SKiM63/93 — многоцелевой модуль IGBT SEMIKRON для транспортного и промышленного привода

Решение задач, связанных с особенностями работы тягового электропривода, требует поиска новых технологий и материалов, совершенствования производственных процессов. Важным этапом на этом пути стало внедрение компанией SEMIKRON технологий прижимного контакта и низкотемпературного спекания [2], что полностью исключило развитие усталостных процессов в паяных и сварных соединениях и обеспечило высо...

SEMIKRON: цифровые драйверы и адаптеры нового поколения

Устройство управления изолированными затворами IGBT/MOSFET — один из самых ответственных узлов силового каскада, от которого во многом зависит надежность и эффективность работы всей системы. Стремясь к максимальной унификации схемы и конструкции, многие ведущие производители драйверов пришли к идее универсального «ядра», предназначенного для решения широкого круга задач. Рынок требует непрерыв...

IGBT Gen.7 — революционная эволюция

Технологии силовой электроники идут по пути повышения мощностных характеристик и эффективности силовых преобразовательных устройств, а также улучшения их массогабаритных характеристик. Бурное развитие широкозонных приборов, в первую очередь карбидокремниевых, может создать иллюзию, что эра кремния уходит в прошлое. Однако на самом деле модули IGBT еще долго будут оставаться «рабочей лошадкой» в...

Силовая электроника для солнечной энергетики и не только.
Часть 2. Защита от перегрузки в трехуровневых инверторах

В первой части статьи, опубликованной в журнале «Силовая электроника» № 3'2019, рассказано о разработанных SEMIKRON платах управления трехуровневыми инверторами. Трехуровневые преобразователи используются в источниках бесперебойного питания (UPS), инверторах солнечных энергетических станций и других подобных устройствах, предъявляющих высокие требования по КПД и качеству выходного сигнала. Сни...

SEMIKUBE Hy SiC: первые шаги в мире карбида кремния

На первый взгляд преимущества карбида кремния в ряде применений, прежде всего высокочастотных, неоспоримы. SiC MOSFET-транзисторы (с встроенными диодами SiC Шоттки или без них) имеют более высокую скорость коммутации и меньший уровень динамических потерь, чем любые кремниевые ключи, что позволяет существенно повысить рабочую частоту Fsw преобразовательной системы. Однако в дружном хоре энтузиа...

Многоуровневые преобразователи: схемы, особенности применения, алгоритмы управления.
Часть 4

В третьей части статьи, опубликованной в журнале «Силовая электроника» № 3’2019, рассматривались топологии схем и особенности управления многоуровневыми конвертерами с последовательным соединением H-мостовых ячеек (SCHB VSC).

90 кВт на печатной плате: новые возможности MiniSKiiP Dual

По состоянию на 2018 год компанией SEMIKRON выпущено более 30 млн модулей MiniSKiiP, которые работают в частотных преобразователях ведущих европейских производителей: Miller Electric, Schneider Toshiba Group, Schindler Group, SEW Eurodrive, Siemens A&D, Silectron, Vacon и многих других. Более 70% этих устройств — приводы насосов, исполнительных механизмов промышленных роботов, прессов и компрес...

Многоуровневые преобразователи: схемы, особенности применения, алгоритмы управления. Часть 3

Материал продолжает цикл статей, начатый в журнале «Силовая электроника» № 1, 2’2019. Во второй части статьи рассматривались особенности управления трехуровневой схемой с фиксированной нейтралью 3L-NPC.

О простом порошке и бизнес-этике

Мы не сомневаемся, что в свое время всем набила оскомину реклама стирального порошка Ariel и его сравнение с «обычным порошком». Однако при всей примитивности мысли в этом ролике четко прослеживается простое правило, принятое во всех цивилизованных странах: «Хвали себя, а покупатель сам разберется». К сожалению, наш рынок пока далек от цивилизованного, и зачастую мы встречаемся с примерами неко...

Многоуровневые преобразователи: схемы, особенности применения, алгоритмы управления. Часть 2

Материал продолжает цикл статей, начатый в журнале «Силовая электроника» № 1’2019. В первой части статьи рассматривались основные топологии средневольтовых (MV) преобразователей, а также особенности силовых полупроводниковых ключей, предназначенных для MV-применений.