Реклама

  • ЧипЭКСПО-2022_13-15 сентября

Вы за SiC или кремний?
Часть 6. Использование полевых SiC-транзисторов в блоках питания центров обработки данных и телекоммуникационного оборудования
Это шестая, последняя статья, завершающая цикл статей [1], в которых рассматривались текущие тенденции и особенности применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущих частях цикла речь шла об особенностях этих полупроводниковых приборов, их перспективах и тех преимуществах, которые дает их использование, в том числе в узлах современного электрического транспорт...

16.02.2022 | Разработка, Компоненты силовой электроники, SiC
Оставить комментарий

Инновационная технология корпусирования Source-Down от компании Infineon
В этой статье представлены особенности нового корпусирования силовых МОП-транзисторов, предложенного компанией Infineon Technologies AG в миниатюрных корпусах PQFN 3,3×3,3 мм, получившее название Source-Down (буквально: «истоком вниз») [1]. Описаны отличия и преимущества новой технологии от стандартной концепции размещения подключения стока и затвора. Оптимизация производительности, достигнутая...

30.12.2021 | Компоненты силовой электроники, Транзисторы, Технологии
Метки:
Оставить комментарий

Вы за SiC или кремний? Часть 4. Как создать лучшие тяговые инверторы для электромобиля? Ответ: использовать SiC!
Это четвертая публикация, продолжающая цикл из шести статей [1], в которых рассматриваются текущие тенденции применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущей части цикла были описаны перспективы и преимущества использования карбид-кремниевых транзисторов в двух основных узлах современного электрического транспортного средства — встроенном зарядном устройстве и...

24.12.2021 | Компоненты силовой электроники, SiC
Оставить комментарий

Вы за SiC или кремний?
Часть 3. Тенденции в применении SiC в электромобилях
Это третья публикация, продолжающая цикл из шести статей [1], в которых рассматриваются текущие тенденции применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). Цель цикла — предоставить систематизированные общие сведения по этой относительно новой, но уже вполне заслуженно завоевывающей популярность технологии и областях ее применения. Первая и вторая части цикла в авторском пе...

13.12.2021 | Компоненты силовой электроники, Автомобильная электроника, SiC
Оставить комментарий

Интеграция GaN в LYTSwitch-6 — путь к повышению эффективности
В 2019 году компания Power Integrations анонсировала пополнение своих популярных квазирезонансных контроллеров семейства LYTSwitch, объединяющих первичную и вторичную стороны, а также цепь регулирующей обратной связи, в монолитном компактном корпусе InSOP-24D для поверхностного монтажа. Новые микросхемы потребляют в режиме покоя всего 30 мВт мощности и обеспечивают свободное от мерцаний свечени...

21.10.2021 | Разработка, Источники питания, GaN
Метки:
Оставить комментарий

Изолированный драйвер затвора SiC МОП-транзисторов компании Cree
Транзисторы с изолированным затвором, выполненные на основе такого полупроводникового материала с широкой запрещенной зоной, как карбид кремния (SiC), позволяют реализовывать широкий спектр преобразователей большой мощности для самых разных сфер индустрии. Эти транзисторы отличаются малыми потерями проводимости, низкими коммутационными потерями и могут работать на высоких частотах преобразовани...

19.10.2021 | Компоненты силовой электроники, Транзисторы, MOSFET, SiC
Метки: ,
Оставить комментарий

Системы питания и перспективы использования GaN в космических аппаратах.
Часть 2: питание КА, практические решения
В предлагаемой статье речь идет о нередко забываемой или малозаметной части космического аппарата (КА), позволяющей ему путешествовать в космосе, а именно об управлении электропитанием и роли в этом современных полупроводниковых приборов, созданных на основе нитрида галлия (GaN). Данная публикация является продолжением [1] и приводится в виде авторского перевода [2], выполненного с рядом дополн...

15.10.2021 | Источники питания, GaN
Метки:
Оставить комментарий

Интеграция GaN в контроллеры AC/DC-преобразователей — путь к повышению эффективности
В 2019 году компания Power Integrations анонсировала пополнение своих популярных семейств InnoSwitch3 — квазирезонансных микросхем-контроллеров, объединяющих первичную и вторичную цепь и цепь обратной связи в монолитном компактном корпусе InSOP-24D для поверхностного монтажа. Новые микросхемы обеспечивают КПД до 95% в полном диапазоне нагрузок вплоть до 100 Вт, работая в составе закрытых адапте...

04.10.2021 | Разработка, Источники питания, GaN
Метки:
Оставить комментарий

Системы питания и перспективы использования GaN в космических аппаратах.
Часть 1: питание КА, общие принципы
Как правило, на борту космического аппарата источники энергии тяжелее, чем многое другое оборудование. Переход в системе питания на более высокие частоты преобразования энергии снижает массогабаритные характеристики источников питания. Меньший вес — это меньшее потребление топлива, необходимого для того, чтобы ракета-носитель могла вырваться из гравитационного притяжения Земли. Это, соответстве...

01.10.2021 | Источники питания, GaN
Оставить комментарий

Понимание изоляции в DC/DC-преобразователе
Изоляция в преобразователях постоянного тока, помимо защиты от поражения электрическим током, имеет много различных применений. Эта статья объясняет различные степени изоляции и то, как они реализованы в типичных DC/DC-преобразователях малой мощности.

24.09.2021 | Разработка, Источники питания
Метки:
Оставить комментарий

Наши журналы:
© Copyright 2022 Силовая электроника