В РФ действует аналогичный стандарт ГОСТ IEC/TS 60034-18-41-2014 «Машины электрические вращающиеся. Часть 18-41», определяющий время нарастания импульса на выходе инвертора в пределах 0,05–2,0 мкс.
CAPZero-2: экономия должна быть экономной, или
Как можно эффективно снизить потери мощности там, где и снижать-то вроде бы нечего
За последние сто пятьдесят лет человечество в плане технического развития нашей цивилизации совершило такой прорыв, результаты которого превысили все, что было достигнуто с момента ее зарождения до конца XIX в. И это развитие продолжается ускоренными темами, в обиход входят все новые и новые устройства, потребляющие электроэнергию. Ученые предупреждают, что развитие цивилизации может замедлитьс... BISS-транзисторы в режиме насыщения
В статье приведены экспериментальные данные режима насыщения некоторых типов современных BISS-транзисторов. Показано, что для них применимы критерии режима насыщения, в частности — коэффициент передачи тока в режиме насыщения h21нас, разработанный ранее для традиционных ключевых биполярных транзисторов. Пути уменьшения пульсаций в импульсном источнике тока
В статье рассмотрены некоторые аспекты создания импульсного источника тока (ИТ), в частности — способы снижения величины пульсаций выходного тока и вопросы устойчивости регулирования. Рассмотрены особенности работы многофазных импульсных ИТ. Публикуемые материалы собраны на основе опыта разработки импульсного двухфазного ИТ мощностью 3 кВт (100 В, 30 А). Проектируем инвертор вместе с дистрибьюторской компанией ЭИК
Если вам когда-нибудь приходилось заказывать комплектацию для своих разработок, или закупка и доставка компонентов является вашей прямой служебной обязанностью, вы, конечно, знаете, сколько времени отнимает рассылка почты с запросами по разным дистрибьюторским компаниям. Скорее всего, дело не ограничится только посылкой запросов по электронной почте, вам еще придется потратить немало времени на... Радиотехника: нелинейные и импульсные системы
ООО НПП «Учтех-Профи» продолжает развитие перспективного направления «Теория автоматического управления», позволяющего студентам электротехнических и не электротехнических специальностей вузов провести базовый курс лабораторных работ по изучению основ ТАУ линейных, а также импульсных и нелинейных систем, исследованию методов коррекции и построения замкнутых систем автоматического управления. В ... Cерия модулей SEMiX Press-Fit с кристаллами седьмого поколения Gen 7 от SEMIKRON
Компания SEMIKRON представляет новое поколение модулей седьмого поколения IGBT с сигнальными выводами, подключаемыми методом прессовой посадки (Press-Fit).
Семейство модулей IGBT в конструктиве SEMiX3p press-fit (Econo Dula) пополнилось новым, седьмым поколением компонентов с номинальным током 200, 300, 450, 600 и 700 А. Самым мощным элементом семейства является SEMiX703GB12M7p, отличающийся высшими показателями плотности мощности для IGBT в конструктиве 17 мм. Расположение сигнальных выводов SEMiX3p совместимо с топологией контактов серийно выпускаемых модулей Econo Dual, что дает ... Фильтр для защиты от мощного электромагнитного импульса от API Technologies
Компания API Technologies представляет фильтр для защиты от мощного электромагнитного импульса.
Основные характеристики:
Защита оборудования от высокого электромагнитного импульса, в том числе электромагнитного эффекта, создаваемого ядерным взрывом.
Защита оборудования от молний и геомагнитных бурь.
Токи: 6/16/30 А.
Постоянное напряжение: 24/48/72 В.
Переменное напряжение: 125 и 250 В.
Возможно изготовление под требования заказчика.
Биполярные транзисторы в SMD-корпусе SOT-23 от ГК «КРЕМНИЙ Эл»
ГК «КРЕМНИЙ Эл» приступила к серийному выпуску транзисторов категории качества «ВП» 2Т228_9–2Т235_9, полных аналогов импортных компонентов серий ВС8хх.
Изделия предназначены для применения в аппаратуре спецназначения и соответствуют следующим уровням стойкости к СВВФ: 7.И6 — 4Ус, 7.И7 — 0,7×5Ус, 7.С4 — 5Ус, 7.К1 — 2К, 7.К4 — 1К, 7.К11 (7.К12) — 60 МэВ•см2/мг.
Ключевые параметры:
UКЭ0гр = 30–65 В;
IКmax = 0,1–0,5 А.
www.group-kremny.ru Топ-модель драйвера SKYPER 42 LJ PV
Компания SEMIKRON представляет новую версию цифрового ядра SKYPER 42LJ с расширенными функциональными возможностями.
Топ-версия цифрового драйвера SKYPER 42 LJ PV отличается повышенной нагрузочной способностью (пиковый ток до 35 A), он может быть использован для управления модулями IGBT в двухуровневых и трехуровневых (3L NPC) инверторах с напряжением на DC-шине до 1500 В. Драйвер SKYPER 42 LJ PV удовлетворяет всем требованиям, предъявляемым к мощным многоуровневым схемам, он адаптирован для работы с модулями IGBT новейшего, седьмого поколения.
Серийная версия ядра SKYPER 42LJ уже ... 