Новые карбид-кремниевые модули на кристаллах второго поколения

Компания Mitsubishi Electric, выпускающая широкую линейку мощных SiC-модулей различных классов напряжений, анонсирует выход модулей с SiC-кристаллами второго поколения в классах напряжения 1200 и 1700 В. В сравнении с первым поколением новые модули имеют улучшенную производительность, а также более широкий модельный ряд. В статье представлены и последние достижения, полученные за счет новой тех...

SEMIKUBE Hy SiC: первые шаги в мире карбида кремния

На первый взгляд преимущества карбида кремния в ряде применений, прежде всего высокочастотных, неоспоримы. SiC MOSFET-транзисторы (с встроенными диодами SiC Шоттки или без них) имеют более высокую скорость коммутации и меньший уровень динамических потерь, чем любые кремниевые ключи, что позволяет существенно повысить рабочую частоту Fsw преобразовательной системы. Однако в дружном хоре энтузиа...

Сложности оценки характеристик SiC MOSFET

Широкое распространение SiC MOSFET на рынке силовой электроники еще ограничивается их более высокой стоимостью по сравнению с Si MOSFET, но это, безусловно, временное явление и с развитием SiC-технологии ситуация будет улучшаться. В то же время более перспективные характеристики SiC требуют и более внимательного подхода к проектированию и измерению их параметров в реальных приложениях, чему и у...

Мощные тиристоры для преобразователей линий электропередачи постоянного тока

Представлены результаты исследования современной элементной базы отечественной силовой электроники для высоковольтных тиристорных вентилей для линий электропередачи постоянного тока. Приведены характеристики мощных высоковольтных тиристоров Т283-1600 нового поколения с повышенной надежностью. Выполнены исследования тиристоров в режимах их эксплуатации в составе блока вентилей модернизируемого п...

Транзистор в преобразователе.
Часть 2. Цепи управления

Статья продолжает тему практической разработки преобразователя, и теперь речь пойдет о цепях управления. Под цепями управления здесь подразумевается часть схемы, непосредственно подключаемая к затвору силового транзистора. Что собой представляет контроллер, алгоритмы управления, даже часть драйвера «по ту сторону» гальванической развязки, в данном контексте неважно. Задача статьи, как и в перво...

Изделия из керамики на основе оксида алюминия, нитрида алюминия и оксида бериллия производства АО «ТЕСТПРИБОР»

Развитие радиоэлектронной промышленности идет по пути минимизации изделий за счет создания высоко интегрированных сборок. Получение максимальной производительности при минимальном занимаемом объеме неизбежно приводит к все более сильному нагреванию электронных компонентов. Данная проблема решается использованием подложек с высокой теплопроводностью.

Рекомендуемые профили пайки силовых компонентов Cree

В статье даны рекомендации относительно предпочтительных режимов пайки для различных типов корпусов, описаны тепловые профили разных технологий пайки.

ШКОЛА MATLAB. Урок 30. Энергетические свойства синхронного магнитоэлектрического генератора постоянного тока

Статья продолжает тематику предыдущих уроков, где представлены результаты исследований мехатронных систем с синхронной магнитоэлектрической машиной и редкоземельными магнитами на роторе СММ (в англ. терминологии PMSM — Permanent Magnet Synchronous Machine). Вопросы энергоэффективности этих систем приобретают первостепенное значение при построении генераторных установок для гибридных автономных ...

Универсальный преобразователь AEMT:
теория и методы измерения

Как правило, измерительные преобразователи предназначены для работы в цепях только постоянного или только переменного тока. Однако в зависимости от характера нагрузки ток в таких цепях может содержать нежелательные переменную или постоянную составляющие соответственно, и далеко не всегда их величинами можно пренебречь. Для получения полной информации о процессах в контролируемой цепи необходимо...

Многоуровневые преобразователи: схемы, особенности применения, алгоритмы управления.
Часть 4

В третьей части статьи, опубликованной в журнале «Силовая электроника» № 3’2019, рассматривались топологии схем и особенности управления многоуровневыми конвертерами с последовательным соединением H-мостовых ячеек (SCHB VSC).