Advanced Trench HiGT IGBT с разделенным p-слоем для улучшения управляемости и устойчивости к нежелательным, но возможным воздействиям

В статье рассматривается структура чипа Advanced Trench HiGT (IGBT с высокой проводимостью), представлены характеристики новых Advanced Trench HiGT- модулей с рабочим напряжением 1700 В. Особенностью новой структуры является глубокий, выполненный отдельно от затвора плавающий р-слой, который, благодаря такому исполнению, оказывает значительно меньшее влияние на пазы затвора и на характеристику ...

О «феноменальном» поведении диодов

Повышение скорости коммутации и снижение уровня динамических потерь является одной из основных задач производителей компонентов силовой электроники. Однако проблемы, связанные с ростом уровней di/dt, намного сложнее, чем кажется на первый взгляд. Процесс переключения тока между IGBT и оппозитным диодом сопровождается различными вторичными эффектами. К ним относится прямое и обратное восстановле...

Исследования параметров и характеристик SIC-диодов Шоттки в гибридных IGBT-модулях ОАО «Электровыпрямитель»

Представлены результаты исследований параметров и характеристик карбидокремниевых диодов Шоттки на напряжение 1200 В, используемых в гибридных IGBT-модулях в качестве оппозитных диодов (freewheeling diode — FWD), а также в линейке высокочастотных SiC-диодных модулей.

Новая серия высоковольтных IGBT-модулей с улучшенными параметрами надежности

Необходимый период безотказной работы силовых полупроводниковых приборов, устанавливаемых в ответственных устройствах и системах, в настоящее время достигает 30 лет. Чтобы удовлетворить столь высокие требования к надежности, компания Mitsubishi Electric разработала новую линейку высоковольтных IGBT-модулей (HVIGBT) с использованием последних достижений в области разработки чипов, получившую наз...

Все, что надо знать про SOA

При выборе силового ключа для конкретного применения мы анализируем массу различных факторов, но очень редко задумываемся о таком важном показателе, как область безопасной работы (Safe Operating Area, SOA). Во многом это связано с тем, что появление современных MOSFET- и IGBT-модулей, допускающих коммутацию при номинальных значениях токов и напряжений, несколько снизило актуальность SOA для обе...

Новые IGBT-модули большой мощности Mitsubishi Electric и их интеграция с драйверами затворов компании Isahaya Electronics

Интегральные IGBT-модули большой мощности Mega Power Dual (MPD), входящие в серию NF, компания Mitsubishi Electric начала выпускать еще в середине 2000 года. В приборах этой серии использовались IGBT 5-го поколения, выполненные по технологии CSTBT.

Управление изолированными затворами MOSFET/IGBT, базовые принципы и основные схемы

Поведение современных силовых ключей MOSFET/IGBT в динамических режимах во многом определяется скоростью коммутации емкостей затвора. Перезаряд этих емкостей осуществляется устройством управления (драйвером), от параметров которого во многом зависят характеристики всего преобразовательного устройства. Динамические токи затвора у мощных ключей могут достигать десятков ампер, что является главной...

Мощные и эффективные IGBT седьмого поколения от IR

В статье представлена линейка 7-го поколения IGBT-транзисторов компании International Rectifier. Эти транзисторы найдут свое применение в приборах современной силовой электроники, где важны частотные характеристики и низкие потери проводимости.

Проблемы параллельного и последовательного соединения IGBT.
Часть 1. Параллельная работа IGBT

Статья посвящена проблеме увеличения мощности преобразования за счет параллельного и последовательного соединения силовых ключей и инверторных ячеек. Параллельная работа подобных элементов хорошо изучена и широко применяется на всех уровнях: от «микроскопического» (соединение элементарных ячеек в структуре IGBT) до «макроскопического» (соединение чипов в составе силового модуля и силовых ключей...

Комплект полупроводниковых дискретных приборов и ИМС для интеллектуальных силовых модулей управления электроприводами

В статье приведено краткое описание конструкции и технических характеристик простого интеллектуального силового модуля управления электроприводом, разработанного на базе комплекта полупроводниковых дискретных приборов и ИМС компании «Микроника» для кондиционеров и другой бытовой техники.