Конференция «Силовая электроника – 2026» состоится 28 мая 2026 года в Москве
Всё о микроэлектронике: «КОНСИСТ-ОС» пополнила серию бесплатных книг о цифровых технологиях
Твердотельное реле переменного тока с управлением по интерфейсу RS-485 (MODBUS RTU) от «Протон-Импульс»
Устройства для подвижного ж/д состава и аппаратуры ЖАТ производства ЗАО «Протон-Импульс»
Регулируемые источники питания переменного тока серии ПНБА ООО «НТЦ АКТОР» внесены в Госреестр
Компания «ЛИГРА»приступила к производству охладителей типа О57
Спектрометры Broadcom — обновление серии Qwave
Двунаправленный DC/DC-преобразователь 48S14.250BC от Calex с выходной мощностью 3500 Вт
Надежность передачи сигналов управления от драйвера к силовому модулю связана с рядом важных вопросов, одним из которых является влияние паразитных контуров. Особенно отчетливо это проявляется на высоких скоростях коммутации IGBT или при выходе из насыщения в случае перегрузки по току. В данной статье рассмотрены некоторые аспекты проблемы, а также рекомендации по ее решению. 
В статье рассматриваются двухфазные повышающие конвертеры, приводится описание их работы в качестве звена системы автоматического управления, определяются динамические характеристики, получены передаточные функции двухфазного повышающего конвертера по напряжению нагрузки и по входному току. 
Растущая необходимость в более эффективном производстве, распределении и преобразовании электроэнергии заставляет проводить исследования новых топологий преобразователей. В статье сравниваются важные параметры многоуровневых и трехуровневых повышающих преобразователей (ТПП), выполненных на основе переключающих конденсаторов и ограничительных диодов. Основное внимание уделено трехуровневому повы... 
В настоящее время имеется большая потребность в химических источниках тока для различных устройств, начиная от сотовых телефонов и кончая измерительными приборами для техники специального назначения, особенно в качестве аварийных. Литий-ионные аккумуляторы являются наиболее перспективными с точки зрения величины энергоемкости и минимальных габаритов (удельной энергоемкости) для обеспечения длит... 
Имеющиеся на сегодня источники питания (ИП), выполненные по технологии с использованием высокопроизводительных кремниевых полевых транзисторов и диодов Шоттки на основе карбида кремния, уже не являются достаточно эффективными, по крайней мере, в течение двух последних лет. Не так давно несколько производителей объявили о доступности транзисторов на основе нитрида галлия на кремнии, которые расс... 
Улучшенные характеристики новых компонентов силовой электроники позволяют использовать более высокие частоты преобразования и создавать более компактные импульсные источники питания (ИП). Предполагается, что в скором времени на смену традиционным компонентам (MOSFET или IGBT) придут новые полупроводниковые приборы, такие как полевые МОП-транзисторы с суперпереходом или полевые транзисторы на ос... 
Структурные динамические модели, построенные из звеньев направленного действия, являются эффективным средством анализа и синтеза систем управления и, в частности, импульсных преобразователей. Они наглядно показывают причинно-следственное взаимодействие элементов систем, облегчают исследование систем по частям, пригодны как для аналитического исследования, так и для моделирования, например в сис... 
Сегодня рынок автомобильной электроники принадлежит к числу наиболее динамично развивающихся, и здесь ежегодное повышение продаж полупроводниковых изделий составляет около 7%. Большинство инноваций в сфере автомобилестроения направлено на применение электронных приборов, чем и вызван неуклонный рост продаж полупроводниковой аппаратуры. Это связано с расширением представляемых услуг развлекатель... 
В статье представлено описание высоковольтных лабораторных источников питания постоянного напряжения высокой стабильности в настольном исполнении и для монтажа в стойку стандарта «Евромеханика». 
Современный уровень развития технологий микроэлектроники не только позволяет создавать интегральные схемы, состоящие из нескольких миллионов транзисторов, но и обеспечивает возможность реализации на одном полупроводниковом кристалле ранее несовместимых элементов с различными электрическими характеристиками — низковольтные и высоковольтные, низкочастотные и высокочастотные. В частности, это позв... 
отправка...