IGBT
Проблемы параллельного и последовательного соединения IGBT.
Часть 1. Параллельная работа IGBT
Статья посвящена проблеме увеличения мощности преобразования за счет параллельного и последовательного соединения силовых ключей и инверторных ячеек. Параллельная работа подобных элементов хорошо изучена и широко применяется на всех уровнях: от «микроскопического» (соединение элементарных ячеек в структуре IGBT) до «макроскопического» (соединение чипов в составе силового модуля и силовых ключей... Малоизвестные факты из жизни IGBT и FWD
Часть 3. Прямое восстановление и реверсивный режим работы IGBT
Повышение скорости коммутации и снижение уровня динамических потерь является одной из основных задач проектировщиков элементной базы и преобразовательных устройств. Однако проблемы, связанные с ростом уровней di/dt, намного сложнее, чем кажется на первый взгляд. Процесс переключения тока нагрузки между IGBT и оппозитным диодом (FWD) сопровождается различными вторичными эффектами. К ним относитс... Новая серия силовых FRD- и IGBT-модулей общего и специального назначения
В статье освещаются основные проблемы рынка силовой электроники. Отмечено, что одним из путей их решения является создание новой серии силовых IGBT- и FRD- модулей, соответствующих специальным требованиям. Приведено описание новой серии силовых модулей гражданского и специального назначения, а также кратко изложена технология их изготовления. SEMiX как основа для построения надежной системы
Компания SEMIKRON — одна из старейших в мире, чьим основным направлением деятельности является полупроводниковая силовая электроника. Ее история началась в 1951 г., а сейчас SEMIKRON является признанным создателем индустриальных стандартов: первый изолированный модуль, пружинные контакты, технология SKiiP, технология спекания и др. В статье рассказывается об одном из основных типов модулей комп... Об обратной блокирующей способности типовых структур IGBT
Асимметричные IGBT наиболее распространенных в настоящее время конструкций обладают предельной блокирующей способностью в обратном направлении на уровне нескольких десятков вольт. Улучшение условий для вывода накопленных зарядов из транзисторной структуры при приложении отпирающего сигнала управления и обратном напряжении позволяет эффективно использовать асимметричные IGBT в схемах электрическ...
Быстрый IGBT с характеристиками переключения, как у полевого МОП-транзистора
Благодаря малым статическим потерям, IGBT традиционно является прибором, который предпочитают использовать в системах с низкой частотой переключения, например, в инверторных электроприводах. В то же время с IGBT можно работать при высоких значениях плотности тока, и поэтому он обеспечивает экономичное решение в случае, если потребуется более высокая плотность мощности при более низкой стоимости... Малоизвестные факты из жизни IGBT и FWD Часть 1. Особенности FWD
Случилось так, что бурное развитие силовой электроники на Западе, вызванное появлением новых технологий силовых ключей, совпало с социальным и экономическим кризисом в нашей стране. Многие специалисты, вынужденные искать средства к существованию, меняли сферу деятельности и быстро теряли квалификацию, в результате чего Россия испытывает теперь острый дефицит кадров. Если с программистами, котор...
Параметры и особенности современных силовых IGBT- и FRED-модулей корпорации Microsemi
Microsemi являтся лидером в области производства и комплексных поставок компонентов для бортовой электроники сложных систем специального назначения. В настоящее время корпорация предлагает полный спектр полупроводниковых решений для аэрокосмической и военной отраслей, систем безопасности, промышленности, телекоммуникаций и медицинских приложений, а также для альтернативной энергетики. В состав ...


