Диоды PEP/CAL — новые поколения чипов SEMIKRON

Диоды SEMIKRON, производимые с применением усовершенствованной технологии РЕР (Power Enhancing Passivation, рис. 1), представляют новое поколение выпрямительных полупроводниковых приборов. При их изготовлении используется отработанный процесс формования кристаллов MESA (mesa edge termination), известный по классическим диодам SKR (SEMIKRON Rectifier) [3], в сочетании с инновационным методом пас...

О климатике, механике, космическом излучении и прочих полезных вещах.
Часть 2. Воздействие влажности и конденсации на работу силовых электронных систем

В первой части статьи были описаны виды воздействий окружающей среды на электронные устройства в соответствии со стандартом EN 60721. Здесь мы более подробно рассмотрим вопрос о том, как влажность и образование конденсата влияют на работу силовых электронных систем, а также дадим рекомендации, позволяющие минимизировать это влияние и повысить надежность работы системы.

Высоковольтные испытания силовых модулей

Цель большинства современных стандартов электротехнической промышленности — защита пользователей от воздействия электрического тока. Для решения этой задачи сформулированы четкие требования безопасности, предъявляемые к конструкции изделий и производственным процессам. Для оценки их выполнения проводятся специальные испытания, самым важным из которых является проверка изоляции на воздействие вы...

Технологии силовой электроники:
текущее состояние и перспективы

Разработка устройств c большой удельной мощностью, таких как современные транспортные приводы и преобразователи энергетических станций, требует применения силовых модулей, отличающихся высокой надежностью и уникальными электрическими и тепловыми характеристиками. Решение этих задач невозможно без внедрения новых полупроводниковых материалов и современных технологий корпусирования. В частности, ...

Новые подходы к проектированию высоковольтных преобразователей

Одна из наиболее интересных задач в преобразовательной технике — последовательное включение силовых модулей и каскадов, построенных на их основе. Увеличение выходного напряжения является единственным решением для сверхмощных применений, когда исчерпаны возможности параллельного соединения и токовая нагрузка на соединительные шины становится недопустимо высокой. Преимущество многоуровневой топол...

Концепция мощного SiC-модуля со сверхнизкой коммутационной индуктивностью

Развитие технологии карбида кремния потребовало кардинального изменения подхода к проектированию корпусов силовых модулей. В мощных источниках питания, преобразователях для солнечной энергетики, медицинской техники и индукционного нагрева востребованы сильноточные быстрые ключи с номинальным током свыше 400 А. Сегодня на рынке предлагаются кристаллы SiC-диодов и SiC MOSFET, имеющие Inom до 50 А...

Космическое излучение и надежность силовой электроники

Срок службы электронного силового модуля описывается т. н. «кривой надежности», имеющей три ярко выраженных участка. Начало эксплуатации характеризуется «ранними отказами», далее их интенсивность падает до минимального уровня в ходе нормальной эксплуатации и, наконец, снова резко возрастает в конце ресурсного периода. Однако и случайные выходы из строя также не должны игнорироваться при рассмот...

Базовые проблемы силовой электроники: EMI и EMC

Для соединения силовых полупроводниковых ключей и пассивных компонентов (L, С и т. д.) могут использоваться дорожки на печатных платах, а также медные или алюминиевые кабели и шины, в зависимости от уровней рабочих токов и напряжений. Кроме общих технических требований, например по изоляционным зазорам, плотности тока или тепловыделению, важной проблемой является обеспечение электромагнитной со...

Влияние емкости нагрузки на динамические потери IGBT

Справочные значения динамических потерь силовых ключей приводятся в документации с учетом работы на индуктивную нагрузку, что соответствует требованиям стандартов IEC и согласуется с условиями эксплуатации в большинстве реальных приложений. В приводах малой и средней мощности для соединения с двигателем часто используется длинный кабель (например, в сервоприводах), при этом нагрузка получает зн...

Параллельная работа IGBT при различных способах управления затворами

Особенностям параллельной работы силовых ключей посвящены многие публикации, в частности, этот вопрос подробно рассмотрен в [2]. В данной статье проводится анализ распределения токов IGBT при использовании двух концепций управления затворами — «индивидуальной» (независимый драйвер на каждом модуле) и «центральной» (один мощный драйвер для всех параллельных ключей).