Особенности разработки IGBT-драйверов на основе ядра SCALE-2

Выпущенное в 2010 г. фирмой CT-Concept драйверное ядро, названное SCALE-2, является развитием популярного ядра SCALE-1, на основе которого уже много лет серийно производятся драйверы для управления IGBT-модулями практически всех мировых производителей [1]. Ядра также предназначены для драйверов MOSFET и модулей на их основе. Преимущества, технические характеристики и области применения нового я...

CT Concept: made in Russia

Драйверы CT Concept прочно вошли в жизнь разработчиков силовой электроники. Но во всем есть свои достоинства и недостатки. Компания CT Concept — не отечественный производитель, а в наше время такой минус может перечеркнуть все оставшиеся плюсы. Чтобы обойти данную проблему, «Электрум АВ» предлагает новую серию аналогов драйверов от CT Concept.

Расчет потерь мощности при коммутации МОП-транзистора

Расчет потерь мощности при переключении МОП-транзистора не так прост, как кажется на первый взгляд. Необходимо учитывать множество факторов. К примеру: как отличаются потери транзисторов разных плечей? Каковы потери при переключении в устройствах средней и низкой мощности? Как могут помочь уникальные особенности каждого МОП-транзистора при разработке высокоэффективного устройства?

Современные продукты компании IXYS.
Обзор силовых IGBT-модулей

В каталоге IXYS 2011 г. представлена продукция в следующих категориях: силовые приборы; микросхемы специального (ASIC) и общего применения; микропроцессоры; мощные ВЧ/СВЧ полупроводниковые приборы; модули и системы; дисплеи; приборы для источников «зеленой» энергии. Перечислим некоторые новые разработки, представленные компанией летом/осенью 2011 г.

Аналоги драйверов IGBT и MOSFET от Mitsubishi, выпускаемые «Электрум АВ»

Драйверы транзисторов с полевым управлением М57962L и VLA500-01 производства Mitsubishi традиционно пользуются большой популярностью у разработчиков преобразователей малой и средней мощности. Теперь аналогичные драйверы выпускаются и отечественным производителем.

Усовершенствованная технология сборки 600-А модулей EconoDUAL3 фирмы Infineon

Повышение плотности мощности при разработке силовых модулей актуально не только для новых, но и для уже существующих корпусов. Их модернизация связана с решением двух главных проблем — удовлетворение растущих требований к допустимой токовой нагрузке (в амперах) и к отводу тепла. За счет адаптации традиционных корпусов к более высокому уровню мощности можно модернизировать схемы существующих инв...

Мощные тиристоры с прямым управлением светом и лазерные волоконно-оптические модули управления для высоковольтных применений

Представлены результаты разработки серии высоковольтных тиристоров, управляемых светом (фототиристоров) и лазерных волоконно-оптических модулей (ВОМ) для высоковольтной передачи постоянного тока, статических компенсаторов энергии, преобразователей высоковольтных электроприводов, импульсной техники.

Новое поколение IGBT-модулей с увеличенным сроком службы

На протяжении последних десятилетий характеристики модулей IGBT определялись свойствами самих IGBT и обратных диодов. Роль здесь играют не только электрические параметры, но и применяемые технологии сборки, от которых в первую очередь зависит срок службы силовых модулей. В настоящей статье описывается новый пакет технологий соединения .XT, который позволяет преодолеть существующие ограничения н...

Модули серии Б0 запущены в массовое производство от «Протон-Электротекс»

Компания «Протон-Электротекс» сообщает о запуске серийного производства однопозиционных диодных и тиристорных модулей Б0. Модули Б0 имеют конструкцию с улучшенными электрическими и тепловыми параметрами, что позволило разработчикам обеспечить значение IFAV/ITAV до 700 А. Диапазон напряжения UDRM/URRM варьируется в пределах 1000–6500 В. При этом новые модули получили корпус промышленного стандарта с шириной основания 50 мм, что упростит их применение в существующем оборудовании. Серия Б0 имеет следующие основные особенности: прижимная конструкция модуля; корпус промышленного ...

Новые высоковольтные мощные тиристоры со встроенными в полупроводниковую структуру элементами защиты в аварийных режимах

Несмотря на значительное развитие преобразовательной техники на базе полностью управляемых полупроводниковых ключей (IGBT, GTO, IGCT), для ряда областей применения, особенно в высокомощной и высоковольтной силовой электронике, по-прежнему технически оправданным и востребованным остается применение «традиционных» мощных тиристоров.
В статье рассмотрены основные тенденции развития этого типа с...