Рекомендуемые профили пайки силовых компонентов Cree

В статье даны рекомендации относительно предпочтительных режимов пайки для различных типов корпусов, описаны тепловые профили разных технологий пайки.

SiC MOSFET в корпусах с кельвиновским выводом для зарядных станций электромобилей

Достижения в разработке корпусов для широкозонных полупроводников позволяют транзисторам SiC MOSFET работать на более высоких частотах при меньших потерях переключения. Улучшенные низкоиндуктивные корпуса дают возможность использовать все преимущества быстрой коммутации для улучшения эффективности силовых преобразователей и, соответственно, обеспечить энергосбережение для заказчиков. Простые и ...

Транзисторы SiC MOSFET со сверхнизким сопротивлением канала в приводах электромобилей

Три технологических фактора, оказывающих влияние на рынок, одновременно создают возможность для SiC MOSFET стать основным типом силовых ключей в электромобилях с батарейным питанием (BEV). Совершенствование тяговых приводов BEV, в которых применение SiC-технологии позволяет снизить потери инвертора до ~78% в цикле EPA, предлагает разработчикам таких систем увеличение пробега или снижение цены б...

SiC-приборы готовы к применению в жестких условиях окружающей среды

Новый модуль Wolfspeed удовлетворяет требованиям по надежности для силовых преобразовательных систем в возобновляемой энергетике и на транспорте.

SiC силовые приборы: прорыв на системном уровне

Необходимы прогрессивные решения на системном уровне, призывает Гай Мокси, директор Wolfspeed, чтобы реализовать преимущества, которые обеспечивают приборы на основе карбида кремния (SiC) для проектирования устройств силовой электроники.

Ускоряем освоение SiC-технологии в силовой электронике

На рынке в течение многих лет ходят разговоры о концепциях и планах по выпуску широкозонных приборов, обладающих массой новых возможностей. Тем не менее вы не можете сделать что-либо на базе презентации PowerPoint или предварительной спецификации. Эта статья подтверждает тот факт, что компания Wolfspeed вышла далеко за рамки любой шумихи, разговоров и поддельных новостей и стала пионером широко...

Вспомогательный источник питания мощностью 60 Вт на силовом SiC-ключе 1700 В

Ввиду простоты реализации и экономичности обратноходовые источники питания находят самое широкое применение в различных сегментах рынка. Однако при их использовании в высоковольтных приложениях, например как вспомогательный источник питания с запиткой от высоковольтной промежуточной шины постоянного тока, разработчики сталкиваются с проблемой выбора соответствующего ключа. С этой целью компания...

Особенности проектирования преобразователей с SiC-модулями Cree.
Часть 2. Методы минимизации паразитных индуктивностей

В данном руководстве описаны методы минимизации паразитных индуктивностей печатных плат, обеспечивающие максимальные преимущества от применения карбидокремниевых модулей. В качестве примеров использованы полумостовой 50-мм модуль Cree CAS100H12AM1 (1200 В, 100 А) и трехфазный CCS050M12CM2 (1200 В, 50 А).

Преимущества замены IGBT на SiC-модули в силовых сборках

В последние годы карбидокремниевые (SiC) MOSFET с рабочим напряжением 1,2 и 1,7 кВ стали реальной альтернативой для проектировщиков силовых конвертеров, в настоящее время использующих транзисторы IGBT. На сегодня большинство «побед» SiC MOSFET принадлежит маломощным преобразователям в диапазоне до 20 кВт, разрабатываемым «с чистого листа». В первую очередь эта тенденция обусловлена необходимост...

Особенности проектирования преобразователей с SiC-модулями Cree.
Часть 1. Оценка влияния паразитных элементов

Паразитные индуктивности силовых коммутационных цепей оказывают большое влияние на выбор и использование модулей SiC MOSFET. Особенное значение имеет режим включения, при котором внутреннее перенапряжение модуля может стать критическим, однако не менее важны вопросы генерации электромагнитных помех (EMI).