Практические аспекты силовой электроники:
как проверить модуль в полевых условиях?

Силовые полупроводниковые модули подвергаются многократным испытаниям в процессе производства и эксплуатации. Поскольку стоимость и сложность тестирования достаточно высоки, важно четко понимать цель его проведения. Очень часто необходимость проверки силового ключа возникает в полевых условиях. При этом следует осознавать, что использование неправильных методик контроля может привести не только...

SEMIKRON: драйверы для трехфазных инверторов

В производственной программе SEMIKRON было только два трехфазных драйвера: универсальный SKHI 61 и SKHI 64/65, предназначенный для управления модулями SKiM4/5. К сожалению, производство обоих изделий прекращено, и вполне естественно, что перед компанией встала задача разработки максимально совместимых с ними устройств. При этом для унификации было решено в платах управления трехфазными модулями...

SEMITRANS 20: новый уровень надежности транспортного привода

Повышение надежности электрических тяговых приводов требует поиска новых технологий и материалов, совершенствования процессов производства силовых модулей. Заметным шагом на этом пути стало внедрение компанией SEMIKRON технологии низкотемпературного спекания [2], а также замена алюминиевых выводов кристаллов на медные алюминизированные AlCu. Это позволило существенно снизить риск развития устал...

Встроенный термодатчик и «виртуальная» температура кристалла: как использовать сенсор для анализа тепловых режимов силового модуля

Многие современные силовые модули имеют в своем составе датчик температуры, как правило, чип-резистор, установленный на изолирующей DBC-подложке. В первую очередь это необходимо для работы схемы защиты от перегрева, но есть и еще один законный вопрос: можно ли использовать встроенный сенсор для определения «виртуальной» температуры кристаллов? Существует несколько вариантов решения проблемы, за...

SKiM63/93 — многоцелевой модуль IGBT SEMIKRON для транспортного и промышленного привода

Решение задач, связанных с особенностями работы тягового электропривода, требует поиска новых технологий и материалов, совершенствования производственных процессов. Важным этапом на этом пути стало внедрение компанией SEMIKRON технологий прижимного контакта и низкотемпературного спекания [2], что полностью исключило развитие усталостных процессов в паяных и сварных соединениях и обеспечило высо...

SEMIKRON: цифровые драйверы и адаптеры нового поколения

Устройство управления изолированными затворами IGBT/MOSFET — один из самых ответственных узлов силового каскада, от которого во многом зависит надежность и эффективность работы всей системы. Стремясь к максимальной унификации схемы и конструкции, многие ведущие производители драйверов пришли к идее универсального «ядра», предназначенного для решения широкого круга задач. Рынок требует непрерыв...

IGBT Gen.7 — революционная эволюция

Технологии силовой электроники идут по пути повышения мощностных характеристик и эффективности силовых преобразовательных устройств, а также улучшения их массогабаритных характеристик. Бурное развитие широкозонных приборов, в первую очередь карбидокремниевых, может создать иллюзию, что эра кремния уходит в прошлое. Однако на самом деле модули IGBT еще долго будут оставаться «рабочей лошадкой» в...

Силовая электроника для солнечной энергетики и не только.
Часть 2. Защита от перегрузки в трехуровневых инверторах

В первой части статьи, опубликованной в журнале «Силовая электроника» № 3'2019, рассказано о разработанных SEMIKRON платах управления трехуровневыми инверторами. Трехуровневые преобразователи используются в источниках бесперебойного питания (UPS), инверторах солнечных энергетических станций и других подобных устройствах, предъявляющих высокие требования по КПД и качеству выходного сигнала. Сни...

SEMIKUBE Hy SiC: первые шаги в мире карбида кремния

На первый взгляд преимущества карбида кремния в ряде применений, прежде всего высокочастотных, неоспоримы. SiC MOSFET-транзисторы (с встроенными диодами SiC Шоттки или без них) имеют более высокую скорость коммутации и меньший уровень динамических потерь, чем любые кремниевые ключи, что позволяет существенно повысить рабочую частоту Fsw преобразовательной системы. Однако в дружном хоре энтузиа...

Многоуровневые преобразователи: схемы, особенности применения, алгоритмы управления.
Часть 4

В третьей части статьи, опубликованной в журнале «Силовая электроника» № 3’2019, рассматривались топологии схем и особенности управления многоуровневыми конвертерами с последовательным соединением H-мостовых ячеек (SCHB VSC).