Сложность коммутационных процессов в силовых транзисторных ключах преобразователей напряжения не позволяет рассчитывать аналитически демпфирующие цепи для этих ключей. В статье рассмотрены примеры расчета номиналов компонентов демпфирующих цепей с применением пакета Pspice. 
Применение пакетов PSpice (многовариантного анализа) и PSpice Optimizer системы OrCAD позволяет в ряде случаев существенно облегчить схемотехническое проектирование электронных устройств, в том числе ключевых источников питания. В статье рассмотрен пример использования пакетов MathCAD, PSpice и PSpice Optimizer для расчета номиналов компонентов схемы управления ключевого стабилизатора напряжения. 
После публикации в нашем журнале серии статей, посвященных вопросам моделирования систем силовой электроники в среде OrCAD, авторы получили ряд вопросительных откликов на эти статьи. Вопросы, которые задают авторы писем, являются, на наш взгляд, методологическими и заслуживают обсуждения на страницах журнала. Ответы на некоторые из них не могут быть однозначными, поэтому настоящая статья носит ... 
Предложена методика определения параметров PSpice-модели магнитного сердечника, позволяющая более точно определить эти параметры по справочным характеристикам. Предложены две модификации PSpice-модели для учета частотных свойств магнитных материалов с помощью постоянного и нелинейного сопротивлений. Дана методика определения параметров этих моделей. 
Стало доброй традицией публиковать в осеннем выпуске журнала «Силовая электроника» отчет о ежегодном специализированном международном форуме PCIM — Power Control Intellectual Motion, проходящем весной в Нюрнберге. Мы предлагаем эту информацию в преддверии российской выставки, которая должна состояться в октябре, поскольку сравнение обоих мероприятий достаточно интересно и дает богатую пищу для ... 
IGBT — «рабочая лошадка» современной силовой электроники. Знание особенностей этих полупроводников, некоторые из которых освещены в данной статье, способно помочь проектировщикам при выборе элементов, при расчете параметров схемы .
С тех пор как в январе 2011 года компания Cree анонсировала свои первые транзисторы на основе карбида кремния, технология (SiC) MOSFET стала действенным инструментом повышения эффективности преобразователей до уровня, недостижимого с применением прежних кремниевых приборов. В статье подробно рассмотрены приборы второго поколения, приведены их сравнительные характеристики. 
В статье представлен первый отечественный силовой модуль IGBT трехуровневой топологии, разработанный в ОАО «НПО «ЭНЕРГОМОДУЛЬ». Рассмотрены основные электрические и тепловые характеристики устройства. 
С выпуском третьего семейства P3 HiPerFET силовых MOSFET компания IXYS установила новую планку параметров этих устройств для средних и высоких частот. Применение новых транзисторов позволит создавать продукты, которые с высокой надежностью и эффективностью способны решить самые современные задачи преобразования высокого напряжения. 