Характеристики электромагнитных помех в системе электропитания и методы борьбы с ними

В статье описаны причины возникновения электромагнитных помех (EMI) в системе электропитания, приведен обзор их типов, а также рассмотрены варианты по организации электромагнитной совместимости системы электропитания, в основе которой находятся DC/DC-преобразователи SynQor.

Повышение производительности IGBT 5 за счет оптимизации конструкции модуля

Повышенная тепловая мощность (Tvj,op=+175 °C) IGBT 5-го поколения и контролируемые по эмиттеру диоды (emitter controlled diode) компании Infineon Technologies позволяют увеличить рабочий ток силовых модулей, используемых в инверторных приложениях.

Силовые SiC-модули для высоковольтных приложений

Разработка силовых приборов с высоким рабочим напряжением (6,5 кВ и выше) позволила передавать большую мощность при заданном токе и уменьшить количество ключей, необходимых для реализации данных величин напряжения в многоуровневых преобразователях. Силовые приборы на основе карбида кремния имеют значительно большее блокирующее напряжение (до десятков киловольт), более высокие частоты коммутации...

Компараторы, операционные усилители и стабилизаторы напряжения

Сравнительные характеристики силовых ИМС производства холдинга «ИНТЕГРАЛ».

Высоковольтный импульсный регулятор автомобильного класса LM5001-Q1 компании Texas Instruments

В статье приведена структура и дано подробное описание работы микросхемы высоковольтного импульсного регулятора автомобильного класса LM5001-Q1 компании Texas Instruments, а также рассмотрены основные особенности ее применения. Представлены все возможные режимы работы микросхемы, суть способа управления по току и компенсации наклона кривой тока. Объяснены принципы работы схем ограничения тока,...

Высококачественные алюминиевые электролитические конденсаторы для индустриального применения

Epcos является производителем пассивных электронных компонентов: конденсаторов, дросселей, катушек индуктивности, фильтров, разрядников, ферритов и др. В статье предлагается краткий обзор характеристик недавно выпущенных компанией алюминиевых электролитических конденсаторов для различных видов монтажа. Данные устройства предназначены для применения в оборудовании, являющемся промежуточным звено...

Инновационный конденсатор для широкозонных полупроводников

В последние годы в мире обозначился тренд на замену обычных полупроводников на основе кремния приборами широкозонной (WBG) технологии на основе нитрида галлия (GaN) и карбида кремния (SiC). Новое поколение силовых приборов требует очень многого и от пассивных компонентов, в частности от конденсаторов звена постоянного тока. Благодаря высочайшей компетентности в применении материалов и конструк...

Оценка стойкости диодов Wolfspeed SiC Шоттки к dV/dt с помощью генератора импульсов на основе лавинного транзистора

В данной работе дано описание скоростного высоковольтного генератора импульсов, используемого для оценки стойкости карбидокремниевых диодов компании Wolfspeed к dV/dt. Разработка схемы и конструкции, а также измерение характеристик высокоскоростного генератора импульсов будут описаны вместе с оценкой стойкости к dV/dt SiC-диодов Шоттки с напряжением 600 и 1200 В.

Выбор полумостового резонансного LLC-преобразователя и MOSFET первичной стороны

Современные источники питания должны отвечать трем основным требованиям: иметь высокую эффективность, высокую плотность энергии и компонентов. В настоящее время все большее применение получают полумостовые LLC-преобразователи благодаря большей эффективности (меньшим коммутационным потерям) и высокой частоте коммутации. Правильный выбор силовых ключей для этих топологий — сложная задача, посколь...

Силовые диоды, транзисторы и модули компании Microsemi

Активная деятельность Microsemi на рынке электронных компонентов, включающая в себя как производство новых устройств, так и поглощение профильных компаний, выпускающих интересные и перспективные изделия, приводит к тому, что ассортимент выпускаемой компанией продукции постоянно расширяется. В настоящее время спектр предлагаемых Microsemi полупроводниковых устройств простирается от обычных дискр...