В статье описываются структуры, алгоритмы работы и параметры ограничителей пускового тока для систем вторичного электропитания постоянного тока. Рассматриваются вопросы повышения надежности при увеличении выходной мощности, расширения функциональных возможностей. 
Конструкция изолированных датчиков тока постоянно изменяется, что обусловлено требованиями снижения стоимости и размеров. В соответствии с этой тенденцией было разработано новое семейство интегральных сенсоров, не нуждающихся в магнитной цепи и размещаемых в стандартных малогабаритных корпусах интегральной микросхемы. Тщательная проработка конструкции позволила обеспечить точность, соизмеримую ... 
Частотные свойства и динамические характеристики IGBT во многом определяют выбор модуля для конкретных условий работы. В спецификациях силовых ключей параметры переключения приводятся для фиксированных режимов, определенных изготовителем. Внимательный анализ технической документации показывает, что разные производители используют отличающиеся условия нормирования. Более того, иногда они указаны... 
Проведено экспериментальное исследование влияния параметра dV/dt на пробой SiC-диодов Шоттки производства ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» при подаче импульса обратного напряжения. Исследование проведено с помощью разработанного отечественного тестера, позволяющего генерировать импульсы с величиной dV/dt = 50–200 В/нс. Установлено, что серийно выпускаемые и вновь создававаемые SiC-диоды Шоттки ЗАО «ГРУП... 
В статье приведен краткий обзор технологического процесса и основных единиц оборудования, применяемых в производстве силовых IGBT-модулей АО «ПРОТОН–ЭЛЕКТРОТЕКС». Освоение производства этих компонентов стало важным этапом стратегии развития предприятия и обещает стать ключевым звеном его продуктовой программы. В связи с переходом мировой экономики к использованию энергосберегающих и возобновляе... 
Компании Infineon Technologies и TDK объединили свои усилия для разработки универсального интегрированного решения для инверторов, которые могут быть с успехом использованы в силовых агрегатах электромобилей и найти применение в широком спектре индустриальных приложений. Предложенная конструкция позволяет разработчикам быстро и легко проверять и реализовывать концепции самых различных приводов ... 
За последние сто пятьдесят лет человечество в плане технического развития нашей цивилизации совершило такой прорыв, результаты которого превысили все, что было достигнуто с момента ее зарождения до конца XIX в. И это развитие продолжается ускоренными темами, в обиход входят все новые и новые устройства, потребляющие электроэнергию. Ученые предупреждают, что развитие цивилизации может замедлитьс... 
В статье приведены экспериментальные данные режима насыщения некоторых типов современных BISS-транзисторов. Показано, что для них применимы критерии режима насыщения, в частности — коэффициент передачи тока в режиме насыщения h21нас, разработанный ранее для традиционных ключевых биполярных транзисторов. 
В статье рассмотрены некоторые аспекты создания импульсного источника тока (ИТ), в частности — способы снижения величины пульсаций выходного тока и вопросы устойчивости регулирования. Рассмотрены особенности работы многофазных импульсных ИТ. Публикуемые материалы собраны на основе опыта разработки импульсного двухфазного ИТ мощностью 3 кВт (100 В, 30 А). 