Особенности проектирования преобразователей с SiC-модулями Cree.
Часть 1. Оценка влияния паразитных элементов

Паразитные индуктивности силовых коммутационных цепей оказывают большое влияние на выбор и использование модулей SiC MOSFET. Особенное значение имеет режим включения, при котором внутреннее перенапряжение модуля может стать критическим, однако не менее важны вопросы генерации электромагнитных помех (EMI).

Влияние входного фильтра на характеристики импульсных преобразователей постоянного напряжения

В статье с помощью линеаризованной малосигнальной модели рассматривается влияние входных фильтров нижних частот на характеристики импульсных преобразователей постоянного тока (конвертеров). Получены аналитические выражения передаточной функции и выходного напряжения, которые позволяют построить графики Боде и оценить степень воздействия фильтра.

Полный карбид-кремниевый MOSFET-модуль на 3,3 кВ: новый класс эффективности тяговых инверторов

Компания «Мицубиси Электрик» представляет новый силовой модуль на карбидкремниевых кристаллах диодов и транзисторов (Full SiC) с блокирующим напряжением 3,3 кВ и номинальным током 750 А. Устройство выходит на рынок в новейшем типоразмере корпуса LV100 [5], особенно подходящем для использования в тяговых инверторах и модульных конструкциях преобразователей. В статье приведены основные характерис...

Концепция мощного SiC-модуля со сверхнизкой коммутационной индуктивностью

Развитие технологии карбида кремния потребовало кардинального изменения подхода к проектированию корпусов силовых модулей. В мощных источниках питания, преобразователях для солнечной энергетики, медицинской техники и индукционного нагрева востребованы сильноточные быстрые ключи с номинальным током свыше 400 А. Сегодня на рынке предлагаются кристаллы SiC-диодов и SiC MOSFET, имеющие Inom до 50 А...

АО «Протон-Электротекс»: история успеха длиной в 25 лет

АО «Протон-Электротекс» готовится отметить свой 25-летний юбилей. Мы попросили начальника отдела маркетинга Алексея Александровича Черкасова рассказать о том, чего удалось достигнуть за эти годы, и о планах на будущее.

Алюминиевые электролитические конденсаторы с проводящим полимером

Алюминиевые электролитические конденсаторы — востребованные и привычные элементы электронной и электротехнической аппаратуры самого широкого профиля. Без их помощи невозможно решить многие вопросы, связанные с преобразованием и использованием энергии. Однако современное развитие техники требует изменений и в этих, можно сказать консервативных, элементах. Одним из перспективных направлений здесь...

Обзор IGBT-драйверов AgileSwitch

Современные драйверы силовых ключей должны отличаться повышенной эффективностью, широким функционалом и высокой надежностью. К сожалению, процесс разработки таких устройств требует большого опыта и значительных финансовых и временных затрат. Все это приводит к росту интереса к законченным модульным решениям. Данная статья посвящена обзору готовых драйверов IGBT-модулей от компании AgileSwitch. ...

Моделирование тепловых режимов работы IGBT-модулей в преобразовательной технике

В статье представлена разработанная АО «Протон-Электротекс» программа-симулятор, предназначенная для моделирования тепловых режимов работы IGBT-модулей

Графитовый термоинтерфейс от Panasonic

Эффективность работы силовых устройств и компонентов высокой мощности находится в прямой и непосредственной зависимости от эффективности теплоотвода. В некоторых областях электроники, например в вычислительном оборудовании, дальнейшее развитие и совершенствование процессоров просто невозможно без применения новых теплоотводящих материалов. Статья посвящена одному из них — искусственному графиту.

Виртуальная имитационная модель электромеханической системы на примере азимутального привода постоянного тока для исследования гелиоэнергетических установок

В статье предложен интерактивный и простой метод разработки детализованной модели системы подчиненного регулирования азимутального привода гелиоэнергетической установки в среде MATLAB + Simulink, известной как мощный инструмент для инженеров и ученых при разработке и моделировании систем. Метод разработки описывается пошагово, чтобы дать лучшее понимание студентам и инженерам.