электроэнергетики

Для построения систем передачи энергии, действующих на постоянном токе и при высоком напряжении, создано новое поколение кристаллов IGBT и диодов с рабочим напряжением 4,5 кВ. Эти приборы оптимизированы для функционирования с низкими статическими потерями в сочетании с быстрым включением при коммутации больших токов и напряжений. В кристаллах реализована высокая надежность в режимах короткого з...

Оптимизация времени работы портативных устройств от батареи на примере беспроводных медицинских датчиков

Не так давно изготовители медицинского оборудования пережили взрывной рост числа мобильных и беспроводных медицинских приборов. Согласно отчетам, ежегодный совокупный рост оборудования для мониторинга состояния пациентов достиг 23% (CAGR) (2007–2011 гг.), и если прогресс сохранится, то к 2016 году суммарная стоимость такого оборудования достигнет $20 млрд (Kalorama Information; июль 2012 г.). В...

Высокотемпературные компоненты Microsemi — надежность в экстремальных условиях эксплуатации

Проектирование высокотемпературных электронных устройств тесно связано с решением целого комплекса сложных задач, включающих в себя моделирование и расчет тепловых режимов, выбор и обоснование применяемых материалов и типов корпусного исполнения, организацию технологических процессов производства и многое другое. Компания Microsemi имеет специализированное подразделение, ориентированное на разр...

Быстродействующие 650-В IGBT-транзисторы для DC/DC-преобразователей на частотах до 200 кГц

Растущие требования к увеличению мощности высоковольтных источников питания и снижению их стоимости заставляют производителей полупроводниковых приборов создавать IGBT-транзисторы, способные действовать на рабочих частотах свыше 100 кГц. Компанией IR была создана технология Punch-Through (PT) с запирающим напряжением 650 В, оптимизированная для работы в DC/DC-преобразователях на частотах до 200...

Электроника как одна из основ национального суверенитета

Двигатель экономики — торговля, а кровь ее — электроника. Экономика — отражение государственной политики в области инноваций, в которой господство обеспечивает превосходство в электронике. Мировая электроника развивается по следующим направлениям: рабочая температура, мощность, гиперскорость, радиационная стойкость.