Ускоряем освоение SiC-технологии в силовой электронике

Вспомогательный источник питания мощностью 60 Вт на силовом SiC-ключе 1700 В

Особенности проектирования преобразователей с SiC-модулями Cree.
Часть 2. Методы минимизации паразитных индуктивностей

Преимущества замены IGBT на SiC-модули в силовых сборках

Особенности проектирования преобразователей с SiC-модулями Cree.
Часть 1. Оценка влияния паразитных элементов

Преимущества нового поколения SiC MOSFET в системах высокой мощности

Выбор SiC-диодов Шоттки для активных корректоров коэффициента мощности, работающих в режиме непрерывных токов

SiC-диоды Шоттки в корректорах коэффициента мощности
