Реклама

Учет влияния внутреннего сопротивления источника напряжения переменного тока на работу импульсного стабилизатора переменного напряжения
Исследуется влияние входного сопротивления источника напряжения переменного тока на свойства стабилизатора напряжения переменного тока, не только стабилизирующего величину напряжения, но и исправляющего его форму. Построена предельная непрерывная модель силовой части, учитывающая выходное сопротивление источника напряжения. Определена ее эквивалентная электрическая схема с регулируемыми парамет...

17.04.2020 | Источники питания
Оставить комментарий

Шунтирующий вентиль повышает надежность и долговечность тиристорных систем возбуждения
В системах тиристорного возбуждения электромашин и аппаратов используют мостовые выпрямители, обеспечивающие форсированное нарастание и снижение тока. Как показано авторами, более рационально использовать схему с шунтирующим тиристором.

16.04.2020 | Источники питания
Оставить комментарий

Изолированный или неизолированный DC/DC-преобразователь: что выбрать?
Что предпочтительнее — разработать, изготовить или купить уже готовое устройство, настроенное и испытанное, со всеми необходимыми сертификатами и гарантиями применительно к узлам и компонентам радиоэлектронной аппаратуры (РЭА)? Эта тема неоднократно поднималась на страницах разных изданий, в том числе и в журналах редакции «Компоненты и технологии». Применительно к DC/DC-преобразователям эта ди...

15.04.2020 | Источники питания
Метки:
Оставить комментарий

Транзисторный компенсатор реактивной мощности
В разработанном компенсаторе реактивной мощности использованы силовые IGBT-модули фирмы Mitsubishi. Показано, что выбор силовых транзисторов производится по максимальному напряжению между коллектором и эмиттером и номинальному току через IGBT. Доказана возможность применения силовых модулей других производителей, имеющих идентичные основные параметры, как у IGBT-модулей Mitsubishi.

14.04.2020 | Качество электроэнергии
Метки:
Оставить комментарий

Охлаждение силовых модулей: оценка эффективности жидкостных радиаторов в различных режимах работы
В процессе эксплуатации силовые полупроводниковые приборы генерируют тепло, которое необходимо отвести, обеспечив минимальный перегрев кристаллов относительно окружающей среды. В зависимости от конкретных условий эксплуатации для этой цели используется принудительное воздушное или жидкостное охлаждение. Первый способ, как правило, применяется в системах малой и средней мощности, не имеющих внеш...

13.04.2020 | Системы охлаждения
Метки:
Оставить комментарий

Инновационный дизайн тяговых приводов с конденсаторами CeraLink
Новые тяговые инверторы, разработанные компанией Scienlab electronic systems, имеют компактную, легкую конструкцию с высокой удельной плотностью мощности. Они могут быть легко адаптированы для самого широкого спектра приложений и прекрасно подходят для использования в таком бурно развивающемся сегменте индустрии, как электрические транспортные средства. Разработать новый инвертор стало возможны...

12.04.2020 | Электроприводы, Конденсаторы
Метки:
Оставить комментарий

Эмуляция аккумуляторных батарей с помощью источника питания
Сегодня практически все устройства — от самых крохотных, черпающих энергию из окружающей среды, до вездесущих смартфонов, бытовых приборов и электромобилей — используют аккумуляторы самых разных форм и размеров. Но при разработке инженерам неудобно использовать аккумуляторы для питания приборов в процессе повседневного тестирования. К примеру, чтобы проверить работу мобильного устройства при ра...

11.04.2020 | Источники питания, ХИТ, Измерительные приборы
Метки:
Оставить комментарий

Динамические и статические характеристики SiC MOSFET при параллельном включении
Нюансы, связанные с параллельной работой высокоскоростных приборов SiC MOSFET, по сравнению с кремниевыми ключами исследованы очень слабо. В статье рассматриваются особенности параллельного включения карбидокремниевых (SiC) полевых транзисторов. Изучаются параметры, влияющие на статическое и динамическое распределение токов данных устройств, исследована зависимость этих параметров от температур...

10.04.2020 | Компоненты силовой электроники, MOSFET, SiC
Метки:
Оставить комментарий

Новое поколение преобразовательных систем на основе карбидокремниевых силовых ключей
Мировая экономика имеет несомненный выигрыш от технологических инноваций и непрерывного совершенствования высоко интегрированных и надежных преобразовательных систем. Однако недостатком этого процесса являются более высокие энергетические затраты и негативные экологические эффекты, связанные с освоением и выпуском продуктов, потребляющих большее количество энергии.

09.04.2020 | Компоненты силовой электроники, MOSFET, Технологии, SiC
Метки:
Оставить комментарий

Транзисторы на карбиде кремния: перспективы развития и снижение себестоимости готового изделия
Физические параметры материала SiC значительно превосходят параметры кремния (Si) и арсенида галлия (GaAs). Так, электрическая прочность SiC в 10 раз выше, удельное сопротивление достаточно низкое, радиационная стойкость высокая, крайне малые обратные токи благодаря относительно большой ширине запрещенной зоны, высокая теплопроводность компонентов на SiC, высокое быстродействие, высокие допусти...

08.04.2020 | Компоненты силовой электроники, Транзисторы, SiC, GaAs
Метки:
Оставить комментарий

Наши журналы:
© Copyright 2026 Силовая электроника