Интеграция в IPM функции вычисления в реальном времени температуры полупроводникового перехода

Для силовых приборов температура их полупроводникового перехода Tvj является одной из основных технических характеристик в их спецификации, которая накладывает жесткие ограничения на безопасно допустимый уровень выходной мощности, т. е. формирует область безопасной работы силового модуля. С целью достижения максимальной плотности мощности системы ее компоненты проектируются с возможностью работ...

Выбор SiC-диодов Шоттки для активных корректоров коэффициента мощности, работающих в режиме непрерывных токов

Карбид-кремниевые (SiC) диоды Шоттки являются оптимальными полупроводниковыми приборами для использования в качестве диодов повышающей ступени в активных корректорах коэффициента мощности (ККМ), работающих в режиме непрерывных (средних) токов (Continuous Current Mode, CCM). Это связано с присущим диодам этой технологии малым влиянием эффекта обратного восстановления, что обеспечивает нулевой об...

Стабилизация напряжения: обратная связь в DC/DC-преобразователях

О DC/DC-преобразователях пишут много и часто, однако обычно рассматривают конкретные решения или типы контроллеров для их построения, а за рамками статьи остается ряд важных моментов. Один из них — вопрос стабилизации выходного напряжения, причем не только при изменении уровня входного напряжения, но и при воздействии самых разнообразных факторов. За это отвечает обратная связь, так что без фун...

Решения устойчивого к переходным процессам первичного DC/DC-преобразователя системы питания автомобильной электроники

Учитывая постоянно растущий в автомобилях последнего поколения объем применения самого разнообразного электронного оборудования, возрастает и потребность во все более эффективном и надежном преобразовании мощности от аккумуляторной шины автомобиля. Однако шине постоянного тока от 12 В аккумуляторной батареи свойственны связанные с особенностями функционирования транспортных средств самые разноо...

Диоды на основе SiC повышают эффективность солнечных энергосистем

Диоды на основе карбида кремния (SiC) достаточно быстро проникли на такой стремительно развивающийся рынок, как повышающие DC/DC-преобразователи и инверторы для солнечной энергетики, что особенно заметно в США и Европе. Так, SiC-диоды Шоттки с номинальными рабочими напряжениями 1200 В и 1700 В, которые выпускает основанное в 2015 г. и специализирующееся в области этой технологии подразделение W...

Новая серия IGBT от Infineon Technologies для резонансных инверторов

Дискретные IGBT-транзисторы, благодаря присущей им высокой эффективности, являются наиболее предпочтительными коммутационными элементами импульсных источников питания для современных инверторных индукционных нагревателей, предназначенных для приготовления пищи. Поскольку затраты на энергию продолжают расти, а потребительский спрос на все более компактную бытовую технику, предназначенную для при...

Проектирование недорогих многовыходных DC/DC-преобразователей — стабилизаторов напряжения.
Часть 2

В первой части статьи, опубликованной в СЭ № 1`2017, были описаны три наиболее распространенные топологи и приведен практический пример проектирования двухвыходного DC/DC-преобразователя. Во второй части статьи рассмотрены вопросы выбора основных элементов, фильтрации выходного напряжения и организации петли регулирования, которая, хоть и является консервативным решением, обеспечивает высокую с...

CAPZero-2: экономия должна быть экономной, или
Как можно эффективно снизить потери мощности там, где и снижать-то вроде бы нечего

За последние сто пятьдесят лет человечество в плане технического развития нашей цивилизации совершило такой прорыв, результаты которого превысили все, что было достигнуто с момента ее зарождения до конца XIX в. И это развитие продолжается ускоренными темами, в обиход входят все новые и новые устройства, потребляющие электроэнергию. Ученые предупреждают, что развитие цивилизации может замедлитьс...

Проектирование недорогих многовыходных DC/DC-преобразователей — стабилизаторов напряжения. Часть 1

В статье рассматривается использование 1:1 магнитосвязанных индуктивностей совместно с понижающими DC/DC-преобразователями.

1800 A/3,3 кВ IGBT-модуль с пазовой структурой затвора Advanced Trench HiGT и оптимизированной конструкцией

К рассмотрению предлагается вновь разработанный 1800 A/3,3 кВ IGBT-модуль, имеющий самый высокий в настоящее время номинальный рабочий ток. При его создании для достижения минимальных потерь была использована новая пазовая структура Advanced Trench HiGT. Электрические и тепловые характеристики модуля были оптимизированы с целью уменьшения его теплового сопротивления и снижения паразитной индукт...