Импульсный преобразователь напряжения постоянного тока по схеме Чука

В статье представлена предельная непрерывная модель импульсного преобразователя напряжения постоянного тока по схеме Чука, позволившая оценить его основные свойства. Предложена методика оценки размаха пульсаций токов и напряжений преобразователя. С помощью математической модели преобразователя, учитывающей переключение его структуры, оценена корректность полученных результатов. Проведено сравне...

Бестрансформаторные датчики тока в проводе питания DC/DC

В статье рассмотрены свойства и характеристики нескольких схем из обширного семейства, включающего схемы типа «зеркало тока» (ЗТ), при их работе в качестве быстродействующих мониторов — датчиков тока через токоизмерительный шунт. Используемая в этом качестве схема на базе согласованной пары биполярных или полевых транзисторов, названа «зеркало напряжения» (ЗН), а другая, на базе двух пар компле...

Инверторы для электротранспорта с максимально высоким КПД

Компания TDK совместно с Infineon Technologies разработала инверторы для электротранспорта, имеющие диапазон мощности от 10 до 150 кВт и обладающие КПД, превышающим 98%. Такой результат был достигнут благодаря отличному согласованию силовых модулей IGBT от Infineon и пассивных компонентов EPCOS и TDK.

Источники питания RECOM на DIN-рейке, предназначенные для длительной непрерывной работы

Источники питания (ИП) на DIN-рейке играют важную роль в промышленных применениях, но им редко уделяется достаточно внимания, несмотря на то, что отказ ИП может привести к остановке производства и, соответственно, к существенным финансовым затратам. Таким образом, качество ИП является одним из основных параметров при выборе данного прибора.

Элементы классификации автономных инверторов и свойства согласованного инвертора с резонансной коммутацией. Часть 1

Считая совершенно очевидной важность правильно разработанной в области (в данном случае, инверторной преобразовательной техники) терминологии, в настоящей статье мы делаем попытку наметить решения этой задачи [1]. Автономные (или независимые) инверторы следует разделять на инверторы тока, инверторы напряжения и согласованные [2-10] инверторы. Согласованные инверторы имеют внутренний (собственны...

Усовершенствование феррозондовой технологии повышает точность измерения тока

Применение феррозондовых технологий в датчиках, предназначенных для точного измерения тока, хорошо известно. Для повышения точности до уровня, превышающего возможности существующих сенсоров, нужны новые идеи. В статье приведен краткий обзор феррозондовых измерителей тока. Показано, как усовершенствование существующей архитектуры датчиков позволило разработать новое семейство сенсоров с улучшенн...

Параллельная работа IGBT при различных способах управления затворами

Особенностям параллельной работы силовых ключей посвящены многие публикации, в частности, этот вопрос подробно рассмотрен в [2]. В данной статье проводится анализ распределения токов IGBT при использовании двух концепций управления затворами — «индивидуальной» (независимый драйвер на каждом модуле) и «центральной» (один мощный драйвер для всех параллельных ключей).

SiC-диоды Шоттки в корректорах коэффициента мощности

Повышение эффективности путем использования высоковольтных SiC-диодов в повышающих преобразователях ККМ может применяться для увеличения выходной мощности и частоты переключения с целью снижения габаритов изделия или повышения его надежности. В то же время использование SiC-диодов Шоттки позволяет уменьшить EMI.

Эволюция в создании карбида кремния — революционного полупроводника

Карбид кремния (SiC) является довольно молодым материалом в истории полупроводниковой промышленности по сравнению с кремнием (Si) или арсенидом галлия (GaAs), однако его истоки восходят к концу XIX в. В 1891 г. Эдвард Ачесон (Edward Acheson) разработал способ получения кристаллического SiC в качестве абразивного материала, и этот метод используется до сих пор. Первые минералогические исследован...

Обзор современных изолированных драйверов затворов MOSFET/IGBT

Мощные полевые МОП-транзисторы MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) и биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) являются одними из основных элементов современной силовой электроники и используются для коммутации больших токов и напряжений. Для согласования низковольтных логических управляющих сигналов контроллера с уровнями у...