Ввиду простоты реализации и экономичности обратноходовые источники питания находят самое широкое применение в различных сегментах рынка. Однако при их использовании в высоковольтных приложениях, например как вспомогательный источник питания с запиткой от высоковольтной промежуточной шины постоянного тока, разработчики сталкиваются с проблемой выбора соответствующего ключа. С этой целью компания... 
В данном руководстве описаны методы минимизации паразитных индуктивностей печатных плат, обеспечивающие максимальные преимущества от применения карбидокремниевых модулей. В качестве примеров использованы полумостовой 50-мм модуль Cree CAS100H12AM1 (1200 В, 100 А) и трехфазный CCS050M12CM2 (1200 В, 50 А). 
В последние годы карбидокремниевые (SiC) MOSFET с рабочим напряжением 1,2 и 1,7 кВ стали реальной альтернативой для проектировщиков силовых конвертеров, в настоящее время использующих транзисторы IGBT. На сегодня большинство «побед» SiC MOSFET принадлежит маломощным преобразователям в диапазоне до 20 кВт, разрабатываемым «с чистого листа». В первую очередь эта тенденция обусловлена необходимост... 
Паразитные индуктивности силовых коммутационных цепей оказывают большое влияние на выбор и использование модулей SiC MOSFET. Особенное значение имеет режим включения, при котором внутреннее перенапряжение модуля может стать критическим, однако не менее важны вопросы генерации электромагнитных помех (EMI). 
Появление фотооптических инверторов (PV) и электромобилей (EV) обусловило растущие требования по повышению плотности мощности и эффективности силовых преобразователей. Карбид кремния (SiC) является основным кандидатом для решения этой задачи, поэтому он остается объектом растущего интереса в течение последнего десятилетия. Повышающий преобразователь является неотъемлемой частью большинства прео... 
Карбид-кремниевые (SiC) диоды Шоттки являются оптимальными полупроводниковыми приборами для использования в качестве диодов повышающей ступени в активных корректорах коэффициента мощности (ККМ), работающих в режиме непрерывных (средних) токов (Continuous Current Mode, CCM). Это связано с присущим диодам этой технологии малым влиянием эффекта обратного восстановления, что обеспечивает нулевой об... 
Повышение эффективности путем использования высоковольтных SiC-диодов в повышающих преобразователях ККМ может применяться для увеличения выходной мощности и частоты переключения с целью снижения габаритов изделия или повышения его надежности. В то же время использование SiC-диодов Шоттки позволяет уменьшить EMI. 
Участие силовой электроники в электрических распределительных сетях будущего становится все более важным. Прежде всего, широкое распространение возобновляемых источников энергии, таких как солнечные батареи и ветрогенераторы, требует применения большого числа преобразователей между источниками и потребителями электрической энергии. Использование высоковольтных силовых полупроводниковых устройст... 
В статье рассматриваются преимущества использования SiC MOSFET компании Cree в целях повышения производительности резонансных DC/DC-преобразователей. 
Впервые SiC-компоненты были применены в источниках питания телекоммуникационного оборудования, светодиодах и преобразователях для индукционного нагрева. Спустя некоторое время карбидо-кремниевые ключи проникли в инверторы солнечных батарей, источники бесперебойного питания (UPS), приводы и в авиационную технику. Совсем недавно силовые SiC-приборы нашли свое применение в производстве автомобилей... 