Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям характеристик силовых ключей. Революционные инновации связаны, в первую очередь, с внедрением новых широкозонных материалов и тонких пленок, применение которых позволяет не только повысить экономическую эффективность произ... 
Компания Infineon Technologies AG расширяет линейку IGBT-транзисторов, выполненных по TRENCHSTOP5-технологии на основе тонких подложек кремния. Новое семейство содержит транзисторы с рабочим напряжением 650 В и током до 40 А, совмещенные с диодом на 40 А в корпусе для поверхностного монтажа TO-263-3, также известном как D2PAK. Эти устройства отвечают возрастающему спросу на большую плотность мощности в силовых компонентах для автоматизированного монтажа на поверхность.
Области применения:
инверторы для солнечной энергетики;
бесперебойные источники питания (UPS);
зарядные ... 
Компания IXYS UK представляет T2960BB45E — IGBT-транзистор в исполнении на 4500 В. Устройство обладает рекордно большим номинальным током 3000 А и током коммутации 6000 А. Технология изготовления корпуса подразумевает стойкость к механическим и температурным воздействиям, что делает его оптимальным выбором для эксплуатации в горнодобывающей технике, промышленных системах управления приводами, тяговом и судовом электроприводе и в электроэнергетике.
При использовании обычных IGBT-транзисторов выход из строя модуля сопровождается выбросом огня и плазмы, в результате авария распространяется ... 
В статье рассматривается структура чипа Advanced Trench HiGT (IGBT с высокой проводимостью), представлены характеристики новых Advanced Trench HiGT- модулей с рабочим напряжением 1700 В. Особенностью новой структуры является глубокий, выполненный отдельно от затвора плавающий р-слой, который, благодаря такому исполнению, оказывает значительно меньшее влияние на пазы затвора и на характеристику ... 
Повышение скорости коммутации и снижение уровня динамических потерь является одной из основных задач производителей компонентов силовой электроники. Однако проблемы, связанные с ростом уровней di/dt, намного сложнее, чем кажется на первый взгляд. Процесс переключения тока между IGBT и оппозитным диодом сопровождается различными вторичными эффектами. К ним относится прямое и обратное восстановле... 
Представлены результаты исследований параметров и характеристик карбидокремниевых диодов Шоттки на напряжение 1200 В, используемых в гибридных IGBT-модулях в качестве оппозитных диодов (freewheeling diode — FWD), а также в линейке высокочастотных SiC-диодных модулей. 
Необходимый период безотказной работы силовых полупроводниковых приборов, устанавливаемых в ответственных устройствах и системах, в настоящее время достигает 30 лет. Чтобы удовлетворить столь высокие требования к надежности, компания Mitsubishi Electric разработала новую линейку высоковольтных IGBT-модулей (HVIGBT) с использованием последних достижений в области разработки чипов, получившую наз... 
При выборе силового ключа для конкретного применения мы анализируем массу различных факторов, но очень редко задумываемся о таком важном показателе, как область безопасной работы (Safe Operating Area, SOA). Во многом это связано с тем, что появление современных MOSFET- и IGBT-модулей, допускающих коммутацию при номинальных значениях токов и напряжений, несколько снизило актуальность SOA для обе... 
Интегральные IGBT-модули большой мощности Mega Power Dual (MPD), входящие в серию NF, компания Mitsubishi Electric начала выпускать еще в середине 2000 года. В приборах этой серии использовались IGBT 5-го поколения, выполненные по технологии CSTBT. 
Поведение современных силовых ключей MOSFET/IGBT в динамических режимах во многом определяется скоростью коммутации емкостей затвора. Перезаряд этих емкостей осуществляется устройством управления (драйвером), от параметров которого во многом зависят характеристики всего преобразовательного устройства. Динамические токи затвора у мощных ключей могут достигать десятков ампер, что является главной... 