Повышая скорость: SiC-модули Mitsubishi Electric

Во втором номере журнала «Силовая электроника» 2018 года была опубликована статья о новейшей разработке компании на то время — полумостовых модулях напряжением 3,3 кВ на основе карбида кремния (SiC), рассчитанных на тяговые применения [1]. Сейчас, всего год спустя, технологии в области SiC продвинулись существенно дальше — завершается разработка кристаллов на 6,5 кВ. В данной статье представлен...

Новые транзисторы NX6.1 для промышленного применения

Под сегодняшние требования рынка преобразовательной техники вновь были усовершенствованы IGBT-кристаллы, имеющие CSTBT-структуру (Carrier Stored Trench Bipolar Transistor), являющиеся надежной основой силовых модулей и обладающие низкими динамическими и статическими потерями. Модули поколения 6.1, представленные в этой статье, содержат в себе CSTBT-транзисторы и обратные диоды (FwD) и...

Влияние времени включения высоковольтных IGBT-модулей на происходящие в них переходные процессы

В последнее время высоковольтные биполярные транзисторы с изолированным затвором (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor — HVIGBT) все чаще используются в качестве силовых ключей в таких требовательных к надежности областях, как электротранспорт и системы распределения энергии. Для подобного применения необходимы исчерпывающие данные о производительности и ограничениях HVIGBT-транзистор...

Седьмое поколение IGBT-модулей «Мицубиси Электрик» с блокирующим напряжением 1,7 кВ

Основными требованиями, предъявляемыми к общепромышленным системам электроприводов и источникам питания, являются высокая надежность, эффективность и большая плотность мощности при конкурентной стоимости. Главный фактор для достижения всех перечисленных свойств — уровень потерь мощности в ключах. Снижение потерь позволяет сократить температуру кристаллов. В результате увеличивается срок службы ...

Полный карбид-кремниевый MOSFET-модуль на 3,3 кВ: новый класс эффективности тяговых инверторов

Компания «Мицубиси Электрик» представляет новый силовой модуль на карбидкремниевых кристаллах диодов и транзисторов (Full SiC) с блокирующим напряжением 3,3 кВ и номинальным током 750 А. Устройство выходит на рынок в новейшем типоразмере корпуса LV100 [5], особенно подходящем для использования в тяговых инверторах и модульных конструкциях преобразователей. В статье приведены основные характерис...

LV100 — полумостовой модуль для тяговых инверторов новых поколений

Статья посвящена новому типу полумостовых высоковольтных IGBT-модулей, разработанных, в первую очередь, для железнодорожных (ж/д) тяговых применений. Продукт получил название LV100 (Low Voltage 100) — ввиду напряжения изоляции 6 кВ и ширины корпуса 100 мм. Вторая модификация с напряжением изоляции 10,4 кВ носит имя HV100 (High Voltage 100). Обе версии имеют полумостовую топологию, а также идент...

Следующее поколение IGBT-модулей повышенной мощности

Высокомощные общепромышленные применения требуют добротной силовой компонентной базы с широким диапазоном рабочих токов, высокой надежностью, а также большой плотностью мощности и низкой индуктивностью. Для удовлетворения данных потребностей линейка высоковольтных модулей LV100, представленная в 2017 году [1], была адаптирована под нужды общепромышленных применений.

Седьмое поколение IGBT-модулей с новой SLC-технологией

Основными требованиями к силовым полупроводниковым компонентам являются высокая эффективность, большая плотность мощности и хорошая надежность. Для улучшения данных параметров компания Mitsubishi Electric разработала новую линейку промышленных IGBT-модулей серии NX7. С целью снижения потерь в данных устройствах применяются новые чипы седьмого поколения, а добиться увеличения плотности мощности ...

Новая серия высоковольтных IGBT-модулей с улучшенными параметрами надежности

Необходимый период безотказной работы силовых полупроводниковых приборов, устанавливаемых в ответственных устройствах и системах, в настоящее время достигает 30 лет. Чтобы удовлетворить столь высокие требования к надежности, компания Mitsubishi Electric разработала новую линейку высоковольтных IGBT-модулей (HVIGBT) с использованием последних достижений в области разработки чипов, получившую наз...

Типовое испытание высоковольтного IGBT-модуля с драйвером СT-Concept на специализированном стенде Mitsubishi Electric

В статье представлены результаты испытаний высоковольтного IGBT-модуля CM1200HG-90R производства Mitsubishi Electric в работе с драйвером 1SP0335V2M1 фирмы CT-Concept, выполненных посредством нового лабораторного стенда, введенного в эксплуатацию в московском офисе компании. Приведено краткое описание лабораторной установки и основных ее параметров, изложена методика тестирования, показаны разл...