В статье приводятся сравнительные исследования комбинированных полупроводниковых ключей, реализованных на базе IGBT и комбинированного СИТ-МОП полевого транзистора (КСМТ) как полных функциональных аналогов. 
В статье приводится описание одного подхода к решению проблем, связанных с измерениями электрических параметров, классификации и электрических испытаний кристаллов IGBT и FRD. Описан технологический маршрут классификации разделенных кристаллов, который позволяет реализовать высоковольтные и сильноточные электрические режимы и контролировать не только статические параметры, но оценивать и измеря... 
Любой силовой конденсатор — элемент электрической цепи, предназначенный для использования его емкости, обладает набором потребительских свойств, определяемых совокупностью параметров эквивалентной схемы. Хотя история существования данного устройства и насчитывает более двух с половиной столетий, изготовить универсальный вариант силового конденсатора пока не удалось. Однако в силовом конденсатор... 
В данной статье рассмотрены основные характеристики press-pack IGBT фирмы Westcode, показаны возможности построения различных преобразователей на их основе. Предложенный материал является базовой информацией, необходимой для понимания возможностей и задач данной технологии. Стоит отметить, что рассмотренные силовые транзисторы являются первым поколением, серийно освоенным компанией, которая в н... 
В статье рассмотрены вопросы применения карбид-кремниевых диодов Шоттки в качестве антипараллельных в инверторах с жестким переключением. Приведены экспериментальные результаты измерений составляющих потерь, прогнозы развития данного направления. 
С появлением мощных биполярных транзисторов IGBT и мощных полевых транзисторов (MOSFET) в области силовых преобразователей, таких, как электропривод переменной частоты и источники бесперебойного питания для компьютеров, произошла революция. Требования компактности, легкости и высокой производительности силовых преобразователей способствовали быстрому развитию этих коммутационных приборов. Однак... 
В технической литературе по силовой электронике часто можно прочесть заключения авторитетных специалистов о том, что технология IGBT себя изжила, все параметры доведены до физических пределов, значительных улучшений не предвидится. Однако практика последних лет показывает, что как только таких мнений становится достаточно много, обязательно появляется очередная идея, приводящая к новому качеств... 
Основные усилия разработчиков компании SEMIKRON направлены на удовлетворение жесточайшим требованиям, предъявляемым к современным компонентам силовой электроники. Прежде всего, это требования по надежности, энергосбережению и электромагнитной совместимости. Компания SEMIKRON известна в первую очередь благодаря своим уникальным разработкам в области силовых компонентов высокой мощности. Однако в... 
Корпорация Mitsubishi Electric, лидер в развитии силовых полупроводниковых устройств, представляет новые силовые модули Mega Power Dual IGBT на следующие номиналы: 900 A/1200 В, 1400 A/1200 В и 1000 A/1700 В. Эти устройства основаны на последней технологии кристалла CSTBT. Уникальные преимущества конструкции силовых модулей Mega Power Dual IGBT делают их незаменимыми при производстве высокомощн... 
В настоящее время Eupec предлагает широкий ассортимент силовых модулей IGBT с различной внутренней конфигурацией, диодные и тиристорные модули. Полная гамма выпускаемой продукции Eupec включает мощные диодные, тиристорные и диодно-тиристорные модули, IGBT модули, драйверы к IGBT модулям, PIM-модули, а также вспомогательные изделия и отладочные платы. 