Реклама

IGBT

Широкий диапазон рабочих температур модулей высоковольтных биполярных транзисторов с изолированным затвором и высокой развязкой
Компания Mitsubishi Electric представила новую разработку — ВВ IGBT (высоковольтные биполярные транзисторы с изолированным затвором, HV-IGBT), объединенные в серию R. Это модули с высокой развязкой корпуса, которые могут использоваться в диапазоне температур –50…+150 °C. Их применение позволяет увеличить выходную мощность инвертора при сохранении прежнего размера оборудования.

02.03.2021 | Компоненты силовой электроники, IGBT
Метки:
Оставить комментарий

Повышение эффективности силовой электроники за счет совершенствования конструкции IGBT-транзисторов
Компания Infineon разработала новую технологическую платформу, названную TrenchStop 5, которая характеризуется специальной конструкцией ячеек и сверхмалой толщиной полупроводниковых пластин, что позволяет одновременно снизить потери на проводимость и на переключение. Последний вариант данной технологии — HighSpeed 5 — предназначен для быстродействующих устройств, в частности ККМ или повышающих ...

21.02.2021 | Компоненты силовой электроники, IGBT
Метки:
Оставить комментарий

Дискретные силовые MOSFET/IGBT-ключи c выводом Кельвина
Рассмотрены характеристики и особенности применения силовых MOSFET- и IGBT-транзисторов в новом дискретном четырехвыводном корпусе ТО-247-4. Использование дополнительного 4-го вывода истока/эмиттера (так называемого отвода Кельвина) позволяет исключить влияние паразитной индуктивности истока/эмиттера транзистора на выходное напряжение драйвера силового ключа и снизить потери при включении, в ко...

08.02.2021 | Компоненты силовой электроники, MOSFET, IGBT
Метки:
Оставить комментарий

Влияние времени включения высоковольтных IGBT-модулей на происходящие в них переходные процессы
В последнее время высоковольтные биполярные транзисторы с изолированным затвором (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor — HVIGBT) все чаще используются в качестве силовых ключей в таких требовательных к надежности областях, как электротранспорт и системы распределения энергии. Для подобного применения необходимы исчерпывающие данные о производительности и ограничениях HVIGBT-транзистор...

05.02.2021 | Компоненты силовой электроники, IGBT
Метки:
Оставить комментарий

4,5-кВ IGBT и диоды для электроэнергетики
Для построения систем передачи энергии, действующих на постоянном токе и при высоком напряжении, создано новое поколение кристаллов IGBT и диодов с рабочим напряжением 4,5 кВ. Эти приборы оптимизированы для функционирования с низкими статическими потерями в сочетании с быстрым включением при коммутации больших токов и напряжений. В кристаллах реализована высокая надежность в режимах короткого з...

03.02.2021 | Компоненты силовой электроники, Диоды, IGBT
Метки:
Оставить комментарий

Быстродействующие 650-В IGBT-транзисторы для DC/DC-преобразователей на частотах до 200 кГц
Растущие требования к увеличению мощности высоковольтных источников питания и снижению их стоимости заставляют производителей полупроводниковых приборов создавать IGBT-транзисторы, способные действовать на рабочих частотах свыше 100 кГц. Компанией IR была создана технология Punch-Through (PT) с запирающим напряжением 650 В, оптимизированная для работы в DC/DC-преобразователях на частотах до 200...

31.01.2021 | Компоненты силовой электроники, IGBT
Метки:
Оставить комментарий

Силовые 1700-В модули HVIGBT X-серии с превосходной производительностью и высокой надежностью
Высокоэффективные силовые HVIGBT-модули с блокирующим напряжением 1700 В, обеспечивающие надежные решения для железнодорожного транспорта. Для нужд железнодорожного транспорта требуются особо качественные компоненты с высокой эффективностью, особенно это касается преобразовательных приводов, которые должны иметь в своей основе надежные коммутационные устройства, устойчивые к крайне жестким усл...

23.01.2021 | Компоненты силовой электроники, Надежность, IGBT
Метки:
Оставить комментарий

Модули Dynex IGBT последнего поколения: путь к достижению максимальной эффективности системы
Как ответ на все более настойчивые требования не только со стороны самых различных секторов промышленности, но и со стороны правительств, направленные на стимулирование создания высокоэффективных систем преобразования энергии, полупроводниковая промышленность предлагает оптимизированную силовую электронику, ориентированную именно на повышение надежности и эксплуатационных характеристик конечных...

15.01.2021 | Компоненты силовой электроники, IGBT
Метки:
Оставить комментарий

Затворный резистор. Часть 2
Во второй части статьи, посвященной исследованию сопротивления цепи затвора IGBT- и MOSFET-транзисторов, пойдет речь о практическом способе определения номинала затворного резистора. Заранее следует отметить, что приведенная ниже информация содержит известную долю погрешности, не изобилует формулами и основывается по большей части на практическом опыте. Плюс такого подхода — простота данных и у...

11.01.2021 | Компоненты силовой электроники, MOSFET, IGBT
1 Комментарий

Силовые модули для электрического и гибридного транспорта
В статье представлены два новых силовых модуля Mitsubishi Electric, предназначенных для применения в тяговых силовых инверторах и конвертерах электрических (EV) и гибридных (HEV) транспортных средств.

24.12.2020 | Компоненты силовой электроники, Автомобильная электроника, IGBT, Драйверы IGBT, Модули
Метки:
Оставить комментарий

Наши журналы:
© Copyright 2026 Силовая электроника