SOI — технология интегральных драйверов IGBT

Интеллектуальные силовые модули (IPM — Intellectual Power Module) широко используются в приводах, источниках питания и многих других преобразовательных устройствах. Диапазон мощностей данных применений достаточно большой: от сотен ватт в миниатюрных приводах до мегаватт в энергетических установках. Миниатюрные интеллектуальные ключи киловаттного класса могут быть реализованы с помощью твердотел...

Надежность силовых модулей в предельных условиях эксплуатации

Автомобильная индустрия наиболее активно стимулирует производителей электронных компонентов к разработке новых устройств. Решение задач, связанных с особенностями работы тягового электропривода, требует создания новых технологий и материалов, а также совершенствования производственных процессов. Заметным шагом на этом пути стало внедрение компанией SEMIKRON технологий прижимного контакта и низк...

Технология SiC в модулях SEMIKRON

Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям характеристик электронных ключей. На сегодня наиболее широкое распространение на рынке силовой электроники получили кремниевые MOSFET/IGBT-модули и PN-диоды. Основным препятствием на пути их дальнейшего совершенствования я...

IGBT/MOSFET: основные концепции и пути развития

Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям характеристик силовых ключей. Революционные инновации связаны, в первую очередь, с внедрением новых широкозонных материалов и тонких пленок, применение которых позволяет не только повысить экономическую эффективность произ...

SKAI — интеллектуальный привод XXI века

Требования автомобильной индустрии становятся все более жесткими, для их выполнения необходимы внедрение новых технологий, совершенствование производственных процессов и ужесточение контроля параметров всех элементов системы. Это касается самого широкого диапазона применений — от гибридо- и электромобилей, сельскохозяйственных и строительных машин до судовых приводов. Разработка электронных бло...

Основы силовой электроники: импульсные режимы работы

Данная публикация продолжает тему, начатую в статье «Малоизвестные факты из жизни IGBT и MOSFET» и посвященную особенностям работы наиболее распространенных в преобразовательной технике силовых ключей. В настоящей статье рассматриваются некоторые базовые вопросы, касающиеся импульсных режимов работы преобразователей.

SKYPER 42LJ — новый драйвер цифрового семейства SEMIKRON

Устройство управления изолированными затворами IGBT является одним из самых ответственных узлов силовой секции преобразователя, в значительной степени определяющим надежность и эффективность работы всей системы. Стремясь к максимальной унификации схемы и конструкции, многие ведущие производители драйверов пришли к идее универсального «ядра», предназначенного для решения широкого круга задач.

Малоизвестные факты из жизни IGBT и FWD
Часть 3. Прямое восстановление и реверсивный режим работы IGBT

Повышение скорости коммутации и снижение уровня динамических потерь является одной из основных задач проектировщиков элементной базы и преобразовательных устройств. Однако проблемы, связанные с ростом уровней di/dt, намного сложнее, чем кажется на первый взгляд. Процесс переключения тока нагрузки между IGBT и оппозитным диодом (FWD) сопровождается различными вторичными эффектами. К ним относитс...

SKiN-технология: силовая электроника завтрашнего дня

Современный рынок автоэлектроники предъявляет самые жесткие требования к силовым модулям, предназначенным для применения в составе тягового привода. По сочетанию тепловых и электрических характеристик, весу и габаритам, а также показателям надежности данные компоненты в полном смысле могут быть отнесены к классу high-end. Поиск новых конструктивных решений привел к разработке метода низкотемпер...

Не гонялся бы ты, поп, за дешевизною, или Еще раз о фальшивых силовых модулях

Статья «Краткие исследования поддельных силовых полупроводниковых приборов» (см. СЭ №5’2012) вызвала живейший отклик читателей. Это неудивительно: до тех пор, пока существуют пытливые и деятельные китайцы, а также беспринципные «бизнесмены» (или, точнее, торгаши), проблема будет оставаться актуальной. К сожалению, история учит нас тому, что она никого...