«Ответ» на вызовы прогресса

Непрерывный прогресс в области рабочих характеристик силовых полупроводниковых компонентов порождает потребность в соответствующем усовершенствовании технологий корпусирования. Компания Infineon вот уже более двух десятилетий вносит свой вклад в эту эволюцию. Благодаря анонсированному в 2014 г. «Ответу» (The Answer) разработчики теперь могут удовлетворить самые строгие требования к...

Суперконденсатор GS Group успешно прошел испытания в лаборатории «ТЕСТПРИБОР»

GS Group получил заключение лаборатории «ТЕСТПРИБОР» о тестировании уникальной разработки холдинга — водно-щелочного суперконденсатора на основе наноуглеродной ткани. Испытания, которые продолжались на протяжении почти 2,5 месяца, подтвердили соответствие устройства техническим характеристикам, заявленным производителем. Суперконденсаторы — элементы накопления электроэнергии, которые в отличие от электрохимических аккумуляторов практически мгновенно заряжаются и отдают электроэнергию, кратковременно компенсируя мощности в десятки мегаватт. Они работают в более широком диапазоне температур ...

Полный карбид-кремниевый MOSFET-модуль на 3,3 кВ: новый класс эффективности тяговых инверторов

Компания «Мицубиси Электрик» представляет новый силовой модуль на карбидкремниевых кристаллах диодов и транзисторов (Full SiC) с блокирующим напряжением 3,3 кВ и номинальным током 750 А. Устройство выходит на рынок в новейшем типоразмере корпуса LV100 [5], особенно подходящем для использования в тяговых инверторах и модульных конструкциях преобразователей. В статье приведены основные характерис...

Концепция мощного SiC-модуля со сверхнизкой коммутационной индуктивностью

Развитие технологии карбида кремния потребовало кардинального изменения подхода к проектированию корпусов силовых модулей. В мощных источниках питания, преобразователях для солнечной энергетики, медицинской техники и индукционного нагрева востребованы сильноточные быстрые ключи с номинальным током свыше 400 А. Сегодня на рынке предлагаются кристаллы SiC-диодов и SiC MOSFET, имеющие Inom до 50 А...

Алюминиевые электролитические конденсаторы с проводящим полимером

Алюминиевые электролитические конденсаторы — востребованные и привычные элементы электронной и электротехнической аппаратуры самого широкого профиля. Без их помощи невозможно решить многие вопросы, связанные с преобразованием и использованием энергии. Однако современное развитие техники требует изменений и в этих, можно сказать консервативных, элементах. Одним из перспективных направлений здесь...

Обзор IGBT-драйверов AgileSwitch

Современные драйверы силовых ключей должны отличаться повышенной эффективностью, широким функционалом и высокой надежностью. К сожалению, процесс разработки таких устройств требует большого опыта и значительных финансовых и временных затрат. Все это приводит к росту интереса к законченным модульным решениям. Данная статья посвящена обзору готовых драйверов IGBT-модулей от компании AgileSwitch. ...

Моделирование тепловых режимов работы IGBT-модулей в преобразовательной технике

В статье представлена разработанная АО «Протон-Электротекс» программа-симулятор, предназначенная для моделирования тепловых режимов работы IGBT-модулей

CoolSiC MOSFET в приводах: доказанная эффективность

В статье приводятся преимущества силовых SiC-ключей по сравнению с традиционными IGBT в приводных применениях.

Малое может иметь большое значение

Статья посвящена особенностям и применению датчиков тока компании HARTING Electric.

SiC-диоды Шоттки: снижение потерь в режиме жесткой коммутации

Замена кремниевых сверхбыстрых (Ultrafast) Si-диодов с плавной характеристикой восстановления, используемых в качестве оппозитных IGBT в режиме жесткой коммутации, на карбидокремниевые диоды Шоттки (SiC Schottky) позволяет снизить коммутационные потери в диоде на 80% и в IGBT на 50%.