Индуктивные компоненты для безопасной работы в «серой зоне»

Литий-ионные аккумуляторы являются взрывоопасными зарядными устройствами, обращение с которыми требует осторожности, особенно в случае их пере- и недозаряда, когда аккумуляторные батареи работают в так называемой «серой зоне». Трудность осторожного обращения и сохранения работоспособности аккумулятора во время заряда/разряда растет пропорционально увеличению его емкости и сложности конструкции...

Новый модуль Infineon с IGBT 7 — высокая производительность при высочайшей плотности мощности

В статье обсуждаются технические аспекты нового модуля EconoDUAL 3 с транзисторами средней мощности TRENCHSTOP IGBT 7 и соответствующего ему управляемого эмиттером диода EC7 для применения в индустриальных приводах общего назначения.

Первое семейство силовых модулей без базовых плат от Microchip по авиакосмическим стандартам

Компания Microchip Technology анонсирует первые в отрасли силовые модули без базовых плат, предназначенные для авиакосмической отрасли, которые позволяют повысить эффективность и уменьшить массогабаритные показатели систем преобразования мощности и управления электроприводами. Эти модули были разработаны совместно с консорциумом Clean Sky — государственно-частным партнерством между Европейской комиссией и европейской авиакосмической отраслью. Силовые модули BL1, BL2 и BL3 отвечают жестким требованиям авиакосмической отрасли к выхлопным газам, позволяя к 2050 году исключить вредное влияние ...

Конструкция и принцип действия CIBH-диода

Представлена новая технология реализации вертикальной архитектуры обратных диодов, оптимизированная для применения при высоких частотах переключения. В целях минимизации потерь при выключении IGBT воплощена идея диода с контролируемой инжекцией дырок за границу p-n-перехода (Controlled Injection of Backside Holes), или CIBH-диода.

О простом порошке и бизнес-этике

Мы не сомневаемся, что в свое время всем набила оскомину реклама стирального порошка Ariel и его сравнение с «обычным порошком». Однако при всей примитивности мысли в этом ролике четко прослеживается простое правило, принятое во всех цивилизованных странах: «Хвали себя, а покупатель сам разберется». К сожалению, наш рынок пока далек от цивилизованного, и зачастую мы встречаемся с примерами неко...

Трансформаторы с уменьшенными бросками тока намагничивания и пониженными потерями на гистерезис сердечника. Перемагничивание ферромагнетиков

Статья посвящена исследованию свойств новых силовых трансформаторов типа MTS, конструктивной особенностью которых является использование стержней-обмоток — деталей, выполняющих одновременно две функции: одной или всех обмоток трансформатора и стержней ферромагнитного сердечника или всего этого сердечника. Кратко описаны новые трансформаторы, технологии и свойства материалов для их изготовления;...

Исследование энергии динамических потерь в силовых модулях NPT IGBT с прозрачным эмиттером

Представлены результаты экспериментального исследования динамических характеристик отечественных силовых модулей NPT IGBT с прозрачным эмиттером. Измерение энергии динамических потерь проведено с учетом составляющих на интервалах установления стационарных состояний, информация по которым, как правило, отсутствует в паспортных данных и каталогах.

Эрих Никлас:
«Из узкой ниши карбид-кремниевые силовые полупроводники выйдут на массовый рынок»

Подразделение силовых компонентов компании Сree известно как крупнейший производитель диодов на основе карбида кремния (SiC), применяемых в системах контроля и управления питанием различных устройств. Вместе с тем в силовой электронике технология SiC новая и малоосвоенная. О проблемах серийного производства SiC-компонентов и перспективах технологии нам рассказал Эрих Никлас (Erich Niklas), мене...

Карбид кремния выводит диоды Шоттки 17-го класса на новый уровень

Хотя карбид кремния (SiC) был открыт Йенсом Якобом Берцелиусом (Jöns Jakob Berzelius) еще в начале XIX в., для производства коммерческих полупроводников этот материал стал применяться только в последние 20 лет. Впервые SiC был использован в серийном производстве для изготовления сверхъярких голубых и зеленых светодиодов компании Cree. И только семь лет назад началось производство коммерческих 6...

Последние достижения технологий высоковольтных IGBT

В настоящей статье рассматривается влияние космического излучения на частоту отказов мощных полупроводниковых устройств в условиях приложенного к ним высокого напряжения. Демонстрируется усовершенствованная конструкция модулей высоковольтных IGBT номинальным напряжением 6,5 кВ, позволяющая повысить долговременную стабильность при постоянном напряжении без ущерба электрическим характеристикам, а...