Современные АВР: проблемы и способы их решения

Для обеспечения бесперебойного питания достаточно широко применяется система резервного электроснабжения, при которой, помимо основного, используется резервный источник электроэнергии. Однако существует проблема своевременного определения нарушения работы и быстрого переключения между ними. Для решения данной проблемы используются автоматы включения резервного электропитания (АВР). В настоящей ...

Краткая история электричества,
или Почему в интеллектуальных домах используется постоянный ток

В современных интеллектуальных домах многие электрические «помощники» незаметно работают, чтобы сделать нашу жизнь еще более комфортабельной. Они подают сигналы, управляют освещением, регулируют системы отопления и кондиционирования, открывают двери гаража и распахивают шторы, чтобы впустить солнечный свет в комнату. Практически каждый электроприбор или система в доме могут управляться с помощь...

Новые возможности GaAs силовой электроники

Международные конфликты — это не что иное, как силовая форма передела количества потребляемой энергии. Треть производимой энергии на Земле — электроэнергия, или чуть больше 3 ТВт установленной мощности. Несмотря на то, что ежегодно вводится около 100 ГВт новых мощностей, электроэнергии хронически не хватает. Около 50% всей электроэнергии используется неэффективно, напрямую, без преобразования. ...

SKiN-технология и силовые модули XXI века

Современный рынок силовой электроники предъявляет все более жесткие требования к компонентам, предназначенным для применения в энергетике и на транспорте. Поиск новых конструктивных решений привел к разработке метода низкотемпературного спекания (Sinter technology), позволившего отказаться от паяных соединений, являющихся основной причиной отказов модулей, работающих в режиме циклической нагруз...

Новое поколение SiC MOSFET в DC/DC-преобразователе с жестким режимом переключения

По сравнению с SiC JFET или SiC биполярными транзисторами, N-канальные SiC MOSFET являются наилучшей заменой для обычных кремниевых MOSFET или IGBT благодаря более простой структуре, легкости управления и низким потерям мощности. В марте 2013г. компания Cree начала коммерческий выпуск второго поколения SiC MOSFET, обладающего повышенной производительностью и меньшей стоимостью по сравнению с кл...

Параметры и характеристики планарных NPT+IGBT с повышенной инжекцией на напряжение 1700 В

В статье представлены результаты разработки отечественных кристаллов NPT+ IGBT с рабочей площадью 185 мм2 на ток 100 А и напряжение 1700 В для применения в силовых модулях с коммутируемой мощностью 0,15–4 МВт. Приведены параметры и характеристики единичных кристаллов IGBT, измеренных с учетом реальных условий эксплуатации в инверторах напряжения на индуктивную нагрузку. Дается сравнение с заруб...

Новое поколение датчиков напряжения, соответствующее современным стандартам измерений

В железнодорожной отрасли и в промышленности в последнее время предъявляются чрезвычайно жесткие требования по учету потребляемой электрической энергии. Системы учета должны обладать высочайшими эксплуатационными характеристиками и надежностью, обеспечивая безотказную работу в крайне тяжелых условиях окружающей среды. В статье описываются новые разработки компании LEM — серия датчиков напряжени...

IGBT и MOSFET: основные концепции и пути развития. Часть 2. MOSFET

Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям характеристик силовых ключей. Революционные инновации связаны в первую очередь с внедрением новых широкозонных материалов и тонких пленок, применение которых позволяет не только повысить экономическую эффективность произво...

Исследование электромагнитных процессов в синхронных электродвигателях при импульсном управлении скоростью на основе визуально-математической модели

Представлена визуально-математическая модель нового способа импульсного управления скоростью синхронных электродвигателей, реализуемого посредством питания статорной обмотки импульсами тока непосредственно от сети через тиристорный коммутатор. Импульсы тока синхронизированы с положением ротора и регулируемы по фазе и по величине. Способ импульсного управления обеспечивает существенно лучшие эко...

Увеличение плотности мощности в сварочных аппаратах

В статье описано применение дискретных IGBT и MOSFET в аппаратах ручной дуговой сварки плавящимся электродом (Manual Metal Arc — MMA) и дуговой сварки неплавящимся электродом в среде инертного газа (Tungsten Inert Gas — TIG) мощностью 1,5–6 кВт. В большинстве случаев в таких аппаратах используется ШИМ (широтно-импульсная модуляция) с управлением по току. Их строят на базе простых топологий — дв...