Инверторы напряжения для телекоммуникационных систем

Инверторы напряжения предназначены для преобразования энергии постоянного напряжения (тока) в энергию переменного напряжения (тока). По принципу действия, назначению и условиям эксплуатации конкретные практические схемы инверторов весьма разнообразны. Сегодня инверторы напряжения занимают большую долю российского рынка силовой преобразовательной техники. Устройства данного класса широко использ...

Новые высокомощные силовые диоды и тиристоры для промышленности, транспорта и энергетики

ОАО «Электровыпрямитель» освоило производство и приступило к выпуску высокомощных силовых диодов и тиристоров таблеточной конструкции для преобразовательного оборудования, используемого в промышленности, энергетике, транспорте, металлургии, на крупных объектах коммунального хозяйства и др. Новые полупроводниковые приборы изготавливаются на основе кремниевых структур диаметром от 63 до 101 мм, с...

Контроллер управления внутренним и наружным освещением

Специализированный контроллер управления типа КЭО1-220 для управления внутренним и наружным освещением предприятий промышленности, энергетики и транспорта, организаций, городов и других населенных пунктов обеспечивает автоматическое включение и отключение как одиночных осветительных приборов и установок, так и группового освещения по заданной программе. Он также предусматривает автоматическую к...

Вопросы контроля и обеспечения надежности изделий электронной техники для силовой электроники

Как известно, проверка параметров и функционирования изделий электронной техники (ИЭТ) на соответствие ТУ не гарантирует его надежную работу. Для отбраковки потенциально ненадежных изделий традиционно используют электротермотренировку (ЭТТ), т. е. подачу на прибор электрических режимов и температуры в течение определенного времени. Однако этот метод имеет свои недостатки, которые могут поставит...

Мощные MOSFET-транзисторы с датчиком тока

Наличие встроенного датчика тока в ключевом MOSFET силовом транзисторе позволяет эффективно защищать выходные цепи устройств от перегрузок по току и коротких замыканий. При этом повышается надежность прибора и снижается его стоимость, так как отпадает необходимость в использовании мощных токовых шунтов. В данной статье будут рассмотрены ключевые MOSFET силовые транзисторы с датчиком тока произв...

MELCOSIM? IPOSIM? SEMISEL? О выборе и замене силовых модулей IGBT

В результате быстрого развития технологий мощных полупроводниковых приборов, в первую очередь MOSFET и IGBT, а также устройств управления — драйверов и микроконтроллеров, понятие «схемотехника» как искусство создания принципиальной схемы утратило свое первоначальное значение. Разработчику силового каскада требуется всего лишь грамотно выбрать ключевой элемент и драйвер, пользуясь соответствующи...

SEMiX+SKYPER = адаптивный интеллектуальный силовой модуль IGBT нового поколения

Жесткая конкуренция, существующая в сфере производства компонентов силовой электроники, требует от фирм-производителей постоянного улучшения параметров компонентов, совершенствования технологий, разработки новых поколений элементов с уникальными характеристиками. Этого же требуют и растущие мировые требования по энергосбережению, эффективности и миниатюризации силовых преобразовательных устройс...

Модели мощных биполярных транзисторов и определение их параметров

Рассмотрены модели большого сигнала мощных биполярных транзисторов как для приближенного кусочно-линейного, так и для уточненного численного анализа режимов работы силовых транзисторов и процессов в преобразовательных устройствах. Рассмотрены также методики определения параметров передаточной, кусочно-линейной, модифицированной передаточной, PSpice (Гуммеля-Пуна) моделей по справочным данным.

Исследование процессов запирания комбинированных силовых транзисторов

В первом номере «Силовой электроники» была опубликована статья «Сравнительные экспериментальные исследования силовых модулей IGBT и модулей на основе комбинированных СИТ-МОП силовых транзисторов» [1]. В настоящей статье представлены дальнейшие исследования комбинированных силовых транзисторов в широком диапазоне выходных параметров, в том числе заключительный интервал выключения — стадия протек...

Методы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах

В статье рассматриваются основные причины отказов мощных IGBT силовых модулей, приводятся технологические методы повышения надежности. Подробно описаны способы обеспечения высоких показателей надежности и методики испытаний, используемые SEMIKRON.