Mitsubishi Electric
Японская компания Мицубиси Электрик основана в 1921 году. Первые полупроводниковые приборы начали серийно выпускаться компанией в 1958 году. В настоящее время силовые модули Мицубиси Электрик производятся с помощью самых современных технологий, обеспечивающих высокий уровень производительности и надежности. Компания предлагает широкий ассортимент силовых транзисторных модулей для различных применений, таких как: высоковольтные системы передачи электроэнергии (HVDC), тяговые железнодорожные применения, общепромышленные применения, бытовая техника. Основные линейки силовых модулей, выпускаемых компанией:
- высоковольтные IGBT модули транспортного исполнения (серия X, R, S);
- модули IGBT общепромышленного исполнения (серия T, T1);
- интеллектуальные силовые модули IPM (серия G, G1);
- интеллектуальные силовые модули малой мощности DIPIPM;
- транзисторные модули на основе карбида кремния (SiC).
Полный PDF-каталог модулей доступен по ссылке.
В последнее время высоковольтные биполярные транзисторы с изолированным затвором (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor — HVIGBT) все чаще используются в качестве силовых ключей в таких требовательных к надежности областях, как электротранспорт и системы распределения энергии. Для подобного применения необходимы исчерпывающие данные о производительности и ограничениях HVIGBT-транзистор...
Силовые 1700-В модули HVIGBT X-серии с превосходной производительностью и высокой надежностью
Высокоэффективные силовые HVIGBT-модули с блокирующим напряжением 1700 В, обеспечивающие надежные решения для железнодорожного транспорта.
Для нужд железнодорожного транспорта требуются особо качественные компоненты с высокой эффективностью, особенно это касается преобразовательных приводов, которые должны иметь в своей основе надежные коммутационные устройства, устойчивые к крайне жестким усл...
Коммутационные возможности 750 A/3300 В сдвоенных SiC-модулей
Бурно развивающаяся в настоящее время технология изготовления полупроводниковых силовых транзисторов на основе карбида кремния (SiC) связана с очень высокими частотами переключения, что, собственно, и приводит разработчиков к возможности проектирования и изготовления их с использованием компактных преобразователей и приводов. В статье основное внимание уделяется особенностям поведения SiC МОП-т...
Седьмое поколение IGBT-модулей «Мицубиси Электрик» с блокирующим напряжением 1,7 кВ
Основными требованиями, предъявляемыми к общепромышленным системам электроприводов и источникам питания, являются высокая надежность, эффективность и большая плотность мощности при конкурентной стоимости. Главный фактор для достижения всех перечисленных свойств — уровень потерь мощности в ключах. Снижение потерь позволяет сократить температуру кристаллов. В результате увеличивается срок службы ...
Полный карбид-кремниевый MOSFET-модуль на 3,3 кВ: новый класс эффективности тяговых инверторов
Компания «Мицубиси Электрик» представляет новый силовой модуль на карбидкремниевых кристаллах диодов и транзисторов (Full SiC) с блокирующим напряжением 3,3 кВ и номинальным током 750 А. Устройство выходит на рынок в новейшем типоразмере корпуса LV100 [5], особенно подходящем для использования в тяговых инверторах и модульных конструкциях преобразователей. В статье приведены основные характерис...
Следующее поколение IGBT-модулей повышенной мощности
Высокомощные общепромышленные применения требуют добротной силовой компонентной базы с широким диапазоном рабочих токов, высокой надежностью, а также большой плотностью мощности и низкой индуктивностью. Для удовлетворения данных потребностей линейка высоковольтных модулей LV100, представленная в 2017 году [1], была адаптирована под нужды общепромышленных применений.
Нормирование теплового сопротивления IGBT:
базовые принципы и некоторые особенности
Выбор модуля IGBT для конкретных условий применения требует анализа его тепловых характеристик с учетом системы охлаждения и оценки их соответствия техническим требованиям, предъявляемым к системе (мощность, температура окружающей среды, профиль нагрузки, срок службы).
Для сопоставления тепловых свойств различных силовых ключей необходимо учесть следующие факторы:
• особенности конструкции мо...
Транзисторный компенсатор реактивной мощности
В разработанном компенсаторе реактивной мощности использованы силовые IGBT-модули фирмы Mitsubishi. Показано, что выбор силовых транзисторов производится по максимальному напряжению между коллектором и эмиттером и номинальному току через IGBT. Доказана возможность применения силовых модулей других производителей, имеющих идентичные основные параметры, как у IGBT-модулей Mitsubishi.
Седьмое поколение IGBT-модулей с новой SLC-технологией
Основными требованиями к силовым полупроводниковым компонентам являются высокая эффективность, большая плотность мощности и хорошая надежность. Для улучшения данных параметров компания Mitsubishi Electric разработала новую линейку промышленных IGBT-модулей серии NX7. С целью снижения потерь в данных устройствах применяются новые чипы седьмого поколения, а добиться увеличения плотности мощности ...