Компания TDK совместно с Infineon Technologies разработала инверторы для электротранспорта, имеющие диапазон мощности от 10 до 150 кВт и обладающие КПД, превышающим 98%. Такой результат был достигнут благодаря отличному согласованию силовых модулей IGBT от Infineon и пассивных компонентов EPCOS и TDK. 
Источники питания (ИП) на DIN-рейке играют важную роль в промышленных применениях, но им редко уделяется достаточно внимания, несмотря на то, что отказ ИП может привести к остановке производства и, соответственно, к существенным финансовым затратам. Таким образом, качество ИП является одним из основных параметров при выборе данного прибора. 
Считая совершенно очевидной важность правильно разработанной в области (в данном случае, инверторной преобразовательной техники) терминологии, в настоящей статье мы делаем попытку наметить решения этой задачи [1]. Автономные (или независимые) инверторы следует разделять на инверторы тока, инверторы напряжения и согласованные [2-10] инверторы. Согласованные инверторы имеют внутренний (собственны... 
Применение феррозондовых технологий в датчиках, предназначенных для точного измерения тока, хорошо известно. Для повышения точности до уровня, превышающего возможности существующих сенсоров, нужны новые идеи. В статье приведен краткий обзор феррозондовых измерителей тока. Показано, как усовершенствование существующей архитектуры датчиков позволило разработать новое семейство сенсоров с улучшенн... 
Особенностям параллельной работы силовых ключей посвящены многие публикации, в частности, этот вопрос подробно рассмотрен в [2]. В данной статье проводится анализ распределения токов IGBT при использовании двух концепций управления затворами — «индивидуальной» (независимый драйвер на каждом модуле) и «центральной» (один мощный драйвер для всех параллельных ключей). 
Повышение эффективности путем использования высоковольтных SiC-диодов в повышающих преобразователях ККМ может применяться для увеличения выходной мощности и частоты переключения с целью снижения габаритов изделия или повышения его надежности. В то же время использование SiC-диодов Шоттки позволяет уменьшить EMI. 
Карбид кремния (SiC) является довольно молодым материалом в истории полупроводниковой промышленности по сравнению с кремнием (Si) или арсенидом галлия (GaAs), однако его истоки восходят к концу XIX в. В 1891 г. Эдвард Ачесон (Edward Acheson) разработал способ получения кристаллического SiC в качестве абразивного материала, и этот метод используется до сих пор. Первые минералогические исследован... 
Мощные полевые МОП-транзисторы MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) и биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) являются одними из основных элементов современной силовой электроники и используются для коммутации больших токов и напряжений.
Для согласования низковольтных логических управляющих сигналов контроллера с уровнями у... 
Пробой коллектор-эмиттер, возникающий при перенапряжении, одна из наиболее распространенных причин выхода из строя транзисторных преобразователей. Виной тому — недостаточно ответственный подход к защитным снабберным цепям инвертора. Но зачастую разработчик закладывает столь сложные снабберные схемы, что на их фоне сам транзисторный инвертор кажется несущественной частью преобразователя. Так как... 
В статье рассматриваются динамические процессы в схемах повышающего и понижающего преобразователей напряжения при обеспечении безопасной траектории переключения полупроводниковых элементов. 
