Технологии силовой электроники идут по пути повышения мощностных характеристик и эффективности силовых преобразовательных устройств, а также улучшения их массогабаритных характеристик. Бурное развитие широкозонных приборов, в первую очередь карбидокремниевых, может создать иллюзию, что эра кремния уходит в прошлое. Однако на самом деле модули IGBT еще долго будут оставаться «рабочей лошадкой» в...
Силовая электроника для солнечной энергетики и не только.
Часть 2. Защита от перегрузки в трехуровневых инверторах
В первой части статьи, опубликованной в журнале «Силовая электроника» № 3'2019, рассказано о разработанных SEMIKRON платах управления трехуровневыми инверторами.
Трехуровневые преобразователи используются в источниках бесперебойного питания (UPS), инверторах солнечных энергетических станций и других подобных устройствах, предъявляющих высокие требования по КПД и качеству выходного сигнала. Сни...
SEMIKUBE Hy SiC: первые шаги в мире карбида кремния
На первый взгляд преимущества карбида кремния в ряде применений, прежде всего высокочастотных, неоспоримы. SiC MOSFET-транзисторы (с встроенными диодами SiC Шоттки или без них) имеют более высокую скорость коммутации и меньший уровень динамических потерь, чем любые кремниевые ключи, что позволяет существенно повысить рабочую частоту Fsw преобразовательной системы.
Однако в дружном хоре энтузиа...
90 кВт на печатной плате: новые возможности MiniSKiiP Dual
По состоянию на 2018 год компанией SEMIKRON выпущено более 30 млн модулей MiniSKiiP, которые работают в частотных преобразователях ведущих европейских производителей: Miller Electric, Schneider Toshiba Group, Schindler Group, SEW Eurodrive, Siemens A&D, Silectron, Vacon и многих других. Более 70% этих устройств — приводы насосов, исполнительных механизмов промышленных роботов, прессов и компрес...
О простом порошке и бизнес-этике
Мы не сомневаемся, что в свое время всем набила оскомину реклама стирального порошка Ariel и его сравнение с «обычным порошком». Однако при всей примитивности мысли в этом ролике четко прослеживается простое правило, принятое во всех цивилизованных странах: «Хвали себя, а покупатель сам разберется». К сожалению, наш рынок пока далек от цивилизованного, и зачастую мы встречаемся с примерами неко...
Особенности управления SiC MOSFET
Широкое внедрение SiC-технологии ограничено не только высокой стоимостью, но и рядом технических особенностей. Замена традиционных типов кремниевых транзисторов на карбидокремниевые достаточно сложная задача, поэтому необходим тщательный анализ целесообразности использования SiC-ключей в каждом конкретном устройстве.
По затворным характеристикам SiC MOSFET заметно отличаются от хорошо изученны...
Многоуровневые преобразователи: схемы, особенности применения, алгоритмы управления. Часть 1
Разработка высоковольтных IGBT с рабочим напряжением 3,3; 4,5 и 6,5 кВ, управляемых тиристоров IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristors) с напряжением 4,5 и 5,5 кВ, а также совершенствование конструкции силовых электронных преобразователей привели к заметному увеличению доли рынка конвертеров напряжения (VSC) с широтно-импульсной модуляцией (ШИМ). Несмотря на заметное снижение цен на управля...