Обзор современных изолированных драйверов затворов MOSFET/IGBT
Мощные полевые МОП-транзисторы MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) и биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) являются одними из основных элементов современной силовой электроники и используются для коммутации больших токов и напряжений.
Для согласования низковольтных логических управляющих сигналов контроллера с уровнями у... 









отправка...








