Технология SiC в модулях SEMIKRON

Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям характеристик электронных ключей. На сегодня наиболее широкое распространение на рынке силовой электроники получили кремниевые MOSFET/IGBT-модули и PN-диоды. Основным препятствием на пути их дальнейшего совершенствования я...

IGBT/MOSFET: основные концепции и пути развития

Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям характеристик силовых ключей. Революционные инновации связаны, в первую очередь, с внедрением новых широкозонных материалов и тонких пленок, применение которых позволяет не только повысить экономическую эффективность произ...

SKAI — интеллектуальный привод XXI века

Требования автомобильной индустрии становятся все более жесткими, для их выполнения необходимы внедрение новых технологий, совершенствование производственных процессов и ужесточение контроля параметров всех элементов системы. Это касается самого широкого диапазона применений — от гибридо- и электромобилей, сельскохозяйственных и строительных машин до судовых приводов. Разработка электронных бло...

О «феноменальном» поведении диодов

Повышение скорости коммутации и снижение уровня динамических потерь является одной из основных задач производителей компонентов силовой электроники. Однако проблемы, связанные с ростом уровней di/dt, намного сложнее, чем кажется на первый взгляд. Процесс переключения тока между IGBT и оппозитным диодом сопровождается различными вторичными эффектами. К ним относится прямое и обратное восстановле...

Новые возможности токовых шунтов, или хорошо забытое старое

Силовая электроника остается одним из самых динамично развивающихся секторов современной промышленности. Основными тенденциями в этой сфере являются повышение плотности мощности, эффективности преобразования, надежности, а также снижение массо-габаритных показателей. Требования могут меняться, и только одно из них остается постоянным и не зависящим от конкретного применения: это уменьшение цены...

Все, что надо знать про SOA

При выборе силового ключа для конкретного применения мы анализируем массу различных факторов, но очень редко задумываемся о таком важном показателе, как область безопасной работы (Safe Operating Area, SOA). Во многом это связано с тем, что появление современных MOSFET- и IGBT-модулей, допускающих коммутацию при номинальных значениях токов и напряжений, несколько снизило актуальность SOA для обе...

Многослойная SKiN-технология:
прорыв в «третье измерение» силовой электроники

Способы корпусирования силовых модулей в настоящее время претерпевают серьезные изменения. В первую очередь этому способствует разработка таких инновационных процессов, как диффузионное спекание серебра и ультразвуковая сварка в жидкой фазе, а также использование гибких полимерных пленок для установки кристаллов (SKiN-технология). Внедрение новых технологий обусловлено потребностью в повышении ...

Основы силовой электроники: импульсные режимы работы

Данная публикация продолжает тему, начатую в статье «Малоизвестные факты из жизни IGBT и MOSFET» и посвященную особенностям работы наиболее распространенных в преобразовательной технике силовых ключей. В настоящей статье рассматриваются некоторые базовые вопросы, касающиеся импульсных режимов работы преобразователей.

SKYPER 42LJ — новый драйвер цифрового семейства SEMIKRON

Устройство управления изолированными затворами IGBT является одним из самых ответственных узлов силовой секции преобразователя, в значительной степени определяющим надежность и эффективность работы всей системы. Стремясь к максимальной унификации схемы и конструкции, многие ведущие производители драйверов пришли к идее универсального «ядра», предназначенного для решения широкого круга задач.

Малоизвестные факты из жизни IGBT и FWD
Часть 3. Прямое восстановление и реверсивный режим работы IGBT

Повышение скорости коммутации и снижение уровня динамических потерь является одной из основных задач проектировщиков элементной базы и преобразовательных устройств. Однако проблемы, связанные с ростом уровней di/dt, намного сложнее, чем кажется на первый взгляд. Процесс переключения тока нагрузки между IGBT и оппозитным диодом (FWD) сопровождается различными вторичными эффектами. К ним относитс...