Преимущества нового поколения SiC MOSFET в системах высокой мощности

Появление фотооптических инверторов (PV) и электромобилей (EV) обусловило растущие требования по повышению плотности мощности и эффективности силовых преобразователей. Карбид кремния (SiC) является основным кандидатом для решения этой задачи, поэтому он остается объектом растущего интереса в течение последнего десятилетия. Повышающий преобразователь является неотъемлемой частью большинства прео...

Комплементарные биполярные транзисторы категории качества «ВП» 2Т544А9-В9, 2Т545А9-В9

Высокочастотные комплементарные биполярные n-p-n-транзисторы 2Т544А9, 2Т544Б9, 2Т544В9 и p-n-p-транзисторы 2Т545А9, 2Т545Б9, 2Т545В9 предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.

Измерение потерь в элементах с реактивным сопротивлением, работающих на высоких коммутационных частотах

В статье рассматривается метод измерения и анализа потерь в катушках индуктивности (дросселей) с использованием анализатора электрической мощности.

Разработка силового модуля для автопрома и сельскохозяйственного транспорта

В статье объясняется причина выдвижения все новых, зачастую противоречивых технических требований, которые необходимо учитывать при разработке новых силовых модулей на базе IGBT для электрооборудования автомобилей массового и коммерческого применения, а также для грузовых автомобилей и сельскохозяйственных транспортных средств.

Создание карбида кремния.
Повышение плотности мощности и эффективности

Процесс изготовления SiC-подложек подробно описан в первой части статьи («Силовая электроника», №4'2017, с. 4), возможные структуры SiC-приборов были предметом обсуждения во второй части («Силовая электроника», №5'2017, с. 14). Третья часть серии статей посвящена особенностям готовой продукции.

Комплексная методология определения надежности GaN-транзисторов

В настоящее время компания Texas Instruments разрабатывает комплексную программу оценки качества и надежности компонентов, основанную на фундаментальных характеристиках нитрида галлия (GaN) и применении соответствующих методик испытаний, направленных на повышение надежности выпускаемых компанией приборов, выполненных по GaN-технологии. Темой, поднятой в предлагаемой статье, представленной в ори...

Выбор пассивных компонентов для неизолированного импульсного источника питания

В статье приведен краткий обзор пленочных конденсаторов китайской фирмы BM, выпускаемых на основе полипропиленового диэлектрика. Особое внимание уделено индуктивным компонентам Pulse Electronics для импульсных источников питания, их разновидностям, видам потерь и методике оптимального подбора необходимого компонента.

Эффективный ККМ, выполненный с применением МК по принципу двухфазной модуляции тока.
Сравнение с решением на базе SiC MOSFET

Эффективность мощных (3 кВт и более) AC/DC-преобразователей с корректором коэффициента мощности (ККМ) является важным фактором, который, в свою очередь, зависит от многих аспектов проектирования, включающих отведение тепла, размеры конструкции и принципы охлаждения. Соображения экономики также вносят свой вклад, являясь формой участия конечного заказчика в процессе проектирования. Технологическ...

Оптимизация конструкции медных шин для соединения накопителей энергии

Статья посвящена численному моделированию различных конструкций медных шин для соединения накопителей энергии. В результате работы выбран способ соединения между элементами на основе распределения плотности тока и температуры в медных проводниках.

Новые компенсационные датчики тока — достижение отличных характеристик без увеличения затрат

Компенсационные датчики тока на эффекте Холла, при всех своих достоинствах, обладают и присущими «холловским» датчикам недостатками. В статье описана новая серия компактных компенсационных датчиков тока LEM на эффекте Холла, в которых, благодаря примененным новым технологическим решениям, эти недостатки были преодолены