Компоненты силовой электроники
Повышение качества измерений характеристик обратного восстановления высоковольтных тиристоров для последовательных сборок
К тиристорам в составе последовательных сборок предъявляется ряд специфических требований, к числу наиболее важных из них относятся требования синхронности функционирования всех тиристоров в сборке при включении и в процессе обратного восстановления. В статье описан комплекс оборудования, применяемый «Протон-Электротекс» для испытаний тиристоров, адаптированных для последовательных сборок. EiceDRIVER — семейство микросхем высоковольтных драйверов IGBT и MOSFET
В статье рассмотрено семейство микросхем драйверов компании Infineon Technologies для управления IGBT и MOSFET силовыми ключами инверторных схем с выходной мощностью до нескольких десятков киловатт. Области их применения — промышленные приводы, источники бесперебойного питания, индукционный нагрев, вентиляция, бытовая техника, электроинструменты. Приведены основные функциональные характеристики... Повышение эффективности силовой электроники за счет совершенствования конструкции IGBT-транзисторов
Компания Infineon разработала новую технологическую платформу, названную TrenchStop 5, которая характеризуется специальной конструкцией ячеек и сверхмалой толщиной полупроводниковых пластин, что позволяет одновременно снизить потери на проводимость и на переключение. Последний вариант данной технологии — HighSpeed 5 — предназначен для быстродействующих устройств, в частности ККМ или повышающих ... Новые транзисторы NX6.1 для промышленного применения
Под сегодняшние требования рынка преобразовательной техники вновь были усовершенствованы IGBT-кристаллы, имеющие CSTBT-структуру (Carrier Stored Trench Bipolar Transistor), являющиеся надежной основой силовых модулей и обладающие низкими динамическими и статическими потерями. Модули поколения 6.1, представленные в этой статье, содержат в себе CSTBT-транзисторы и обратные диоды (FwD) и... Разум и мускулы: ПЛИС управляет силовой электроникой
При разработке инвертора необходимо обеспечить четкое взаимодействие схемы управления и силового каскада. Путь к достижению наилучших характеристик — сочетание высокоразвитой программной логики с новейшими полупроводниковыми приборами, передовыми методами регулирования тепловых режимов и продуманной механической частью конструкции. Дискретные силовые MOSFET/IGBT-ключи c выводом Кельвина
Рассмотрены характеристики и особенности применения силовых MOSFET- и IGBT-транзисторов в новом дискретном четырехвыводном корпусе ТО-247-4. Использование дополнительного 4-го вывода истока/эмиттера (так называемого отвода Кельвина) позволяет исключить влияние паразитной индуктивности истока/эмиттера транзистора на выходное напряжение драйвера силового ключа и снизить потери при включении, в ко... Влияние времени включения высоковольтных IGBT-модулей на происходящие в них переходные процессы
В последнее время высоковольтные биполярные транзисторы с изолированным затвором (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor — HVIGBT) все чаще используются в качестве силовых ключей в таких требовательных к надежности областях, как электротранспорт и системы распределения энергии. Для подобного применения необходимы исчерпывающие данные о производительности и ограничениях HVIGBT-транзистор... О некоторых аспектах применения датчиков — преобразователей тока
При конструировании изделий с использованием датчиков тока приходится сталкиваться с рядом технических аспектов. Некоторые из них возникают лишь периодически и трудновоспроизводимы. Если они к тому же затрагивают не слишком популярные разделы электротехники, их порой возводят в ранг необъяснимых феноменов. Цель статьи — дать полезный обзор некоторых известных явлений и помочь инженер...


